電容" target="_blank">鉭電容，以其獨特的構(gòu)造和性能，在電子領(lǐng)域占據(jù)了一席之地。它們以鉭金屬為陽極，鈍五氧化二鉭為介質(zhì)，構(gòu)成了電解電容的一種。作為極化電容，鉭電容展現(xiàn)出了卓越的頻率響應(yīng)和穩(wěn)定性，且隨著使用時間的增長，其性能變化并不顯著。

鉭電容的特性與注意事項

鉭電容，以其出色的性能在電子領(lǐng)域獨樹一幟。然而，它們也存在一定的使用限制。特別需要注意的是，鉭電容對反向極化非常敏感。一旦施加反向極性電壓，介電氧化物便會分解，有時甚至可能形成短路，導(dǎo)致熱失控和電容損壞。

此外，不同類型的電容也有各自的特點。例如，鋁電解電容具有多種擊穿電壓和電容量選擇，但電解液泄漏可能影響其使用壽命;多層陶瓷電容則具有優(yōu)良的高頻特性和無極性，但封裝尺寸較大;薄膜電容具有穩(wěn)定的電容量和高擊穿電平，但電容量相對較小且封裝種類有限。在實際應(yīng)用中，選擇哪種類型的電容，需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求和條件來決定。

鉭電容的特點

鉭電容，以其獨特的構(gòu)造和性能，在電子領(lǐng)域占據(jù)了一席之地。它們以鉭金屬為陽極，鈍五氧化二鉭為介質(zhì)，構(gòu)成了一種高效的電解電容。這種電容屬于極化類型，因此具備出色的頻率響應(yīng)和穩(wěn)定性。更令人矚目的是，其增齡性變化相對較小，意味著在長期使用過程中，性能衰減程度較低。

鉭電容的特殊注意事項

鉭電容雖然性能出色，但有一個重要的特性需要特別注意，那就是它們對反向極化的敏感度。一旦鉭電容受到反向極性電壓的影響，其內(nèi)部的介電氧化物就會發(fā)生分解，有時甚至?xí)?dǎo)致短路。這種短路情況如果不及時處理，可能會引發(fā)熱失控，進而造成電容的永久性損壞。因此，在使用鉭電容時，必須確保極性連接正確，以避免潛在的安全風(fēng)險。

不同類型電容的對比

接下來，我們進一步對比不同類型的電容，包括鋁電解、多層陶瓷、鉭和薄膜電容。這些電容在電介質(zhì)、優(yōu)點和缺點等方面都有所不同。例如，鋁電解電容提供多種擊穿電壓和電容量選擇，但可能受到電解液泄漏的影響;多層陶瓷電容具有優(yōu)良的高頻特性和無極性特點，但封裝尺寸可能較大;鉭電容則以其高擊穿電平和無極性為優(yōu)勢，但需注意反向極化問題;而薄膜電容雖然電容量小且封裝種類有限，但其穩(wěn)定性較好。通過了解這些信息，我們可以根據(jù)具體應(yīng)用需求來選擇最適合的電容類型。

KEMET鉭電容器T491A106K010AT的特點及應(yīng)用

KEMET的鉭電容器T491A106K010AT，以其卓越的高擊穿電平和無極性特性，在電子領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。這款電容器不僅性能穩(wěn)定，而且適用范圍廣泛，能夠滿足各種復(fù)雜的應(yīng)用需求。

01 鉭電容概述及特點

鉭電容，這一電容器中的佼佼者，以其小巧的體積和出色的電容量脫穎而出。自1956年由美國貝爾實驗室成功研制以來，其卓越性能便備受矚目。其外形多變，既有適于表面貼裝的小型元件，也有便于片型集成的元件，滿足不同的應(yīng)用需求。在軍事通訊、航天等高精尖領(lǐng)域，鉭電容的身影隨處可見，同時，其應(yīng)用也已廣泛延伸至工業(yè)控制、影視設(shè)備以及通訊儀表等眾多產(chǎn)品中。

鉭電容器以其出色的工作電場強度脫穎而出，這一特性不僅確保了其小型化的優(yōu)勢，更在電源濾波和交流旁路等應(yīng)用中顯示出其強大的競爭力。此外，鉭電容器還具備單向?qū)щ娦?，即“極性”，這意味著在應(yīng)用時必須正確接入電流，否則不僅會影響其性能，還可能導(dǎo)致設(shè)備失效。盡管如此，鉭電容器也存在一定的局限性，如工作電壓上限平值，但這通常不會影響其在配合晶體管或集成電路電源方面的應(yīng)用。另外，鉭電容器還展現(xiàn)出儲藏電量、進行充放電等卓越性能。

02 電容耐壓值識別方法

在選擇鉭電容時，耐壓值是一個重要的參數(shù)。耐壓值決定了電容器在特定電壓下的穩(wěn)定性和可靠性。因此，了解如何查看和識別電容的耐壓值至關(guān)重要。對于Kemet鉭電容，其耐壓值通過不同的字母進行標注，如F表示2.5V，G表示4V等。此外，還有一些其他方法可以幫助識別電容的耐壓值，如直接表示法、色碼表示法等。通過這些方法，我們可以更準確地選擇適合應(yīng)用的鉭電容。

國外品牌電容的耐壓值標注方式可能采用1位數(shù)字與1個字母的組合，例如2G472J，其中2G部分代表耐壓值，而后續(xù)部分則分別表示容量與誤差。此外，電容器耐壓的標注還有兩種常見方法：一是直接在電容器上印制耐壓值;二是采用特定字母與數(shù)字的組合來表示，如1J代表63V，2F代表315V，3A代表1000V，1K代表80V。值得注意的是，數(shù)字最大可達4，如4Z代表90000V。了解并掌握這些常用電容耐壓值的表示方法，對于準確分析Kemet鉭電容的耐壓值至關(guān)重要，這也是判斷產(chǎn)品信息、識別產(chǎn)品特性的基礎(chǔ)常識。

一、鉭電容器概述

鉭電容器，以其獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)，在電子領(lǐng)域占據(jù)著不可或缺的地位。它不僅具有高容量、低ESR(等效串聯(lián)電阻)的特點，還擁有出色的溫度特性和穩(wěn)定性。這些卓越的性能使得鉭電容器在諸多領(lǐng)域都有著廣泛的應(yīng)用。

二、鉭電容器的特性

鉭電容器以其高容量、低ESR以及優(yōu)異的溫度特性和穩(wěn)定性而聞名。其高容量特性使得在電路中能夠存儲更多的電荷，從而滿足高強度電子設(shè)備的需求。同時，低ESR特性則保證了在高頻電路中的優(yōu)異性能。此外，鉭電容器還具有出色的耐久性和可靠性，使得其成為長期使用的理想選擇。

三、鉭電容器的應(yīng)用

由于鉭電容器具備上述諸多優(yōu)點，因此在實際應(yīng)用中有著廣泛的需求。它常被用于電源濾波、信號耦合、旁路電路以及高速數(shù)字電路等場合。在這些應(yīng)用中，鉭電容器都能發(fā)揮其出色的性能，確保電子設(shè)備的穩(wěn)定運行。

四、鉭電容器的分類

根據(jù)不同的結(jié)構(gòu)和用途，鉭電容器可分為多種類型。常見的有圓片型、方型以及管型等結(jié)構(gòu)，以滿足不同場合的需求。同時，根據(jù)其應(yīng)用領(lǐng)域和性能特點，鉭電容器還可進一步細分為多種類型，如高容量型、低ESR型等。這些不同類型和結(jié)構(gòu)的鉭電容器，共同構(gòu)成了電子領(lǐng)域中不可或缺的一環(huán)。

五、鉭電容器的定義

鉭電容器，以其獨特的結(jié)構(gòu)和卓越性能，在電子領(lǐng)域占據(jù)著不可或缺的地位。它包含一個鉭陽極和電解電容器，屬于極化電容器范疇，具備出色的頻率穩(wěn)定性和極性特性。這種以鉭為關(guān)鍵成分的電解電容器，被稱為鉭電容器，以其高單位體積電容值、優(yōu)越的頻率特性以及良好的長期穩(wěn)定性而聞名。然而，鉭電容器也存在一定的使用風(fēng)險，如可能出現(xiàn)的熱失控、火災(zāi)和小爆炸等失效模式。但通過采取適當(dāng)?shù)谋Ｗo措施，如使用外部故障保護裝置，可以有效地避免這些潛在風(fēng)險。

六、鉭電容器的應(yīng)用與分類

鉭電容器因其卓越性能而廣泛應(yīng)用于各種電路中，包括計算機、汽車、手機及其他電子設(shè)備。其中，表面貼裝設(shè)備(SMD)是鉭電容器最常見的應(yīng)用形式。這些貼片電容器在印刷電路板上占據(jù)的空間更小，實現(xiàn)了更高的封裝密度。同時，根據(jù)不同的結(jié)構(gòu)和用途，鉭電容器還可進一步細分為多種類型，如鉛鉭電容器、貼片鉭電容器等。

鉭電容器的符號表示

在電子電路中，鉭電容器通常以其特定的符號來表示。這種符號不僅有助于工程師們快速準確地識別和定位電路中的鉭電容器，還能為電路的設(shè)計和分析提供便利。

七、鉭電容器的結(jié)構(gòu)與性能

鉭，這種銀灰色的金屬，擁有著獨特的電子性質(zhì)。在電子電路中，鉭電容器以其精妙的結(jié)構(gòu)和出色的性能占據(jù)了一席之地。當(dāng)我們仔細觀察鉭電容器的橫截面圖，會發(fā)現(xiàn)其正極(陽極)端子是由鉭粉末經(jīng)過壓制和燒結(jié)工藝，精心制作并固定在托盤上。而電介質(zhì)則是由覆蓋在正極端子上的絕緣氧化層巧妙構(gòu)成，確保了電容器的穩(wěn)定性和可靠性。與此同時，負極(陰極)端子則是由固體二氧化錳電解液精心制備，與正極端子共同構(gòu)成了電容器的核心結(jié)構(gòu)。

鉭電容器的結(jié)構(gòu)與性能

在固體鉭電容器中，電解液通過熱解工藝被添加到陽極。為了在陽極上形成一層均勻的二氧化錳涂層，該電容器需在特殊溶液中浸泡，并在烤箱中經(jīng)過烘烤。這一過程需重復(fù)多次，直至顆粒的內(nèi)外表面都覆蓋上致密的涂層。隨后，為了確保陰極連接的穩(wěn)固性，固體鉭電容器中的小球會浸入石墨和銀的混合物中。

與固體鉭電容器不同，濕鉭電容器則采用液體電解質(zhì)。在陽極經(jīng)過燒結(jié)并生長出介電層后，會將其浸入外殼內(nèi)的液體電解質(zhì)中。此時，外殼和電解液共同構(gòu)成了電容器中的陰極。

鉭電容器以其獨特的結(jié)構(gòu)特點而著稱，其介電片既薄又具有高介電常數(shù)，這使得它在單位體積和重量下具有極高的電容值。這一特性使得鉭電容器在電子電路中扮演著重要的角色，不僅適用于過濾或繞過低頻信號，還是存儲大量電能的理想選擇。

八、鉭電容器特性

3.1 一般特性

鉭電容器的電容范圍通常位于1nF至72mF之間，這一數(shù)值明顯小于相同容量的鋁電解電容器。其額定電壓則從2V跨越至500V以上，提供了廣泛的電壓選擇。此外，鉭電容器的等效串聯(lián)電阻(ESR)顯著低于鋁電解電容器，能達到后者的十分之一，從而允許更高的電流通過，同時減少熱量的生成。在長期穩(wěn)定性方面，鉭電容器也表現(xiàn)出色，其電容量隨時間變化極小，遠勝于鋁電解電容器。只要處理得當(dāng)，鉭電容器可擁有幾乎無限的保質(zhì)期，確保了其出色的可靠性。

3.2 極性

鉭電解電容器展現(xiàn)出極高的極化率。盡管鋁電解電容器能短暫承受反向電壓，但鉭電容器卻對反向極化非常敏感。一旦施加相反極性的電壓，其介質(zhì)氧化物便會分解，進而引發(fā)短路。這種短路狀況可能導(dǎo)致熱失控，最終造成電容器的損壞。值得注意的是，鉭電容器的正極端子通常會被清晰地標記在外殼上，以便于識別和使用。

3.3 鉭電容器故障模式

鉭電容器的失效模式主要分為三大類，根據(jù)ASM國際出版的論文所述。首先是高泄漏/短路，這通常是由施加反向電壓引起的，特別是在故障排除、測試或臺架試驗過程中。由于晶化過程中產(chǎn)生的熱點導(dǎo)致陰極發(fā)熱，進而引發(fā)含晶化鉭電容器的短路。其次是高等效串聯(lián)電阻(ESR)，這主要受到機械/熱機械應(yīng)力的影響，在電容器暴露于板安裝、挑選、回流焊和操作壽命等過程中發(fā)生。外部和/或內(nèi)部連接可能因這種應(yīng)力而受損，導(dǎo)致ESR升高。最后是低電容/開路，雖然這種故障不常見，但若鉭電容器的電容值在正常工作條件下降低，可能預(yù)示著短路問題。而開路故障則可能由正極導(dǎo)線和導(dǎo)線連接損壞引起。

值得注意的是，鉭電容器存在潛在的危險失效模式。在電壓尖峰期間，鉭陽極可能與二氧化錳陰極接觸，若尖峰能量足夠大，將可能引發(fā)化學(xué)反應(yīng)。這種反應(yīng)會產(chǎn)生熱量，且自我維持，同時可能伴隨煙霧和火焰的產(chǎn)生。因此，建議與外部故障保護電路(如限流器和熱熔斷器)結(jié)合使用，以防止熱失控的發(fā)生。

鉭電容的優(yōu)點

鉭電容，全稱鉭電解電容，是電解電容的一種，采用金屬鉭作為介質(zhì)。與普通電解電容不同，它無需使用電解液，因此不存在電解液干涸的問題。鉭電容具有極小的電感，且內(nèi)部無電解液，非常適合在高溫環(huán)境下工作。其特點是壽命長、耐高溫、準確度高，同時濾高頻改波性能極好。盡管其容量較小、價格高于鋁電容，且耐電壓及電流能力較弱，但鉭電容仍廣泛應(yīng)用于大容量濾波場合，如CPU插槽附近，常與陶瓷電容、電解電容配合使用，或在電壓、電流不大的地方發(fā)揮其作用。

在鉭電解電容器的工作過程中，其獨特的自愈性能使得氧化膜介質(zhì)能夠隨時得到加固和恢復(fù)，從而保證了其長壽命和可靠性。此外，鉭電解電容器還具有非常高的工作電場強度，確保了其小型化的優(yōu)勢。在電源濾波和交流旁路等應(yīng)用中，鉭電容以其優(yōu)異的性能和便捷的電容量擴展方式占據(jù)了獨特的地位。

鉭電解電容器在電路中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，其性能特點決定了它在濾波、能量貯存與轉(zhuǎn)換、旁路、耦合與退耦以及作為時間常數(shù)元件等方面的獨特應(yīng)用。然而，使用不當(dāng)可能會影響其工作壽命。因此，在應(yīng)用過程中，我們必須深入了解其性能特點，并采取相應(yīng)的措施，如考慮產(chǎn)品的工作環(huán)境和發(fā)熱溫度，以及降額使用等，以確保充分發(fā)揮其功能并延長使用壽命。

固體鉭電容器以其優(yōu)越的電性能、寬泛的工作溫度范圍和多樣化的形式在電路中占據(jù)一席之地。其獨特的特征在于鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜，該氧化膜介質(zhì)與電容器的一端極結(jié)合成一個整體，使得單位體積內(nèi)的電容量特別大，非常適宜于小型化。此外，鉭電容器還具有自動修補或隔絕氧化膜中疵點的獨特自愈性能，從而保證了其長壽命和可靠性。

在電路設(shè)計中，選型至關(guān)重要。不同規(guī)格的片式鉭電容器具有不同的參數(shù)指標，必須與電路參數(shù)要求相匹配。否則，可能會出現(xiàn)因電容器參數(shù)與電路參數(shù)不匹配而導(dǎo)致的失效和電路故障。其中，最常見的問題包括工作頻率與電容器類型的不配套等。因此，在電路設(shè)計選型時，我們必須謹慎選擇合適的片式鉭電容器，以確保電路的正常工作和穩(wěn)定性。

在甚高頻電路中，由于工作頻率高，電容器的感抗會相應(yīng)增加，導(dǎo)致容量下降。因此，這類電路中必須選用感抗和阻抗ESR極低的疊層陶瓷電容器(MLCC)。而在中低頻率的濾波電路中，片式鉭電容器則更為適用，因為MLCC在低頻下的濾波效果并不理想。合適的工作頻率與電容器阻抗及容量變化之間存在密切關(guān)系，可以通過數(shù)學(xué)公式ESR=1/2πfc來理解。其中，ESR代表電容器的等效串聯(lián)電阻，π取3.14，f為電路工作頻率，C為電容器容量。不同種類電容器的ESR差異顯著，因此選擇時必須根據(jù)電路中需要過濾的紋波頻率來定。否則，濾波效果將無法達到設(shè)計要求。

此外，電容器的等效串聯(lián)電阻ESR和容量，甚至電容器種類選擇的不合適，都會嚴重影響濾波效果。濾波后的電路中可能仍然存在不同頻率的交流雜波干擾信號。因此，在濾波電路中使用的電容器，其頻率特性必須與電路中需要過濾的交流雜波頻率相匹配。否則，濾波性能將無法達到預(yù)期。

對于放電功率和放電頻率較高的電路，降額使用的幅度需要更大。此類電路中的失效問題，如開機時的爆炸短路現(xiàn)象，往往源于電路設(shè)計者對濾波電路和放電電路信號特點的誤解。因此，不分電路類型統(tǒng)一規(guī)定降額的做法是不科學(xué)的，可能導(dǎo)致嚴重的后果。

接下來，我們將深入探討鉭電容的故障分析。

鉭電容的故障模式探討主要涵蓋標準二氧化錳負極類型與新導(dǎo)電聚合物(CP)類型。在標準鉭電容中，電脈沖和電壓水平的共同作用會導(dǎo)致溝道中電導(dǎo)增加，進而引發(fā)電擊穿，隨后可能發(fā)生熱擊穿，導(dǎo)致電容器徹底損壞。另一方面，若電壓水平相對較低，焦耳熱將引起導(dǎo)電性增加，觸發(fā)熱擊穿，從而形成包括溫度-電導(dǎo)-電流-焦耳熱在內(nèi)的反饋循環(huán)，最終導(dǎo)致電擊穿。這兩種擊穿模式均具有不確定性，因此難以提前預(yù)測。

相比之下，導(dǎo)電聚合物(CP)電容器則展現(xiàn)出不同的電流導(dǎo)電機理。其介質(zhì)擊穿類似于雪崩擊穿和場致發(fā)射擊穿，主要歸因于兩電極間的引力、電化學(xué)衰變以及枝狀結(jié)晶組織等因素導(dǎo)致的機電崩塌。值得注意的是，某些負極膜在擊穿時可能發(fā)生自愈現(xiàn)象，這可能與膜的蒸發(fā)、碳化和再氧化過程有關(guān)。但并非所有電容器擊穿都會導(dǎo)致自愈或開路狀態(tài)，有時也可能出現(xiàn)短路情況。

針對介質(zhì)擊穿的研究旨在揭示描述這種現(xiàn)象的基本參數(shù)系列，以及它們與最終產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性之間的關(guān)系。介質(zhì)擊穿可由多種物理過程引發(fā)，包括焦耳熱引起的電導(dǎo)增加、雪崩擊穿和場致發(fā)射擊穿等。此外，兩電極間的引力、電化學(xué)衰變以及枝狀結(jié)晶組織等因素也可能導(dǎo)致機電崩塌。最終，介質(zhì)擊穿將導(dǎo)致絕緣體和兩極的擊毀，這通常是由于熔化和蒸發(fā)以及隨后可能發(fā)生的熱逃逸所致。

為了更深入地了解鉭MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)異晶結(jié)構(gòu)與介質(zhì)擊穿之間的關(guān)系，我們研究了兩種模式下的電流/電壓依賴工作參數(shù)。在正常模式下，鉭電極施加正偏壓;而在相反模式下，則施加負偏壓。這些研究揭示了擊穿不僅源于突發(fā)的擊穿事件，還與隨后的電流流動密切相關(guān)，這使得擊穿的起源和動力變得更為復(fù)雜。

當(dāng)自愈現(xiàn)象發(fā)生時，會觀察到一些獨特的變化。在某些情況下，薄弱點和體擊穿面積會有所減小。在實驗室環(huán)境中，我們可以測量熱擊穿，而不會損壞元件;同時，也能觀察到電擊穿，并發(fā)現(xiàn)僅造成輕微損壞。此外，還可以推導(dǎo)出輔助自愈過程：氧元素會從二氧化錳負極中釋放，促進鉭二氧化物的再生或消除電子陷阱，進而減少介質(zhì)層中的薄弱點。

對于導(dǎo)電聚合物材料，存在兩種自愈途徑。第一種途徑基于蒸發(fā)過程。由于聚合物的熔化和蒸發(fā)溫度較低，當(dāng)電流足夠強時，聚合物可以被加熱并蒸發(fā)，從而消除與該處的聯(lián)系。第二種途徑則認為，在故障處加熱導(dǎo)電聚合物時，聚合物會吸收氧元素，進而形成一個高電阻帽，阻斷電流流向該故障處。這與二氧化錳MnO2的自愈方式相似。

值得注意的是，鉭電容介質(zhì)層的擊穿過程并非固定不變。我們的薄氧化膜實驗顯示，電擊穿并不總是發(fā)生在施加電場的精確(高)值時。實際上，擊穿過程往往是隨機事件的累積結(jié)果。因此，每個具體的擊穿案例都可能是一個獨立事件。

接下來，我們探討鉭電容與陶瓷電容(MLCC)的差異。

鉭電容以其小尺寸和高電容量的優(yōu)異性能而聞名。其外形多樣，并已制成適于表面貼裝的小型和片型元件。然而，隨著陶瓷電容(特別是Y5V型和X7R型)價格的下降，它們在許多應(yīng)用領(lǐng)域開始與鉭電容展開直接競爭。對于電性能的要求取決于具體應(yīng)用，但我們可以比較兩者在平滑濾波和退耦這兩個主要領(lǐng)域中的表現(xiàn)。

在平滑濾波方面，開關(guān)模式電源(SMPS)中的應(yīng)用是一個典型例子。盡管如此，現(xiàn)代SMPS設(shè)計中的限制，如最高工作溫度、電容和高頻開關(guān)等，通常會使電容技術(shù)的選擇變得明確。在這種情況下，進行性價比分析可能有助于做出最佳選擇。

使用由全波整流橋構(gòu)建的模擬電路，我們可以借助MLCC或鉭電容來實現(xiàn)“平滑濾波”功能。在比較Y5V MLCC、X7R MLCC和鉭電容三個系列時，我們發(fā)現(xiàn)它們的性能均隨著電容量的提升而得到改善。然而，在MLCC的范疇內(nèi)，我們總能找到性價比更高的解決方案。對于中低性能水平的需求，Y5V MLCC無疑是成本效益最佳的選項;而對于高性能水平，包括達到最佳性能水平的情況，X7R MLCC則表現(xiàn)出色。特別是在頻率更高的情況下，例如達到1 MHz時，X7R MLCC的優(yōu)勢更為明顯，因為此時鉭電容的有效電容會下降，且其串聯(lián)等效電阻(ESR)也相對較高。

在退耦應(yīng)用中，我們需要評估IC在執(zhí)行規(guī)定任務(wù)時所要求的電量，以確保不會引起額外的電壓波動，從而影響IC的性能。這種應(yīng)用要求電容能夠迅速響應(yīng)，實質(zhì)上作為低阻抗充電電源來工作。與平滑濾波應(yīng)用類似，退耦應(yīng)用的性能也會隨著電容量的提升而得到改善。在特定的條件下，例如100kHz和400℃的環(huán)境中，1uF的MLCC相較于1uF、16V的鉭電容而言，其成本效益更為出色。

盡管C尺寸的33uF和D尺寸的100uF的MLCC電容性能更為卓越，但它們的成本也相應(yīng)地顯著上升。此外，由于這些大尺寸元件的體積較大，設(shè)計人員在實踐中可能更傾向于選擇使用多個小尺寸MLCC電容，而不是選擇較大的鉭電容。值得注意的是，在廣泛的頻率和溫度范圍內(nèi)，X7R和Y5V MLCC的成本效益與鉭電容相當(dāng)，甚至更為出色。

隨著MLCC工藝的不斷進步，陶瓷電容與鉭電容之間的差距正在逐漸縮小。然而，鉭電容憑借其獨特的性能仍難以被直接取代。盡管如此，其應(yīng)用場景無疑會隨著時間的推移而逐漸減少。