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[導(dǎo)讀]Sept. 18, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查,因應(yīng)AMD(超威)將于2026年推出MI450 Helios平臺(tái),近期NVIDIA(英偉達(dá))積極要求Vera Rubin server rack的關(guān)鍵零組件供應(yīng)商提高產(chǎn)品規(guī)格,包括HBM4的Speed per Pin須調(diào)升至10Gbps。盡管規(guī)格能否提升仍有變量,預(yù)計(jì)SK hynix(SK海力士)在HBM4量產(chǎn)初期將維持其最大供應(yīng)商的優(yōu)勢(shì)。

Sept. 18, 2025 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查,因應(yīng)AMD(超威)將于2026年推出MI450 Helios平臺(tái),近期NVIDIA(英偉達(dá))積極要求Vera Rubin server rack的關(guān)鍵零組件供應(yīng)商提高產(chǎn)品規(guī)格,包括HBM4的Speed per Pin須調(diào)升至10Gbps。盡管規(guī)格能否提升仍有變量,預(yù)計(jì)SK hynix(SK海力士)在HBM4量產(chǎn)初期將維持其最大供應(yīng)商的優(yōu)勢(shì)。

HBM4作為AI Server的關(guān)鍵零組件,其傳輸速度及帶寬亦為規(guī)格精進(jìn)重點(diǎn)。而base die為影響HBM傳輸速度的重要因素。三大供應(yīng)商中,Samsung(三星)于2024年將HBM4 base die的制程節(jié)點(diǎn)升級(jí)至FinFET 4nm,目標(biāo)于今年底前正式量產(chǎn),預(yù)計(jì)傳輸速度可達(dá)10Gbps,10Gbps產(chǎn)品的產(chǎn)出比重將高于對(duì)手SK hynix和Micron(美光)。

TrendForce集邦咨詢(xún)表示,NVIDIA除了嘗試提升HBM4規(guī)格,主要仍將考量供應(yīng)量能。若供應(yīng)量過(guò)小,或新規(guī)格過(guò)度推升能耗或成本,NVIDIA可能放棄升級(jí),或?qū)⑵脚_(tái)產(chǎn)品分類(lèi),針對(duì)不同零組件等級(jí)區(qū)分不同供應(yīng)商。此外,不排除NVIDIA在開(kāi)放首批供應(yīng)商認(rèn)證后,將提供其他業(yè)者更多時(shí)間調(diào)整以執(zhí)行第二階段認(rèn)證,這項(xiàng)策略將影響Vera Rubin平臺(tái)量產(chǎn)后的產(chǎn)量拉升速度。

分析2026年NVIDIA HBM4供應(yīng)商占比,TrendForce集邦咨詢(xún)認(rèn)為,基于2024至2025年的現(xiàn)有合作關(guān)系,以及技術(shù)成熟度、可靠度和產(chǎn)能規(guī)模,評(píng)估SK hynix明年將穩(wěn)居最大供應(yīng)商,Samsung和Micron的供應(yīng)比重將視后續(xù)產(chǎn)品送樣的表現(xiàn)而定。

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