55 MHz至15 GHz、單芯片頻率合成器提供低相位噪聲和雜散性能
為了支持航空航天和防務、無線基礎設施、微波點對點鏈路、測試與測量以及衛(wèi)星終端等多種應用，ADI公司開發(fā)了一款集成VCO的寬帶頻率合成器，提供出色的性能和靈活性。ADF5610采用小數N分頻架構，可產生57 MHz至14.6 GHz頻率并實現單芯片頻率合成器的最低相位噪聲性能。與使用多個窄帶、GaAs VCO和PLL的替代解決方案相比，ADF5610的功耗低50%，實現了更小尺寸并提供更簡單的板圖設計，可降低物料清單成本并縮短產品上市時間。
ADF5610采用ADI專有的SiGe BiCMOS工藝制造，提供+6 dBm的RF輸出功率、高系統(tǒng)調制帶寬和極低比特誤碼率。其VCO相位噪聲處于行業(yè)領先水平(10 GHz工作頻率下，100 kHz失調時為−114 dBc/Hz，100 MHz失調時為-165 dBc/Hz)以及-232 dBc/Hz的低歸一化相位噪底。采用合適的環(huán)路濾波器時，集成的PLL可實現快速跳頻和小于30 μs的鎖定時間。整數邊界雜散通常能夠優(yōu)于帶內45 dBc。電平通常高于−45 dBc帶內。
該頻率合成器可通過控制軟件和集成的SPI接口進行編程，兼容1.8 V邏輯并具有硬件和軟件關斷模式。
ADF5610通過用于模擬、數字和電荷泵電路的+3.3 V單獨電源以及用于VCO的+5 V電源進行偏置。IC采用7 mm x 7 mm LFCSP封裝，工作溫度范圍為-40°C至+85°C。
可輕松設計，并得到ADI公司全面易用的PLL頻率合成器設計和仿真工具——ADIsim-PLL™的完全支持。利用ADIsimPLL，設計人員可以評估相位噪聲、鎖定時間、抖動和其他參數。
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