PowerFLAT 5x6封裝 N溝道60 V、0.0024 mOhm typ.、140 A STripFET F7功率MOSFET
600V STL16N60M6采用PowerFLAT 5x6 HV封裝,結(jié)合了優(yōu)化的電容曲線和低柵極電荷(Qg),確保高效率和增加功率密度。
PowerFLAT 5x6 double island封裝雙 N溝道100 V、0.065 Ohm typ.、5 A STripFET F7功率MOSFET
STL33N60DM6采用外形緊湊且熱效率高的PowerFLAT 8x8 HV封裝,結(jié)合其優(yōu)化的壽命限制制程和低開關(guān)損耗,提高了全橋和半橋拓?fù)涞男什⒐?jié)省了空間。
PowerFLAT 5x6 double island封裝雙 N溝道60 V、0.023 Ohm typ.、36 A STripFET F7功率MOSFET