64通道±100 V,±0.2/0.4 A,3/5級RTZ,TR開關,帶集成發(fā)射波束形成器的高速超聲脈沖發(fā)生器
STL33N60DM6采用外形緊湊且熱效率高的PowerFLAT 8x8 HV封裝,結合其優(yōu)化的壽命限制制程和低開關損耗,提高了全橋和半橋拓撲的效率并節(jié)省了空間。
新型STP50N65DM6 MDmesh-DM6 功率 MOSFET具有高漏源擊穿電壓和低開關損耗的特點,可提高電力系統(tǒng)的安全裕度,保證系統(tǒng)的高效可靠運行。
基于第二代、第三代碳化硅MOS技術的STPOWER ACEPACK DMT-32 功率模塊產品