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如何解決DC/DC開(kāi)關(guān)電源中的電磁兼容問(wèn)題？
一般采用的開(kāi)關(guān)型器件會(huì)出現(xiàn)快速的電流和電壓變化率，導(dǎo)致產(chǎn)品在電磁兼容性的測(cè)試上容易出現(xiàn)問(wèn)題，怎么有效處理這一問(wèn)題？
一般采用的開(kāi)關(guān)型器件會(huì)出現(xiàn)快速的電流和電壓變化率，導(dǎo)致產(chǎn)品在電磁兼容性的測(cè)試上容易出現(xiàn)問(wèn)題，怎么有效處理這一問(wèn)題？
由于開(kāi)關(guān)器件的高速開(kāi)關(guān)動(dòng)作通常伴隨較高的di/dt 和dv/dt, 這會(huì)導(dǎo)致EMI問(wèn)題，有幾種有效措施抑制dv/dt 和di/dt引起的EMI問(wèn)題：1.減緩開(kāi)關(guān)器件的開(kāi)關(guān)速度，比如增加?xùn)艠O電阻Rgate實(shí)現(xiàn)。但降低開(kāi)關(guān)速度會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗，需考慮與開(kāi)關(guān)損耗的關(guān)系。 2.加入RC/RCD snubber電路，用于吸收和衰減快速變化的電壓和電流，抑制電壓和電流尖峰。 3.在開(kāi)關(guān)器件和變壓器周?chē)黾与姶牌帘危ㄈ缃饘倨帘握郑┓乐闺姶挪ㄝ椛涑鋈�。推薦WE屏蔽材料https://www.we-online.com/en/components/products/WE-SHC 和https://www.we-online.com/en/components/products/WE-EMIP_EMI_PATCH ，電源敏感區(qū)域如關(guān)鍵環(huán)路及輸入輸出線也可使用屏蔽措施，并確保屏蔽層與地良好連接。 4.PCB設(shè)計(jì)中優(yōu)化布局和走線減少寄生電感和寄生電容帶來(lái)的高dv/dt和di/dt的影響（最小化回流路徑，高頻信號(hào)和敏感信號(hào)盡量分開(kāi)布線，使用連續(xù)的電源和地平面等） 5. 選擇合適的共模濾波器和差模濾波器 6.使用低噪聲的開(kāi)關(guān)拓?fù)淙鏩VS(零電壓開(kāi)關(guān))，ZCS（零電流開(kāi)關(guān)）