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英特爾火力全開炮轟AMD和英偉達：漏洞數(shù)量及危害性“遙遙領(lǐng)先”
英特爾（Intel）近日在其發(fā)布的2024年產(chǎn)品安全報告中，對老對手AMD和英偉達（NVIDIA）進行了火力全開的“攻擊”，聲稱AMD的固件漏洞數(shù)量是英特爾的4.4倍，而英偉達的GPU安全問題則呈現(xiàn)出高危漏洞頻發(fā)的態(tài)勢。
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電影導(dǎo)演們，準(zhǔn)備迎接AI風(fēng)暴吧！
雖然目前導(dǎo)演們尚未完全依賴AI技術(shù)制作電影，但這種趨勢正在迅速形成，未來必將成為主流。
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射頻電路封裝設(shè)計與工藝實現(xiàn)方法研究
通信技術(shù)與社會發(fā)展息息相關(guān),射頻電路推動了通信技術(shù)的硬件水平,并已成為射頻系統(tǒng)研究的熱點之一。射頻電路與數(shù)字電路的區(qū)別在封裝技術(shù)方面也有區(qū)別,本文以封裝設(shè)計和工藝實現(xiàn)方法為研究對象,從射頻電路基本原理、封裝設(shè)計方法和工藝實現(xiàn)三個方面展開,介紹了射頻電路封裝的發(fā)展現(xiàn)狀、技術(shù)需求和工藝路線,對射頻電路的封裝具有一定的指導(dǎo)意義。
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國產(chǎn)化疊層電容工藝的失效機理與可靠性研究
通過對國產(chǎn)運算放大器的一項失效分析研究,揭示了由于工藝變更引起的疊層 MIS電容短路是導(dǎo)致器件失效的主要原因。在低電場條件下,電容表現(xiàn)正常,但在高電場條件下,由于 Fowler-Nordheim 隧穿效應(yīng),熱電子碰撞引發(fā)的缺陷積累最終導(dǎo)致了電容的短路失效。通過 Sentaurus TCAD 仿真分析,驗證了界面摻雜原子濃度差異對氧化層生長速率的影響,并提出了相應(yīng)的工藝改進建議,進而提升國產(chǎn)芯片的可靠性。
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數(shù)字電源有什么特點?數(shù)字電源較模擬電源有何優(yōu)勢?
為增進大家對數(shù)字電源的認識，本文將對數(shù)字電源的特點、數(shù)字電源和模擬電源的優(yōu)勢對比進行介紹。
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EPS電源和UPS電源有什么區(qū)別?看完你就懂了!
為增進大家對電源的認識，本文將對EPS電源、UPS電源以及EPS電源和UPS電源之間的區(qū)別予以介紹。
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什么是PDU電源?PDU電源和普通電源有什么區(qū)別?
為增進大家對電源的認識，本文將對PDU電源以及PDU電源和普通電源之間的區(qū)別予以介紹。
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宇航用抗輻射光收發(fā)器件的技術(shù)特性與標(biāo)準(zhǔn)研究
宇航用抗輻射光收發(fā)模塊可實現(xiàn)宇航應(yīng)用環(huán)境下的高速多路并行電光轉(zhuǎn)換傳輸功能,并實現(xiàn)高速信號的光傳輸,解決星載數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠款i,從傳輸架構(gòu)上降低了系統(tǒng)重量,提升了傳輸帶寬,具有里程碑式的意義。本文詳細分析了其工作原理、結(jié)構(gòu)組成和相關(guān)特性,結(jié)合具體應(yīng)用環(huán)境,對某抗輻照12路并行光收發(fā)模塊的功能性能、質(zhì)量可靠性和環(huán)境適應(yīng)性進行分析,并基于產(chǎn)品定義和用戶需求,正向設(shè)計了標(biāo)準(zhǔn)的指標(biāo)體系和考核要求,為新型光模塊產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)制定提供指導(dǎo)。
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人工智能器件宇航應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)與應(yīng)對措施
人工智能器件是提供實現(xiàn)系統(tǒng)功能的微小型化器件,是實現(xiàn)空間環(huán)境感知、自主判斷、自主任務(wù)規(guī)劃等的硬件載 體和基礎(chǔ)。此類新型元器件在宇航應(yīng)用前,仍然面臨成熟度、可靠性、抗輻射能力、宇航適用性等諸多挑戰(zhàn)。本文從分析 人工智能器件國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀出發(fā),分析人工智能器件宇航應(yīng)用面臨的挑戰(zhàn)與應(yīng)對措施,給出典型人工智能器件質(zhì)量保 證案例,并歸納和總結(jié)后續(xù)人工智能器件宇航應(yīng)用的相關(guān)建議。
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面向宇航用激光器驅(qū)動芯片的可編程連續(xù)時間均衡器設(shè)計
隨著數(shù)據(jù)密集型任務(wù)日益增多,宇航激光器驅(qū)動芯片的通信速率需求已達百 Gb/s量級,其主要研制難點在于克 服由抗輻照、高可靠設(shè)計引入的特殊結(jié)構(gòu)極大程度造成的高頻信號損耗。提出了一種自適應(yīng)可調(diào)諧連續(xù)時間均衡器設(shè) 計方法,基于SiGeBiCMOS工藝對電路交流和傳輸特性進行理論計算及仿真驗證,設(shè)計指標(biāo)可滿足14GHz下最高 16dB的傳輸損耗補償,具備自適應(yīng)增益補償調(diào)節(jié)能力,最高支持25Gb/s的 NRZ信號傳輸。
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用模擬開關(guān)控制同時接入電路傳感器數(shù)目的問題
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中，傳感器作為獲取外界信息的關(guān)鍵部件，其應(yīng)用場景日益廣泛。為了實現(xiàn)更靈活、高效的數(shù)據(jù)采集與處理，通過模擬開關(guān)來控制同時接入電路的傳感器數(shù)目成為一種常見的設(shè)計思路。然而，這種設(shè)計方法在實際應(yīng)用中面臨著諸多問題，需要深入探討和妥善解決。
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傳感器的模擬輸出和數(shù)字輸出的優(yōu)缺點分析
在現(xiàn)代自動化控制和監(jiān)測系統(tǒng)中，傳感器作為獲取外界物理量信息的關(guān)鍵部件，發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。傳感器的輸出方式主要分為模擬輸出和數(shù)字輸出兩種，它們各自具有獨特的優(yōu)缺點，在不同的應(yīng)用場景中有著不同的適用性。深入了解這兩種輸出方式的特點，對于正確選擇和使用傳感器，優(yōu)化系統(tǒng)性能具有重要意義。
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操作AMP輸入保護可能帶來很多信號噪聲
ESD事件可以將非常高的電流驅(qū)動到ESD二極管中，但僅用于納秒。盡管ESD二極管旨在承受ESD脈沖，但持續(xù)時間更長的電壓事件將需要其他外部組件。大多數(shù)輸入ESD保護二極管的設(shè)計旨在承受10 mA的連續(xù)電流，但是電氣過力故障通常會導(dǎo)致電流超出10 ma極限。
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非自動BMS設(shè)計的功能安全性
在過去的十年中，電池供電的應(yīng)用已變得必不可少，需要一定程度的保護才能確保安全使用。此安全性由電池管理系統(tǒng)(BMS)提供。 BMS監(jiān)視電池和可能的故障狀況，防止由于電池或其周圍環(huán)境而導(dǎo)致的任何危險情況，并確保對電池剩余容量或電池降解水平進行準(zhǔn)確的估計。
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傾角傳感器計算方法和C語言程序
傾角傳感器是一種用于測量物體在重力作用下傾斜程度的傳感器，其測量結(jié)果通常以角度值或百分比表示。傳感器的精度是評估其性能的重要指標(biāo)，可以通過公差或分度值來表示。其中，分度值代表傳感器的最小讀數(shù)，而公差則反映了測量結(jié)果與真實值之間的誤差范圍。
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