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  • 電源模塊散熱設計：散熱器選型與熱阻計算實踐

    在功率密度持續(xù)提升的電源模塊設計中，散熱效率已成為制約系統(tǒng)可靠性的核心因素。數(shù)據(jù)顯示，電子元件每升高10℃，失效率將提升1倍（Arrhenius定律），而電源模塊中功率器件的損耗占比常超過70%。本文從熱阻分析、散熱器選型到工程驗證，系統(tǒng)闡述電源模塊散熱設計的關(guān)鍵實踐方法。

  • 反激式開關(guān)電源反饋環(huán)路穩(wěn)定性調(diào)試實操指南

    在反激式開關(guān)電源設計中，反饋環(huán)路的穩(wěn)定性直接決定了輸出電壓的精度、動態(tài)響應及系統(tǒng)可靠性。然而，環(huán)路調(diào)試涉及控制理論、電路拓撲和器件特性的綜合應用，常成為工程師的難點。本文從工程實踐角度出發(fā)，系統(tǒng)梳理反饋環(huán)路穩(wěn)定性調(diào)試的關(guān)鍵步驟與實操技巧。

  • 碳化硅二極管在PFC升壓整流中的高頻效率提升方法

    在電力電子技術(shù)向高頻化、高功率密度發(fā)展的趨勢下，功率因數(shù)校正（PFC）電路的效率瓶頸逐漸聚焦于升壓整流環(huán)節(jié)。傳統(tǒng)硅基超快恢復二極管（FRD）因反向恢復損耗大、EMI噪聲高等問題，已難以滿足高頻應用需求。碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）憑借其獨特的材料特性，成為突破這一瓶頸的關(guān)鍵器件。本文將從器件特性、損耗機制及工程應用三個維度，系統(tǒng)闡述碳化硅二極管在高頻PFC中的效率提升方法。

  • 基于LM339的開關(guān)電源過壓/欠壓/過熱綜合保護電路設計

    在電力電子設備高度依賴可靠電源的今天，開關(guān)電源的綜合保護設計已成為保障系統(tǒng)穩(wěn)定運行的核心技術(shù)。基于LM339四電壓比較器的綜合保護方案，憑借其高集成度、低成本和快速響應特性，成為中小功率開關(guān)電源保護電路的主流選擇。本文將系統(tǒng)解析該方案在過壓、欠壓及過熱保護中的創(chuàng)新應用。

  • 開關(guān)電源EMI設計實戰(zhàn)：差模/共模干擾抑制的PCB布局優(yōu)化技巧

    在開關(guān)電源設計中，電磁干擾（EMI）問題始終是工程師必須攻克的核心挑戰(zhàn)。差模干擾與共模干擾作為兩大主要干擾類型，其抑制效果直接決定了產(chǎn)品能否通過CISPR32、CISPR25等國際電磁兼容標準。本文將結(jié)合高頻PCB設計理論與實戰(zhàn)案例，系統(tǒng)闡述基于PCB布局的差模/共模干擾抑制策略。

  • PCB 過孔孔徑大小對通流能力的影響及優(yōu)化策略

    在印制電路板(PCB)設計中，過孔作為實現(xiàn)不同層間電氣連接的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，其性能直接決定了整個電路的可靠性與穩(wěn)定性。其中，過孔孔徑大小不僅影響 PCB 的空間利用率和制造成本，更對電流傳輸能力(通流能力)產(chǎn)生顯著影響。本文將從過孔的結(jié)構(gòu)原理出發(fā)，系統(tǒng)分析孔徑大小與通流能力的內(nèi)在關(guān)聯(lián)，結(jié)合實際應用場景提供選型建議，為 PCB 設計工程師提供技術(shù)參考。

  • 國產(chǎn)邊緣 AI 芯片：誰將掌控萬物智能的 “最后一厘米”?

    就在所有人將目光聚焦于云端 AI 軍備競賽時，一場決定中國智能未來的關(guān)鍵戰(zhàn)役，正在我們觸手可及的邊緣地帶悄然打響。你的手機、家里的攝像頭 、工廠的機器人 、街上的自動駕駛汽車 —— 這些設備的 “大腦” 正成為科技巨頭們爭奪的新焦點。沒有龐大的數(shù)據(jù)中心支持，它們必須在最后一厘米的距離上，獨自完成感知、決策和學習的全過程。

  • 超聲波傳感器：汽車制造業(yè)高質(zhì)量生產(chǎn)的 “隱形質(zhì)檢員”

    在汽車制造業(yè)向智能化、高精度化轉(zhuǎn)型的過程中，傳感器技術(shù)作為核心感知手段，正深刻改變著生產(chǎn)流程的效率與質(zhì)量。其中，超聲波傳感器憑借非接觸式檢測、高精度測量、適應復雜工況等優(yōu)勢，已成為汽車焊接、涂裝、總裝等關(guān)鍵環(huán)節(jié)不可或缺的技術(shù)支撐，為汽車制造的標準化、自動化提供了可靠的技術(shù)保障。

  • 電子氣體國產(chǎn)化加速：芯片制造的隱形關(guān)鍵正在突圍

    在芯片制造這一精密復雜的領(lǐng)域中，電子氣體雖看似低調(diào)，卻如同人體的血液一般，發(fā)揮著不可或缺的關(guān)鍵作用。它貫穿于光刻、刻蝕、摻雜、CVD(化學氣相沉積)、擴散等眾多核心工藝環(huán)節(jié)，是半導體產(chǎn)業(yè)得以穩(wěn)健發(fā)展的重要支撐。隨著芯片制造技術(shù)朝著更先進的制程節(jié)點不斷邁進，如 2nm 制程的探索，電子氣體的純度、穩(wěn)定性以及供應安全性，已逐漸成為決定芯片良率與成本控制的核心要素。

  • 為什么說 CPO 技術(shù)是光模塊的未來?

    在信息技術(shù)飛速發(fā)展的當下，數(shù)據(jù)的傳輸與處理需求呈爆炸式增長。無論是數(shù)據(jù)中心的海量數(shù)據(jù)交換，還是人工智能、高性能計算等領(lǐng)域?qū)Ω咚?、低延遲數(shù)據(jù)傳輸?shù)膰揽烈螅即偈构馔ㄐ偶夹g(shù)不斷向前演進。在這一進程中，CPO(Co-Packaged Optics，光電共封裝)技術(shù)嶄露頭角，被廣泛認為是光模塊發(fā)展的未來方向。

  • 寬帶隙器件簡介

    寬帶隙(WBG)半導體器件主要指基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的器件。相較于傳統(tǒng)的硅(Si)基器件，它們具有諸多卓越的性能。例如，寬帶隙器件擁有更高的擊穿電場強度，能夠承受更高的電壓;具備高電子遷移率，這使得電子在材料中移動速度更快，大大提高了器件的開關(guān)速度和效率;同時，它們還具有低導通電阻以及較高的熱導率，有助于降低器件工作時的發(fā)熱問題，提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。

  • 三極管開關(guān)電路中電阻匹配的原則和注意事項

    在電子電路設計領(lǐng)域，三極管開關(guān)電路憑借其快速的導通與截止特性，被廣泛應用于脈沖數(shù)字電路、功率控制電路等諸多場景。而電阻匹配作為三極管開關(guān)電路設計中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接決定了電路的開關(guān)速度、穩(wěn)定性、功耗以及三極管的工作安全性。若電阻匹配不合理，輕則導致電路開關(guān)動作遲緩、邏輯電平異常，重則可能使三極管因過流燒毀，引發(fā)整個電路系統(tǒng)故障。因此，深入理解并嚴格遵循電阻匹配的原則，同時重視實際應用中的各類注意事項，是確保三極管開關(guān)電路高效、可靠工作的核心前提。

  • AR 技術(shù)在電子行業(yè)的應用與展望

    在科技飛速發(fā)展的當下，增強現(xiàn)實(AR)技術(shù)正從根本上改變著眾多行業(yè)的運營模式，電子行業(yè)便是其中之一。AR 技術(shù)通過將虛擬信息與現(xiàn)實世界巧妙融合，為電子行業(yè)在產(chǎn)品設計、生產(chǎn)制造、質(zhì)量檢測、產(chǎn)品展示以及員工培訓等多個關(guān)鍵環(huán)節(jié)帶來了前所未有的變革與機遇。

  • PEI 精密注塑光模塊收發(fā)組件：應用拓展與高性能制造突破

    在光通信技術(shù)高速迭代的當下，光模塊作為信號傳輸?shù)暮诵妮d體，其性能升級與成本優(yōu)化成為行業(yè)競爭的關(guān)鍵。其中，采用 PEI(聚醚酰亞胺)材料通過精密注塑工藝制成的光模塊收發(fā)組件，憑借優(yōu)異的耐高溫性、機械穩(wěn)定性與光學兼容性，正逐步替代傳統(tǒng)金屬與陶瓷組件，成為 5G 通信、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)互聯(lián)等領(lǐng)域的核心基礎(chǔ)元件。本文將從應用場景拓展與高性能制造技術(shù)兩大維度，解析 PEI 精密注塑光模塊收發(fā)組件的技術(shù)價值與產(chǎn)業(yè)潛力。

  • 電流感應基礎(chǔ)知識與毫微功率預算下的系統(tǒng)功耗最小化

    在物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、醫(yī)療植入式儀器等新興電子領(lǐng)域，設備往往依賴電池供電且體積受限，這對系統(tǒng)功耗提出了極致要求。毫微功率(nW 級)預算已成為這類低功耗電子系統(tǒng)設計的核心指標，而電流感應作為監(jiān)測電路工作狀態(tài)、實現(xiàn)精準能耗控制的關(guān)鍵技術(shù)，其性能直接決定了系統(tǒng)功耗優(yōu)化的成效。深入理解電流感應基礎(chǔ)知識，并結(jié)合毫微功率預算制定功耗控制策略，是實現(xiàn)低功耗系統(tǒng)設計的核心路徑。

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