問:我已看過你們的“產(chǎn)品說明”(data sheets)和“應(yīng)用筆記”(appl ication notes),也參加過你們的技術(shù)講座,但有關(guān)如何處理ADC中模擬地和數(shù)字地的引腳 我仍有點兒糊涂。產(chǎn)品說明書中通常要求把模擬地和數(shù)字地在器件
問:前面介紹了有關(guān)單純電阻的問題,的確一定存在一些電阻,其性能完全符 合我們的預(yù)料。請問一段導(dǎo)線的電阻會怎樣呢?答:情況不一樣。大概你所指的是一段導(dǎo)線或者是起導(dǎo)線作用的印制線路板 中的一段導(dǎo)電帶。由于室溫
問:我看了你們的放大器產(chǎn)品說明,對失真技術(shù)指標(biāo)我有些弄不懂。有 的放大 器是用二次和三次諧波失真,另外一些用總諧波失真(THD)或總諧波失真加噪聲(THD+N),還 有的用兩個單一頻率互調(diào)失真(IMD)和三階互調(diào)失真,能
芯片設(shè)計的進度經(jīng)常估不準(zhǔn),連帶影響芯片的開發(fā)成本、芯片的上市時間、及上市后的銷售。許多芯片投制商(ASIC Supplier)會用總項目管理數(shù)據(jù)庫來估算芯片投制設(shè)計的進度。同時絕大多數(shù)的進度估算都認(rèn)為,投制設(shè)計完成
隨著3G時代的到來,未來兩年內(nèi)移動終端身份識別SIM卡會向三個方面發(fā)展:其一:高安全的身份識別平臺;其二:非接觸移動支付平臺;其三:大容量多應(yīng)用平臺。在移動互聯(lián)網(wǎng)進入內(nèi)容為王的時代,移動支付成為一個必然的趨
摘要:針對當(dāng)前嚴(yán)峻的電磁環(huán)境,分析了電磁干擾的來源,通過產(chǎn)品開發(fā)流程的分解,融入電磁兼容設(shè)計,從原理圖設(shè)計、PCB設(shè)計、元器件選型、系統(tǒng)布線、系統(tǒng)接地等方面逐步分析,總結(jié)概括電磁兼容設(shè)計要點,最后,介紹了
數(shù)字處理電源領(lǐng)域的巨大進步引發(fā)了對高性能模擬產(chǎn)品的更大需求。除傳統(tǒng)語音外,如今的蜂窩網(wǎng)絡(luò)還能夠以前所未有的高速率傳輸重要的數(shù)據(jù)和視頻信息,這催生了新的調(diào)制方法和依賴于復(fù)雜數(shù)字技術(shù)的新型空中接口標(biāo)準(zhǔn)。盡
摘要:該文章主要介紹了高壓大功率降壓DCDC芯片AP2953在基于ARM架構(gòu)上網(wǎng)本上的應(yīng)用,以及AP2953的結(jié)構(gòu)特性,應(yīng)用設(shè)計和使用特點。 隨著網(wǎng)絡(luò)速度的提升與普及,低價位、續(xù)航時間長的上網(wǎng)本愈來愈受到消費者的青睞。
隨著能源的日益緊張,電子系統(tǒng)對于能效方面的要求也逐步提高,尤其是對于電池供電系統(tǒng),其對功耗的要求更為苛刻。隨著手機、MP3/4等多媒體便攜設(shè)備的普及,音頻功放已經(jīng)成為音頻部分的標(biāo)準(zhǔn)配置。無論是系統(tǒng)工程師還是
喀嗒聲指惱人的音頻瞬態(tài)噪聲,在耳機放大器打開或關(guān)閉時由耳機產(chǎn)生。通過去掉傳統(tǒng)耳機放大器輸出端的隔直電容,美信公司的DirectDrive專利技術(shù)可去除喀嗒聲,同時提供更好的低頻響應(yīng)。本文先闡述DirectDrive原理,如
摘要 搭配分流電阻,隔離放大器在具有高開關(guān)噪聲的功率變換器中亦可提供精確的電流測量;當(dāng)和電阻分壓電路配套使用時,還可以作為精確的電壓傳感器。這些電流和電壓信息可以提供給控制器進行計算和實施有效控制,幫
過去,由于被認(rèn)為具有難以控制、不易讀取、易于老化和溫度要求嚴(yán)格等特點,電容傳感器很少用于汽車電子之中。 但另一方面,它們也具有生產(chǎn)成本較低、外形適應(yīng)簡單、功耗低等特性,從而推動了它們的應(yīng)用。如今,一種新
智能手機等新型消費電子產(chǎn)品使得觸摸屏開始風(fēng)靡,觸摸傳感器提供方便的控制方式,幾乎可用于控制任何類型的設(shè)備。 觸摸傳感控制器目前提供一些通用的性能選項和形態(tài),如滑塊和鄰近傳感器。觸摸傳感器技術(shù)的進步使傳
就電子產(chǎn)品,特別是消費類產(chǎn)品而言,如何將用戶復(fù)雜的控制動作轉(zhuǎn)變?yōu)橹庇^、便捷且可生產(chǎn)的體驗,是用戶界面設(shè)計面臨的終極挑戰(zhàn)。用戶界面設(shè)計一方面要考慮到用戶視覺、聽覺、味覺、嗅覺和觸覺等五種感官的需求,另一
1998年發(fā)白光的LED開發(fā)成功。這種LED是將GaN芯片和釔鋁石榴石(YAG)封裝在一起做成。GaN芯片發(fā)藍光(λp=465nm,Wd=30nm),高溫?zé)Y(jié)制成的含Ce3+的YAG熒光粉受此藍光激發(fā)后發(fā)出黃色光發(fā)射,峰值550nm。藍光LED基片