為了把固態(tài)器件接入電路，金屬和半導(dǎo)體之間就必須有contacts。這些contacts理論上應(yīng)該是完美的導(dǎo)體，但實際上他們是有一點電阻的Ohmic contacts。跟rectifying contacts不一樣，這些Ohmic contacts兩個方向都可以很好的導(dǎo)電。

如果半導(dǎo)體物質(zhì)摻雜足夠重的話，Schottky barrier也有Ohmic conduction的特性。摻雜原子的高濃度使耗盡區(qū)薄到載流子能很容易的隧道穿越它。不像普通的齊納二極管，Ohmic contacts能在很低的電壓下支持tunneling。由于載流子能有效的靠隧道穿越繞過Schottky barrier，rectification 就不會發(fā)生。

如果Schottky barrier的接觸電壓能產(chǎn)生表面積累而不是表面耗盡的話，ohmic contact也能形成。在積累的情況下，在半導(dǎo)體的表面形成了一層薄的多數(shù)載流子層。在N型半導(dǎo)體中，這個層由過剩的電子組成。由于金屬是導(dǎo)體，所以無法形成耗盡區(qū)。在金屬的表面就形成一薄層的電荷來對抗硅中積累的載流子。由于Barrier兩邊都沒有耗盡區(qū)，防止了contact的電壓微分，且任何外加電壓也會幫助載流子穿過結(jié)。因為載流子能往兩個方向運動，所以這種Schottky barrier形成的是Ohmic contacts而不是整流后的一個方向。

實際中，rectifying contacts出現(xiàn)在輕摻雜硅，ohmic contacts出現(xiàn)在重?fù)诫s硅。Ohmic 導(dǎo)通的真正原理不重要，因為本質(zhì)上所有的Ohmic contacts的表現(xiàn)都一樣。只有當(dāng)在contact下有一薄層重?fù)诫s硅時輕摻雜硅區(qū)才能被ohmically contacted。如果一層重?fù)诫s硅用來和某種適當(dāng)?shù)慕饘傧到y(tǒng)聯(lián)合，就能得到低于50Ω/μm<?xml:namespace prefix = v ns = "urn:schemas-microsoft-com:vml" />

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