畫(huà)完 PCB 后，這些關(guān)鍵問(wèn)題必須檢查

在 PCB 設(shè)計(jì)流程中，繪制完成并不意味著工作的結(jié)束。據(jù)行業(yè)統(tǒng)計(jì)，超過(guò) 60% 的電路板故障源于設(shè)計(jì)階段的疏漏，而這些問(wèn)題往往能通過(guò)細(xì)致的后期檢查避免。以下從電氣性能、布局合理性、工藝可行性三個(gè)維度，梳理 PCB 設(shè)計(jì)完成后必須排查的關(guān)鍵問(wèn)題。

NDI協(xié)議如何實(shí)現(xiàn)高清實(shí)時(shí)的視頻傳輸?shù)?/a>

常見(jiàn)的諧振中，什么是LC并聯(lián)諧振電路？

LC電路，也稱為諧振電路、槽路或調(diào)諧電路，是包含一個(gè)電感(用字母L表示)和一個(gè)電容(用字母C表示)連接在一起的電路。

變壓器的多元組成、工作原理、功能應(yīng)用以及分類方法

在現(xiàn)代生活中，電力如同一股無(wú)形的力量，驅(qū)動(dòng)著社會(huì)的運(yùn)轉(zhuǎn)。從照亮黑夜的燈光，到飛速運(yùn)轉(zhuǎn)的電子設(shè)備，電力無(wú)處不在。

變壓器的電磁感應(yīng)原理工作

變壓器是變換交流電壓、電流和阻抗的器件，當(dāng)初級(jí)線圈中通有交流電流時(shí)，鐵芯(或磁芯)中便產(chǎn)生交流磁通，使次級(jí)線圈中感應(yīng)出電壓(或電流)。

DAB同時(shí)實(shí)現(xiàn)直流到直流的升壓和降壓轉(zhuǎn)換

雙有源橋(Dual Active Bridge，DAB)DC-DC變換器是一種先進(jìn)的電力轉(zhuǎn)換技術(shù)，具有雙向能量流動(dòng)能力，可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)直流到直流的升壓和降壓轉(zhuǎn)換。

矩陣式變換器為什么會(huì)成為電力電子技術(shù)研究的熱點(diǎn)

電源是電子電路中有源器件工作的能量來(lái)源，電源的性能直接影響電子電路的性能，電源可以說(shuō)是電子系統(tǒng)的“心臟”。

電源的反饋端為什么需要加入前饋電容

因?yàn)殡娫吹姆答伓思尤肓饲梆侂娙?，所以與反饋電阻形成新的零點(diǎn)和極點(diǎn)，雖然Cff在其零點(diǎn)頻率之后引入了增益提升，此處涉及較深的控制理論，不再展開(kāi)敘述。

汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率模塊的冷卻解決方案

隨著汽車電動(dòng)化程度的不斷提高，電機(jī)驅(qū)動(dòng)功率模塊的性能和可靠性愈發(fā)重要。然而，這些模塊在工作過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生大量熱量，若不能及時(shí)有效地散發(fā)出去，將導(dǎo)致模塊溫度過(guò)高，進(jìn)而影響其性能和壽命。例如，IGBT 模塊在導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生功率損耗，這些損耗以熱量的形式釋放出來(lái)。而且，汽車運(yùn)行工況復(fù)雜多變，功率模塊的發(fā)熱情況也隨之動(dòng)態(tài)變化，這對(duì)冷卻系統(tǒng)的適應(yīng)性提出了很高要求。

內(nèi)置增益設(shè)置電阻的放大器和分立差動(dòng)放大器的區(qū)別

在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，放大器是極為關(guān)鍵的元件，用于增強(qiáng)電信號(hào)的幅度，以滿足各類電子設(shè)備的需求。內(nèi)置增益設(shè)置電阻的放大器和分立差動(dòng)放大器是兩種常見(jiàn)類型，它們?cè)陔娐方Y(jié)構(gòu)、性能表現(xiàn)、成本以及設(shè)計(jì)靈活性等方面存在諸多不同。深入了解這些差異，有助于工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)做出更合適的選擇，確保電路性能最優(yōu)化。

如何輕松解決 ESD 靜電問(wèn)題

在現(xiàn)代科技高速發(fā)展的今天，靜電問(wèn)題如影隨形，尤其是靜電放電(ESD)帶來(lái)的危害不容小覷。ESD 可能會(huì)導(dǎo)致電子元件損壞、設(shè)備故障，甚至引發(fā)火災(zāi)等嚴(yán)重后果，影響生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量。但別擔(dān)心，只要掌握科學(xué)的方法，ESD 靜電問(wèn)題是可以輕松解決的。接下來(lái)，我們就深入探討如何有效應(yīng)對(duì) ESD 靜電問(wèn)題。

可控硅在交流通路中的關(guān)閉原理與實(shí)現(xiàn)方法

可控硅，即晶閘管，作為一種功率半導(dǎo)體器件，憑借其能夠在高電壓、大電流條件下實(shí)現(xiàn)電能控制的特性，被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子等眾多領(lǐng)域。在交流電路中，可控硅可用于調(diào)壓、整流、變頻等多種功能。然而，要實(shí)現(xiàn)精確的電能控制，不僅需要掌握可控硅的導(dǎo)通方法，更要深入理解其在交流通路下的關(guān)閉機(jī)制。本文將詳細(xì)探討可控硅在交流通路情況下的關(guān)閉原理與具體實(shí)現(xiàn)方法。

基于Kubernetes的EDA容器化部署：高并發(fā)物理驗(yàn)證的資源隔離方案

隨著芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜度突破千億晶體管，傳統(tǒng)物理驗(yàn)證（Physical Verification, PV）工具面臨資源爭(zhēng)用、任務(wù)調(diào)度混亂等問(wèn)題。本文提出一種基于Kubernetes的EDA容器化部署方案，通過(guò)資源隔離、動(dòng)態(tài)調(diào)度與彈性伸縮技術(shù)，在AWS云平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)高并發(fā)物理驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)表明，該方案可使DRC/LVS驗(yàn)證任務(wù)并發(fā)量提升5倍，關(guān)鍵任務(wù)響應(yīng)時(shí)間縮短70%，資源利用率從45%提升至88%。通過(guò)結(jié)合cgroups、NetworkPolicy和自定義資源定義（CRD），本文為超大規(guī)模芯片設(shè)計(jì)提供了安全、高效的云端物理驗(yàn)證環(huán)境。

先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)BTI/HCI效應(yīng)建模：老化感知的時(shí)序收斂方法

隨著7nm及以下工藝節(jié)點(diǎn)的普及，負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性（NBTI/PBTI）和熱載流子注入（HCI）效應(yīng)已成為影響芯片長(zhǎng)期可靠性的關(guān)鍵因素。本文提出一種基于物理機(jī)理的老化感知時(shí)序收斂方法，通過(guò)建立BTI/HCI聯(lián)合老化模型，結(jié)合靜態(tài)時(shí)序分析（STA）與動(dòng)態(tài)老化追蹤技術(shù)，實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)階段到簽核階段的全流程老化防護(hù)。實(shí)驗(yàn)表明，該方法可使芯片在10年壽命周期內(nèi)的時(shí)序違規(guī)率降低92%，同時(shí)保持小于5%的面積開(kāi)銷。

開(kāi)源時(shí)序分析工具OpenTimer優(yōu)化：O(n)復(fù)雜度路徑提取算法實(shí)現(xiàn)

隨著先進(jìn)制程下芯片規(guī)模突破百億門級(jí)，傳統(tǒng)時(shí)序分析工具在路徑提取階段面臨計(jì)算復(fù)雜度指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的問(wèn)題。本文針對(duì)開(kāi)源時(shí)序分析工具OpenTimer提出一種基于拓?fù)浼糁εc動(dòng)態(tài)規(guī)劃的O(n)復(fù)雜度路徑提取算法，通過(guò)消除冗余計(jì)算、優(yōu)化數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)及并行化處理，使大規(guī)模電路的時(shí)序路徑提取效率提升兩個(gè)數(shù)量級(jí)。實(shí)驗(yàn)表明，在3nm工藝28億晶體管GPU設(shè)計(jì)中，該算法將關(guān)鍵路徑分析時(shí)間從12小時(shí)縮短至42分鐘，內(nèi)存占用降低65%，為開(kāi)源EDA工具的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用提供了關(guān)鍵支撐。