IGBT模塊五種不同的內部結構和電路圖

IGBT模塊的內部電路與IGBT單管及分立元件構成的電路形式略有不同。

1.單管模塊，1 in 1模塊

單管模塊的內部由若干個IGBT并聯(lián)，以達到所需要的電流規(guī)格，可以視為大電流規(guī)格的IGBT單管。受機械強度和熱阻的限制，IGBT的管芯面積不能做得太大，大電流規(guī)格的IGBT需要將多個管芯裝配到一塊金屬基板上。單管模塊外部標簽上的等效電路如圖1所示，副發(fā)射極(第二發(fā)射極)連接到柵極驅動電路，主發(fā)射極連接到主電路中。

圖1 單管，模塊的內部等效電路

多個管芯并聯(lián)時，柵極已經加入柵極電阻，實際的等效電路如圖2所示。不同制造商的模塊，柵極電阻的阻值也不相同;不過，同一個模塊內部的柵極電阻，其阻值是相同的。

圖2 單管模塊內部的實際等效電路圖

IGBT單管模塊通常稱為1 in 1模塊，前面的“1”表示內部包含一個IGBT管芯，后面的“1”表示同一個模塊塑殼之中。

2.半橋模塊，2 in 1模塊

半橋(Half bridge)模塊也稱為2 in 1模塊，可直接構成半橋電路，也可以用2個半橋模塊構成全橋，3個半橋模塊也構成三相橋。因此，半橋模塊有時候也稱為橋臂(Phase-Leg)模塊。

圖3是半橋模塊的內部等效。不同的制造商的接線端子名稱也有所不同，如C2E1可能會標識為E1C2，有的模塊只在等效電路圖上標識引腳編號等。

圖3 半橋模塊的內部等效電路

半橋模塊的電流/電壓規(guī)格指的均是其中的每一個模塊單元。如1200V/400A的半橋模塊，表示其中的2個IGBT管芯的電流/電壓規(guī)格都是1200V/400A，即C1和E2之間可以耐受最高2400V的瞬間直流電壓。

不僅半橋模塊，所有模塊均是如此標注的。

3.全橋模塊，4 in 1模塊

全橋模塊的內部等效電路如圖4所示。

圖4 全橋模塊內部等效電路

全橋(Full bridge)模塊也稱為4 in 1模塊，用于直接構成全橋電路;也可以用模塊中的2個半橋電路并聯(lián)構成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊，即將分別將G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。

4.三相橋模塊，6 in 1模塊

三相橋(3-Phase bridge模塊的內部等效電流如圖5所示。

圖5 三相橋模塊的內部等效電路

三相橋模塊也稱為6 in 1模塊，用于直接構成三相橋電路，也可以將模塊中的3個半橋電路并聯(lián)構成電流規(guī)格大3倍的半橋模塊。三相橋常用的領域是變頻器和三相UPS、三相逆變器，不同的應用對IGBT的要求有所不同，故制造商習慣上會推出以實際應用為產品名稱的三相橋模塊，如3-Phase inverter module(三相逆變器模塊)等。

5.PIM模塊，CBI模塊，7 in 1模塊

歐美廠商一般將包含圖6所示的7 in 1模塊稱為CBI模塊(Converter-Brake-Inverter Module，整流-剎車-逆變)模塊，日系廠商則習慣稱其為PIM模塊。

圖6 7 in 1模塊內部的等效電路

制造商一般都會分別給出模塊中個功能單元的參數(shù)，表1 是IXYS的MUBW 15-12 T7模塊的主要技術規(guī)格。

表1 MUBW 15-12 T7的主要技術規(guī)格

其中，斷路器和三相逆變器給出的都是IGBT管芯的技術規(guī)格，具體含義參見第3章相關內容;三相整流橋的參數(shù)含義如下。

·VRRM：最大反向峰值電壓，峰值，其中一個二極管的電壓規(guī)格最大值。

·IFAVM：最大正向平均電流，最大整流電流，與結溫或環(huán)境溫度有關。

·IFSM：最大正向浪涌電流，最大正向峰值電流，與結溫或環(huán)境溫度有關。

NTC的技術參數(shù)含義如下。

· R25：額定零功率電阻值，NTC的冷態(tài)電阻值，電阻本體溫度為25℃時的電阻值，典型值。R25就是NTC熱敏電阻的標稱電阻值。通常所說“NTC多少阻值”指的就是R25。

· B25/50：熱敏常數(shù)，NTC 電阻材料的電阻—溫度特性，25/50 表示電阻本體的溫度分別為25℃和50℃。根據(jù) R25和B25/50;?？梢杂嬎愠鯮50，計算公式如下：