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  • 如何學習脈沖寬度調(diào)制PWM原理？

    脈沖寬度調(diào)制PWM是通過將有效的電信號分散成離散形式從而來降低電信號所傳遞的平均功率的一種方式。

  • μC/OS-II任務調(diào)度概述及其任務調(diào)度特點

    μC/OS-II以其可移植、可固化、可裁剪的特性著稱，適用于需要實時性的項目。

  • 單片機中的嵌入式系統(tǒng)如何在眾多應用領域中應用

    單片機作為嵌入式系統(tǒng)的核心組件，已深入到眾多應用領域中。而單片機實時操作系統(tǒng)在這些系統(tǒng)中起到了至關重要的作用。

  • AI EDA 開啟芯片設計的智能化新時代

    隨著人工智能(AI)技術的飛速發(fā)展，電子設計自動化(EDA)領域正經(jīng)歷一場深刻的變革。AI EDA 工具的出現(xiàn)，不僅為芯片設計帶來了更高的效率和優(yōu)化性能，還推動了整個半導體行業(yè)的技術進步。本文將對 AI EDA 進行全面綜述，探討其技術原理、應用場景、優(yōu)勢挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。

  • 汽車智能化浪潮下，車內(nèi)聯(lián)網(wǎng)技術的應對之策

    在當今科技飛速發(fā)展的時代，汽車智能化的發(fā)展可謂如火如荼。從最初單純的機械交通工具，汽車正逐步演變?yōu)楦叨戎悄艿囊苿咏K端，自動駕駛、智能座艙、車聯(lián)網(wǎng)等先進技術的不斷涌現(xiàn)，徹底改變了人們對汽車的傳統(tǒng)認知。在這一智能化變革的進程中，車內(nèi)聯(lián)網(wǎng)技術作為關鍵支撐，其重要性不言而喻，然而也面臨著諸多嚴峻的挑戰(zhàn)。

  • 存儲器帶寬瓶頸突破：HBM3與GDDR7的技術對比分析

    在人工智能訓練、實時圖形渲染與科學計算領域，存儲器帶寬已成為制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。HBM3與GDDR7作為當前顯存技術的兩大巔峰之作，分別通過三維堆疊與信號調(diào)制技術的突破，為不同應用場景提供了差異化解決方案。本文從架構設計、性能參數(shù)、應用場景及生態(tài)布局四個維度，深度解析兩種技術的競爭格局與演進方向。

  • 多核SoC的異構計算架構，ARM DynamIQ到RISC-V大小核的能效比優(yōu)化

    移動計算與邊緣AI設備對能效與算力雙重需求的驅(qū)動下，多核SoC的異構計算架構正經(jīng)歷從傳統(tǒng)同構到異構融合的范式轉變。從ARM DynamIQ的動態(tài)調(diào)度到RISC-V大小核的能效比優(yōu)化，技術演進的核心在于通過核心類型、電壓頻率與任務分配的協(xié)同創(chuàng)新，實現(xiàn)每瓦特算力的指數(shù)級提升。以高通驍龍8 Gen 3為例，其Hexagon AI引擎通過異構調(diào)度將語音識別延遲降低36%，而中科藍訊的RISC-V音頻芯片則以5mW功耗實現(xiàn)主動降噪功能，印證了異構計算在能效比突破中的關鍵價值。

  • 三維堆疊存儲器（3D NAND）的架構演進與工藝挑戰(zhàn)

    三維堆疊存儲器(3D NAND)憑借其超越傳統(tǒng)平面NAND的存儲密度和成本優(yōu)勢，成為存儲技術的核心發(fā)展方向。從2013年三星率先量產(chǎn)24層3D NAND到如今突破300層的技術節(jié)點，這一領域經(jīng)歷了架構創(chuàng)新與工藝突破的雙重變革。然而，堆疊層數(shù)的指數(shù)級增長也帶來了前所未有的制造挑戰(zhàn)，推動行業(yè)在材料、設備和工藝流程上持續(xù)革新。

  • 鐵電存儲器（FeRAM）的嵌入式系統(tǒng)集成方案

    嵌入式系統(tǒng)對非易失性存儲需求日益增長下，鐵電存儲器(FeRAM)憑借其納秒級讀寫速度、超101?次寫入耐久性及低功耗特性，成為替代傳統(tǒng)EEPROM和NOR Flash的關鍵技術。其集成方案需從架構設計、接口適配到功耗管理進行系統(tǒng)性優(yōu)化，以釋放FeRAM在工業(yè)控制、汽車電子與物聯(lián)網(wǎng)領域的性能潛力。

  • 原子層沉積（ALD）在先進封裝中的應用，超薄介質(zhì)層與3D互連的臺階覆蓋控制

    先進封裝技術向納米尺度演進的進程，原子層沉積(ALD)憑借其原子級厚度控制與卓越的共形覆蓋能力，成為突破物理極限的核心技術。從超薄介質(zhì)層的精密構筑到3D互連結構的臺階覆蓋優(yōu)化，ALD技術正在重塑半導體封裝的工藝范式，為芯片性能與可靠性的雙重提升提供解決方案。

  • 鐵電存儲器（FeFET）的物理機制，極化翻轉、非易失性邏輯的突破

    傳統(tǒng)存儲器技術逼近物理極限，鐵電場效應晶體管(FeFET)憑借其獨特的極化翻轉機制與非易失性邏輯特性，成為突破馮·諾依曼架構瓶頸的關鍵技術。FeFET通過將鐵電材料集成至晶體管柵極，實現(xiàn)了存儲與邏輯功能的深度融合，其物理機制涵蓋從原子級極化調(diào)控到器件級非易失性操作的完整鏈條。

  • 量子存儲器開發(fā)，量子比特和糾錯編碼的探索

    量子計算從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化，量子存儲器作為量子信息處理的“記憶中樞”，其性能瓶頸已成為制約量子系統(tǒng)規(guī)?；暮诵恼系K。與經(jīng)典存儲器通過電荷或磁矩存儲信息不同，量子存儲器需在微觀尺度上維持量子比特的相干性與可操控性，同時應對環(huán)境噪聲引發(fā)的量子態(tài)退相干問題。從量子比特物理載體的選擇到量子糾錯編碼的突破，這一領域正經(jīng)歷從基礎物理原理到工程化實現(xiàn)的范式轉變。

  • 非易失性存儲器（NVM）的耐久性增強技術，算法和材料分析

    在數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級增長的時代，非易失性存儲器(NVM)憑借斷電數(shù)據(jù)不丟失的特性，成為數(shù)據(jù)中心、邊緣計算與物聯(lián)網(wǎng)設備的核心組件。然而，其耐久性瓶頸——如PCM的寫入次數(shù)限制、RRAM的電阻漂移、Flash的擦寫壽命衰減等問題，正制約著技術的進一步普及。從算法優(yōu)化到材料創(chuàng)新，全球科研機構正通過多維度技術突破，將NVM的寫入壽命從十萬次提升至千萬次量級，為存儲革命注入新動能。

  • 低功耗SoC的動態(tài)電壓調(diào)節(jié)（DVS），DVFS算法到跨IP核的電壓域劃分

    移動終端與邊緣計算設備對續(xù)航能力要求日益嚴苛，動態(tài)電壓調(diào)節(jié)(DVS)技術已成為低功耗SoC設計的核心支柱。從基于負載預測的DVFS算法到跨IP核的電壓域劃分，這項技術通過精細化功耗管理，使SoC在性能與能效間實現(xiàn)動態(tài)平衡。以ARM Cortex-A78為例，其通過DVFS技術將視頻解碼功耗降低40%，同時維持90%峰值性能，印證了DVS技術在延長設備續(xù)航方面的革命性價值。

  • 存儲器糾錯碼（ECC）的硬件加速實現(xiàn)與可靠性提升

    AI算力與數(shù)據(jù)中心規(guī)模持續(xù)擴張，存儲器糾錯碼(ECC)技術已成為保障數(shù)據(jù)完整性的核心防線。從硬件加速架構到算法優(yōu)化，ECC技術正通過多維度創(chuàng)新，將內(nèi)存錯誤率降低至每萬億小時1次以下，為關鍵任務系統(tǒng)提供接近零故障的可靠性保障。

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