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  • 如何學(xué)習(xí)脈沖寬度調(diào)制PWM原理？

    脈沖寬度調(diào)制PWM是通過將有效的電信號(hào)分散成離散形式從而來降低電信號(hào)所傳遞的平均功率的一種方式。

  • μC/OS-II任務(wù)調(diào)度概述及其任務(wù)調(diào)度特點(diǎn)

    μC/OS-II以其可移植、可固化、可裁剪的特性著稱，適用于需要實(shí)時(shí)性的項(xiàng)目。

  • 單片機(jī)中的嵌入式系統(tǒng)如何在眾多應(yīng)用領(lǐng)域中應(yīng)用

    單片機(jī)作為嵌入式系統(tǒng)的核心組件，已深入到眾多應(yīng)用領(lǐng)域中。而單片機(jī)實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)在這些系統(tǒng)中起到了至關(guān)重要的作用。

  • AI EDA 開啟芯片設(shè)計(jì)的智能化新時(shí)代

    隨著人工智能(AI)技術(shù)的飛速發(fā)展，電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)領(lǐng)域正經(jīng)歷一場(chǎng)深刻的變革。AI EDA 工具的出現(xiàn)，不僅為芯片設(shè)計(jì)帶來了更高的效率和優(yōu)化性能，還推動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。本文將對(duì) AI EDA 進(jìn)行全面綜述，探討其技術(shù)原理、應(yīng)用場(chǎng)景、優(yōu)勢(shì)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢(shì)。

  • 汽車智能化浪潮下，車內(nèi)聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的應(yīng)對(duì)之策

    在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，汽車智能化的發(fā)展可謂如火如荼。從最初單純的機(jī)械交通工具，汽車正逐步演變?yōu)楦叨戎悄艿囊苿?dòng)終端，自動(dòng)駕駛、智能座艙、車聯(lián)網(wǎng)等先進(jìn)技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，徹底改變了人們對(duì)汽車的傳統(tǒng)認(rèn)知。在這一智能化變革的進(jìn)程中，車內(nèi)聯(lián)網(wǎng)技術(shù)作為關(guān)鍵支撐，其重要性不言而喻，然而也面臨著諸多嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。

  • 存儲(chǔ)器帶寬瓶頸突破：HBM3與GDDR7的技術(shù)對(duì)比分析

    在人工智能訓(xùn)練、實(shí)時(shí)圖形渲染與科學(xué)計(jì)算領(lǐng)域，存儲(chǔ)器帶寬已成為制約系統(tǒng)性能的核心瓶頸。HBM3與GDDR7作為當(dāng)前顯存技術(shù)的兩大巔峰之作，分別通過三維堆疊與信號(hào)調(diào)制技術(shù)的突破，為不同應(yīng)用場(chǎng)景提供了差異化解決方案。本文從架構(gòu)設(shè)計(jì)、性能參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景及生態(tài)布局四個(gè)維度，深度解析兩種技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)格局與演進(jìn)方向。

  • 多核SoC的異構(gòu)計(jì)算架構(gòu)，ARM DynamIQ到RISC-V大小核的能效比優(yōu)化

    移動(dòng)計(jì)算與邊緣AI設(shè)備對(duì)能效與算力雙重需求的驅(qū)動(dòng)下，多核SoC的異構(gòu)計(jì)算架構(gòu)正經(jīng)歷從傳統(tǒng)同構(gòu)到異構(gòu)融合的范式轉(zhuǎn)變。從ARM DynamIQ的動(dòng)態(tài)調(diào)度到RISC-V大小核的能效比優(yōu)化，技術(shù)演進(jìn)的核心在于通過核心類型、電壓頻率與任務(wù)分配的協(xié)同創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)每瓦特算力的指數(shù)級(jí)提升。以高通驍龍8 Gen 3為例，其Hexagon AI引擎通過異構(gòu)調(diào)度將語音識(shí)別延遲降低36%，而中科藍(lán)訊的RISC-V音頻芯片則以5mW功耗實(shí)現(xiàn)主動(dòng)降噪功能，印證了異構(gòu)計(jì)算在能效比突破中的關(guān)鍵價(jià)值。

  • 三維堆疊存儲(chǔ)器（3D NAND）的架構(gòu)演進(jìn)與工藝挑戰(zhàn)

    三維堆疊存儲(chǔ)器(3D NAND)憑借其超越傳統(tǒng)平面NAND的存儲(chǔ)密度和成本優(yōu)勢(shì)，成為存儲(chǔ)技術(shù)的核心發(fā)展方向。從2013年三星率先量產(chǎn)24層3D NAND到如今突破300層的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，這一領(lǐng)域經(jīng)歷了架構(gòu)創(chuàng)新與工藝突破的雙重變革。然而，堆疊層數(shù)的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)也帶來了前所未有的制造挑戰(zhàn)，推動(dòng)行業(yè)在材料、設(shè)備和工藝流程上持續(xù)革新。

  • 鐵電存儲(chǔ)器（FeRAM）的嵌入式系統(tǒng)集成方案

    嵌入式系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)下，鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)憑借其納秒級(jí)讀寫速度、超101?次寫入耐久性及低功耗特性，成為替代傳統(tǒng)EEPROM和NOR Flash的關(guān)鍵技術(shù)。其集成方案需從架構(gòu)設(shè)計(jì)、接口適配到功耗管理進(jìn)行系統(tǒng)性優(yōu)化，以釋放FeRAM在工業(yè)控制、汽車電子與物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的性能潛力。

  • 原子層沉積（ALD）在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用，超薄介質(zhì)層與3D互連的臺(tái)階覆蓋控制

    先進(jìn)封裝技術(shù)向納米尺度演進(jìn)的進(jìn)程，原子層沉積(ALD)憑借其原子級(jí)厚度控制與卓越的共形覆蓋能力，成為突破物理極限的核心技術(shù)。從超薄介質(zhì)層的精密構(gòu)筑到3D互連結(jié)構(gòu)的臺(tái)階覆蓋優(yōu)化，ALD技術(shù)正在重塑半導(dǎo)體封裝的工藝范式，為芯片性能與可靠性的雙重提升提供解決方案。

  • 鐵電存儲(chǔ)器（FeFET）的物理機(jī)制，極化翻轉(zhuǎn)、非易失性邏輯的突破

    傳統(tǒng)存儲(chǔ)器技術(shù)逼近物理極限，鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FeFET)憑借其獨(dú)特的極化翻轉(zhuǎn)機(jī)制與非易失性邏輯特性，成為突破馮·諾依曼架構(gòu)瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。FeFET通過將鐵電材料集成至晶體管柵極，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)與邏輯功能的深度融合，其物理機(jī)制涵蓋從原子級(jí)極化調(diào)控到器件級(jí)非易失性操作的完整鏈條。

  • 量子存儲(chǔ)器開發(fā)，量子比特和糾錯(cuò)編碼的探索

    量子計(jì)算從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化，量子存儲(chǔ)器作為量子信息處理的“記憶中樞”，其性能瓶頸已成為制約量子系統(tǒng)規(guī)?；暮诵恼系K。與經(jīng)典存儲(chǔ)器通過電荷或磁矩存儲(chǔ)信息不同，量子存儲(chǔ)器需在微觀尺度上維持量子比特的相干性與可操控性，同時(shí)應(yīng)對(duì)環(huán)境噪聲引發(fā)的量子態(tài)退相干問題。從量子比特物理載體的選擇到量子糾錯(cuò)編碼的突破，這一領(lǐng)域正經(jīng)歷從基礎(chǔ)物理原理到工程化實(shí)現(xiàn)的范式轉(zhuǎn)變。

  • 非易失性存儲(chǔ)器（NVM）的耐久性增強(qiáng)技術(shù)，算法和材料分析

    在數(shù)據(jù)量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的時(shí)代，非易失性存儲(chǔ)器(NVM)憑借斷電數(shù)據(jù)不丟失的特性，成為數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算與物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的核心組件。然而，其耐久性瓶頸——如PCM的寫入次數(shù)限制、RRAM的電阻漂移、Flash的擦寫壽命衰減等問題，正制約著技術(shù)的進(jìn)一步普及。從算法優(yōu)化到材料創(chuàng)新，全球科研機(jī)構(gòu)正通過多維度技術(shù)突破，將NVM的寫入壽命從十萬次提升至千萬次量級(jí)，為存儲(chǔ)革命注入新動(dòng)能。

  • 低功耗SoC的動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)（DVS），DVFS算法到跨IP核的電壓域劃分

    移動(dòng)終端與邊緣計(jì)算設(shè)備對(duì)續(xù)航能力要求日益嚴(yán)苛，動(dòng)態(tài)電壓調(diào)節(jié)(DVS)技術(shù)已成為低功耗SoC設(shè)計(jì)的核心支柱。從基于負(fù)載預(yù)測(cè)的DVFS算法到跨IP核的電壓域劃分，這項(xiàng)技術(shù)通過精細(xì)化功耗管理，使SoC在性能與能效間實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)平衡。以ARM Cortex-A78為例，其通過DVFS技術(shù)將視頻解碼功耗降低40%，同時(shí)維持90%峰值性能，印證了DVS技術(shù)在延長(zhǎng)設(shè)備續(xù)航方面的革命性價(jià)值。

  • 存儲(chǔ)器糾錯(cuò)碼（ECC）的硬件加速實(shí)現(xiàn)與可靠性提升

    AI算力與數(shù)據(jù)中心規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，存儲(chǔ)器糾錯(cuò)碼(ECC)技術(shù)已成為保障數(shù)據(jù)完整性的核心防線。從硬件加速架構(gòu)到算法優(yōu)化，ECC技術(shù)正通過多維度創(chuàng)新，將內(nèi)存錯(cuò)誤率降低至每萬億小時(shí)1次以下，為關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)提供接近零故障的可靠性保障。

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