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  • IGBT 基礎教程：第 1 部分如何選擇 IGBT

    IGBT全稱叫絕緣柵雙極型晶體管，是一種復合型結構器件，它結合了MOS晶體管和BJT雙極型晶體管的優(yōu)點，在電壓電流轉換，電能輸出領域用的非常多，特別是在高壓大電流領域，IGBT占主導地位，是人類控制電能，利用電能的核心半導體器件之一，這種主要應用在電子電力轉換領域的半導體器件，我們統(tǒng)稱功率半導體

  • IGBT 基礎教程：第 2 部分IGBT概述

    N 溝道 IGBT 基本上是構建在 p 型襯底上的 N 溝道功率 MOSFET，的通用 IGBT 橫截面所示。（PT IGBT 有一個額外的 n+ 層，將在后面說明。）因此，IGBT 的操作與功率 MOSFET 非常相似。從發(fā)射極施加到柵極端子的正電壓導致電子被拉向體區(qū)中的柵極端子。

  • IGBT 基礎教程：第 3 部分PT與NPT芯片介紹

    所謂PT(PunchThrough，穿通型)，是指電場穿透了N-漂移區(qū)，電子與空穴的主要匯合點在N一區(qū)。NPT在實驗室實現(xiàn)的時間(1982年)要早于PT(1985)，但技術上的原因使得PT規(guī)模商用化的時間比NPT早，所以第1代IGBT產品以PT型為主。PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問題，但是需要增加外延層厚度，技術復雜，成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關的，電壓規(guī)格越高、外延層越厚，IZOOV、2000V的PT-IGBT外延層厚度分別達到了100μm和200μm。

  • IGBT 基礎教程：第 4 部分數(shù)據(jù)表中有關 IGBT的特性一

    從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設計人員有用且方便的相關信息，用于選擇合適的器件以及預測其在應用中的性能。提供圖表以使設計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應該注意的是，測試結果非常依賴于電路，尤其是寄生發(fā)射極電感，以及寄生集電極電感和柵極驅動電路設計和布局。不同的測試電路產生不同的結果。

  • IGBT 基礎教程：第 5 部分數(shù)據(jù)表中有關 IGBT的特性二

    從APT 提供的數(shù)據(jù)表旨在包含對電源電路設計人員有用且方便的相關信息，用于選擇合適的器件以及預測其在應用中的性能。提供圖表以使設計人員能夠從一組操作條件外推到另一組操作條件。應該注意的是，測試結果非常依賴于電路，尤其是寄生發(fā)射極電感，以及寄生集電極電感和柵極驅動電路設計和布局。不同的測試電路產生不同的結果。

  • IGBT 基礎教程：第 6 部分IGBT靜態(tài)特性

    IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時，漏極電流與柵極電壓 的關系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似.也 可分為飽和區(qū) 1 、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止 下的IGBT ，正向電壓由J2結承擔，反向電壓由J1結承擔。 無N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓 做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關斷電壓只能達到幾十伏水平， 限制了IGBT的某些應用范圍。

  • IGBT 基礎教程：第 7 部分IGBT動態(tài)特性

    一個等效的 IBGT 模型，其中包括端子之間的電容。輸入、輸出和反向傳輸電容是這些電容的組合。數(shù)據(jù)表中規(guī)定了測量電容的測試條件。

  • IGBT 基礎教程：第 8 部分IGBT熱和機械特性

    這是從芯片結到器件外殼外部的熱阻。熱量是設備本身功率損失的結果，熱阻與基于這種功率損失的芯片的熱度有關。之所以稱為熱阻，是因為使用電氣模型根據(jù)穩(wěn)態(tài)功率損耗預測溫升。

  • 通過設計 PCB對電路進行功能分區(qū)，避免噪聲信號影響 EMI

    在本文中，我將提供有關EMI分區(qū)的更多詳細信息。雖然分區(qū)的概念很簡單，但真正的電路板通常需要更多的思考。 當涉及混合信號設計時，分區(qū)尤其重要，例如模擬和數(shù)字或無線和數(shù)字的組合。我的許多客戶將無線(蜂窩、Wi-Fi、藍牙和 GPS)與數(shù)字處理和模擬(例如音頻放大器或視頻)結合在一起。對于小型移動或物聯(lián)網(wǎng)設備，充分劃分電路功能的重要性變得強制性，以消除數(shù)字開關電流對敏感接收器的干擾。

  • 數(shù)碼相機設計，CMOS 圖像傳感器的基本噪聲考慮

    文章展示了基本的 5T 電荷轉移像素如何通過使用一種方法將像素中的電荷集成與電荷感應功能分開來解決復位參考電平問題。最后，我們看到電荷轉移像素可以在卷簾快門和全局快照快門模式下運行，從而解決了當場景中存在運動時卷簾快門運行模式所遭受的焦平面失真問題。我們還注意到，電荷轉移像素中使用的動態(tài)電荷存儲可能會導致圖像質量下降，這是由于暗信號引起的噪聲增加而導致的。

  • 設計一個 100A 有源負載用來測試電源可靠性

    當我們使用有源負載測試電路來確保微處理器或其他數(shù)字負載的電源提供 100A 瞬態(tài)電流。這種有源負載可以為電源提供直流負載，并且可以在直流電平之間快速切換。這些瞬態(tài)負載模擬微處理器中的快速邏輯切換。

  • 如何為測試應用確定最佳電源，第二部分隔離和接地

    評估隔離電源質量的另一個指標是其輸出與電源線的隔離。具有高隔離度的電源進一步降低了電源輸出的噪聲。良好的隔離阻抗水平包括大于 1GΩ 的參數(shù)與小于 1nF 的并聯(lián)參數(shù)，并且屏蔽得足夠好以支持小于 5μA 的共模電流。

  • 可充電電池使電子產品更環(huán)保，第二部分

    Mouser Electronics 提供來自多家制造商的各種電池和電池技術。使用不同類型的材料制造可充電電池;一些最常見的包括鉛酸 (Pb-acid)、鋰離子、磷酸鐵鋰 (LiFePO 4 )、鎳鎘 (NiCd) 和鎳金屬氫化物 (NiMH)。讓我們快速看一下其中的每一個。

  • 可充電電池使電子產品更環(huán)保，第一部分

    雖然電池提供不受束縛的電力，實現(xiàn)便利性、可靠性和移動性，但環(huán)境責任表明可充電電池具有相同的好處，但可以在減少浪費的同時節(jié)省資金。本文探討了可充電電池技術帶來的好處，使我們能夠讓生活更美好。

  • 管理 PCB 設計中的 EMI：EMI 來源和解決方案

    隨著 PC 板上的接口速度越來越快，管理電磁干擾 (EMI) 是設計人員面臨的最大挑戰(zhàn)之一。無用發(fā)射的可能原因有很多。以下是一些可能導致 EMI 問題的示例：

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