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MOSFET中的電容計(jì)算

自從30多年前首次推出以來，MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)一直在穩(wěn)步改進(jìn)，目前我們已經(jīng)擁有了對于毫歐姆RDSON值的低電壓MOSFET。對于較高電壓的器件，它正

功率器件
2019-06-19

開關(guān)電源電容電源技術(shù)解析
LLC諧振電源如何實(shí)現(xiàn)ZVS應(yīng)用及設(shè)計(jì)技巧

今天在進(jìn)行《磁性元件與開關(guān)電源設(shè)計(jì)技術(shù)》企業(yè)內(nèi)訓(xùn)時(shí);在開關(guān)電源設(shè)計(jì)技術(shù)-LLC設(shè)計(jì)調(diào)試技巧中對LLC的關(guān)鍵技術(shù)及易發(fā)生故障的狀況進(jìn)行了分析;LLC諧振電源如何實(shí)現(xiàn)ZVS應(yīng)用及設(shè)

功率器件
2019-06-19

開關(guān)電源電容電源技術(shù)解析
處理MOSFET非線性電容

自從30多年前首次推出以來，MOSFET已經(jīng)成為高頻開關(guān)電源轉(zhuǎn)換的主流。該技術(shù)一直在穩(wěn)步改進(jìn)，目前我們已經(jīng)擁有了對于毫歐姆RDSON值的低電壓MOSFET。對于較高電壓的器件，它正

功率器件
2019-06-17

開關(guān)電源電容電源技術(shù)解析
雙軸加速度傳感器的優(yōu)勢

本文將深入探討，使用雙軸加速度傳感器相比較單軸加速度傳感器有什么優(yōu)勢。以及如何根據(jù)項(xiàng)目要求計(jì)算加速度傳感器的最小靈敏度，以及如何選型。

功率器件
2019-06-12

傳感器雙軸加速傳感器單軸加速傳感器電源技術(shù)解析
安森美半導(dǎo)體推出由Strata Developer Studio™支持的電源方案板

安森美半導(dǎo)體在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio™ 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應(yīng)用廣泛的電源方案，使用戶能在一個(gè)具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍，且在采購硬件和完成設(shè)計(jì)之前對系統(tǒng)性能有信心。

功率器件
2019-06-11

studio 碳化硅 developer 電源新品 strata
安森美半導(dǎo)體推出基于SiC的兩種IGBT門極驅(qū)動器

安森美半導(dǎo)體，在德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關(guān)的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。

功率器件
2019-06-11

igbt sic 電源新品門極驅(qū)動器
RSL10太陽能電池多傳感器平臺

RSL10太陽能電池多傳感器平臺是一種完整的低成本解決方案，用于開發(fā)通過采集的太陽能供電的自供電傳感器節(jié)點(diǎn)?；赗SL10 SIP--業(yè)界功耗最低的藍(lán)牙®5無線電，RSL10太陽能電池多傳感器平臺支持連續(xù)藍(lán)牙低功耗的傳感器信息傳輸，無需任何電池。全集成的平臺具有多個(gè)智能傳感器，超低靜態(tài)電流LDO穩(wěn)壓器(NCP170)和2端口連接器(Ribes Tech的FlexRB-25-7030) 用于提供的太陽能電池。還包括一個(gè)薄型47 uF存儲電容和一個(gè)編程調(diào)試接口。

功率器件
2019-06-11

傳感器太陽能電池電源新品 rsl10
菜鳥選擇MOSFET的四步驟！

一位工程師曾經(jīng)對我講，他從來不看MOSFET數(shù)據(jù)表的第一頁，因?yàn)?ldquo;實(shí)用”的信息只在第二頁以后才出現(xiàn)。事實(shí)上，MOSFET數(shù)據(jù)表上的每一頁都包含有對設(shè)計(jì)者非常有價(jià)值

功率器件
2019-06-11

電阻直流電源技術(shù)解析
幾種光電耦合器件及應(yīng)用電路

作為在近幾年當(dāng)中迅速崛起的一種半導(dǎo)體光電器件，光電耦合器擁有很多優(yōu)點(diǎn)，比如體積小、壽命長，能在干擾較強(qiáng)的環(huán)境下工作等。因此，光電耦合器開始被大量的應(yīng)用在電子電路

功率器件
2019-06-11

三極管開關(guān)電路電源技術(shù)解析
COOL MOSFET的EMI設(shè)計(jì)指南!

導(dǎo)讀本文簡述功率在轉(zhuǎn)換器電路中的轉(zhuǎn)換傳輸過程，針對開關(guān)器件MOSFET在導(dǎo)通和關(guān)斷瞬間，產(chǎn)生電壓和電流尖峰的問題，進(jìn)而產(chǎn)生電磁干擾現(xiàn)象，通過對比傳統(tǒng)平面MOSFET與超結(jié)MO

功率器件
2019-06-10

電阻功率電源技術(shù)解析
超精密電阻在運(yùn)算放大器電路中的應(yīng)用

一些理想的運(yùn)算放大器配置通常假設(shè)反饋電阻具有完美的匹配特性，而實(shí)際情況是電阻的非理想因素會影響各種電路參數(shù)如共模抑制比，諧波失真和穩(wěn)定性。一個(gè)運(yùn)算放大器是直流耦

功率器件
2019-06-08

轉(zhuǎn)換器電阻電源技術(shù)解析
運(yùn)放設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)：如何以毫微功率預(yù)算實(shí)現(xiàn)精密測量

第1部分：毫微功耗運(yùn)算放大器的直流增益運(yùn)算放大器(op amp)的高精度和高速度直接影響著功耗的量級。電流消耗降低則增益帶寬減少;相反，偏移電壓降低則電流消耗增大。運(yùn)算放

功率器件
2019-06-08

放大器功率電源技術(shù)解析
在LLC拓?fù)渲校x擇體二極管恢復(fù)快的MOSFET的原因是什么

在當(dāng)前全球能源危機(jī)的形式下，提高電子設(shè)備的能效，取得高性能同時(shí)降低能耗，成為業(yè)內(nèi)新的關(guān)注點(diǎn)。為順應(yīng)這一趨勢，世界上許多電子廠商希望在產(chǎn)品規(guī)格中提高能效標(biāo)準(zhǔn)。在電

功率器件
2019-06-06

二極管功率電源技術(shù)解析
電容的充放電時(shí)間該如何計(jì)算？這篇文章講明白了

L、C元件稱為“慣性元件”，即電感中的電流、電容器兩端的電壓，都有一定的“電慣性”，不能突然變化。充放電時(shí)間，不光與L、C的容量有關(guān)，還與充/放電

功率器件
2019-06-05

電阻電容電源技術(shù)解析
在LLC拓?fù)渲?，選擇體二極管恢復(fù)快的MOSFET的原因是什么

在當(dāng)前全球能源危機(jī)的形式下，提高電子設(shè)備的能效，取得高性能同時(shí)降低能耗，成為業(yè)內(nèi)新的關(guān)注點(diǎn)。為順應(yīng)這一趨勢，世界上許多電子廠商希望在產(chǎn)品規(guī)格中提高能效標(biāo)準(zhǔn)。在電

功率器件
2019-06-05

計(jì)算機(jī) 二極管電源技術(shù)解析

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電源

MOSFET中的電容計(jì)算

LLC諧振電源如何實(shí)現(xiàn)ZVS應(yīng)用及設(shè)計(jì)技巧

處理MOSFET非線性電容

雙軸加速度傳感器的優(yōu)勢

安森美半導(dǎo)體推出由Strata Developer Studio™支持的電源方案板

安森美半導(dǎo)體推出基于SiC的兩種IGBT門極驅(qū)動器

RSL10太陽能電池多傳感器平臺

菜鳥選擇MOSFET的四步驟！

幾種光電耦合器件及應(yīng)用電路

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超精密電阻在運(yùn)算放大器電路中的應(yīng)用

運(yùn)放設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)：如何以毫微功率預(yù)算實(shí)現(xiàn)精密測量

在LLC拓?fù)渲校x擇體二極管恢復(fù)快的MOSFET的原因是什么

電容的充放電時(shí)間該如何計(jì)算？這篇文章講明白了

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