逆變器的脈寬調(diào)制技術(shù)PWM是一種參考波為“調(diào)制波”,而以N倍于調(diào)制波頻率的正三角波為“載波”。由于正三角波或鋸齒波的上下寬度是線性變化的波形,因此,它與調(diào)制波相
對(duì)于模擬CMOS而言,有兩大主要危害,其一是靜電,其二是過壓。因此,要做好CMOS的保護(hù),就需從這兩大主要因素入手,避免錯(cuò)誤地使用CMOS,從而延長(zhǎng)CMOS的使用壽命。本文
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)
TVS(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)或稱瞬變電壓抑制二極管是在穩(wěn)壓管工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新產(chǎn)品。其電路符號(hào)和普通穩(wěn)壓二極管相同,外形也與普通二極管無異,當(dāng)TVS管
在物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代,電池供電應(yīng)用日益興盛。本文將說明我們并非一定要在節(jié)省功耗和精度之間進(jìn)行取舍。有些運(yùn)算放大器有禁用引腳,如果使用得當(dāng),可以節(jié)省高達(dá) 99%的功耗,同時(shí)不
正弦波逆變器是我們業(yè)界常用的逆變器產(chǎn)品,如何設(shè)計(jì)制作一臺(tái)實(shí)用性強(qiáng)、價(jià)廉物美的正弦波逆變器,一直是廣大電子產(chǎn)品愛好者所關(guān)注的。最近,筆者花了近一個(gè)月的時(shí)間,制作了
電容開關(guān)是一種高度智能化的物位測(cè)量產(chǎn)品,原理是采用先進(jìn)的射頻電容技術(shù),通過幾班電容的變化來測(cè)定物位并具有報(bào)警開關(guān)的開關(guān)器件。有單點(diǎn)、雙點(diǎn)、三點(diǎn)、四點(diǎn)可供選擇。
本文論述了IGBT的過流保護(hù)、過壓保護(hù)與過熱保護(hù)相關(guān)問題,并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法,這些方法實(shí)用性強(qiáng),保護(hù)效果好,是IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識(shí)?! GBT(
1.概述 功率MOSFET最初是從MOS集成電路發(fā)展起來的,它通過增加源漏橫向距離提高器件耐壓,從而實(shí)現(xiàn)集成電路中高壓驅(qū)動(dòng)。功率MOSFET已大量應(yīng)用于電力電子,消費(fèi)電子、
本文介紹新型的MOSFET逆變模塊,用于驅(qū)動(dòng)風(fēng)扇和水泵中的小型直流無刷電機(jī)。這種功率模塊集成了6個(gè)MOSFET和相應(yīng)的高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路 (HVIC)。通過使用專門設(shè)計(jì)的MOSFET和
全橋變換器是開關(guān)電源的基礎(chǔ)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)之一,其作用不言而喻,小編在本文將要分享的這款設(shè)計(jì)就是采用全橋變換器結(jié)構(gòu),MOSFET作為開關(guān)管來使用,采用移相ZVZCSPWM控制,即超前
逆變電源是不間斷電源、靜止航空電源、新能源發(fā)電技術(shù)等許多設(shè)備的關(guān)鍵部件。許多場(chǎng)合都要求逆變器能輸出失真度小的正弦波,因而消除諧波是逆變電源的基本要求之一。筆
電容器是我們經(jīng)常用到的電子元器件之一,其獨(dú)有的結(jié)構(gòu)使其具有了獨(dú)特的作用。那么,究竟這小小的電容器在電路中能起到什么樣的作用呢?請(qǐng)跟隨小編的腳步,去一探究竟吧。這
阿特茲在同級(jí)車?yán)锼愕蒙鲜莻€(gè)“技術(shù)控”了。除了那個(gè)讓人耳朵起繭的創(chuàng)馳藍(lán)天以外,它的i-stop和i-ELOOP也都算是不錯(cuò)的“發(fā)明創(chuàng)造”。有人說了,那不就是自動(dòng)啟停和制動(dòng)能量回
隨著人類社會(huì)對(duì)綠色能源需求的擴(kuò)大,逆變器設(shè)計(jì)成為了大勢(shì)所趨,高效可靠的逆變系統(tǒng)對(duì)功率因數(shù)校正和電流諧波抑制提出了更高的要求。本文將介紹具有功率因數(shù)校正功能的3中常