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八種電路圖讓你了解三極管基礎(chǔ)功能
本文為初學(xué)者收集整理了以下關(guān)于三極管的8款電路實(shí)例圖片，圖中清晰的展示了三極管的基本功能，希望能夠使初學(xué)者了解三極管的截止特性及其使用方法。低邊開(kāi)關(guān)高邊開(kāi)關(guān)基極電
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55 MHz至15 GHz、單芯片頻率合成器提供低相位噪聲和雜散性能
為了支持航空航天和防務(wù)、無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)鏈路、測(cè)試與測(cè)量以及衛(wèi)星終端等多種應(yīng)用，ADI公司開(kāi)發(fā)了一款集成VCO的寬帶頻率合成器，提供出色的性能和靈活性。ADF5610采用小數(shù)N分頻架構(gòu)，可產(chǎn)生57 MHz至14.6 GHz頻率并實(shí)現(xiàn)單芯片頻率合成器的最低相位噪聲性能。與使用多個(gè)窄帶、GaAs VCO和PLL的替代解決方案相比，ADF5610的功耗低50%，實(shí)現(xiàn)了更小尺寸并提供更簡(jiǎn)單的板圖設(shè)計(jì)，可降低物料清單成本并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
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基于TS-900的PXI半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)解決方案
半導(dǎo)體測(cè)試行業(yè)現(xiàn)狀電子行業(yè)正處于不斷的壓力下必須降低其制造成本。上市時(shí)間給半導(dǎo)體制造商很大的壓力，在新產(chǎn)品投入市場(chǎng)后的很短時(shí)間內(nèi)，利潤(rùn)是最高的，隨后，由于競(jìng)爭(zhēng)者
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常用EMC前級(jí)電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)分享
大家都知道，EMC 描述的是產(chǎn)品兩個(gè)方面的性能，即電磁發(fā)射/干擾EME和電磁抗擾EMS。EME中又包含傳導(dǎo)和輻射;而EMS中又包含靜電、脈沖群、浪涌等。本文將從EMS中的浪涌抗擾度的
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如何設(shè)計(jì)壓電MEMS超聲波換能器產(chǎn)品
本文為OnScale與Mentor合作推出，由行業(yè)專家撰寫(xiě)，文章詳細(xì)介紹了壓電MEMS超聲波換能器產(chǎn)品的設(shè)計(jì)過(guò)程，包括傳感器的仿真、設(shè)計(jì)以及它與整個(gè)系統(tǒng)的集成。了解系統(tǒng)我們正在開(kāi)
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基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開(kāi)關(guān)速度快、高頻性能好、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、無(wú)二次擊穿現(xiàn)象和
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TDK鋁電解電容器: 大電流能力的緊湊型單端引線式電容器系列
TDK公司(東京證券交易所代碼：6762)開(kāi)發(fā)出新系列愛(ài)普科斯(EPCOS)單端引線式鋁電解電容器B41897*系列。該系列電容器尺寸非常緊湊，具有大CV(電容值)和高紋波電流能力，額定
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用15個(gè)為什么？詳解MOS器件的重要特性
一、為什么E-MOSFET的閾值電壓隨著半導(dǎo)體襯底摻雜濃度的提高而增大?而隨著溫度的升高而下降?【答】E-MOSFET的閾值電壓就是使半導(dǎo)體表面產(chǎn)生反型層(導(dǎo)電溝道)所需要加的柵極
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Power Integrations推出全新PrimePACK 3+即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，助您加快開(kāi)發(fā)速度并增強(qiáng)穩(wěn)定性
中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域門極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號(hào)：POWI)近日推出全新即插即用型門極驅(qū)動(dòng)器，新產(chǎn)品可與英飛凌的PrimePACK™3+和富士電機(jī)同類的IGBT模塊配合使用，為兩電平和三電平應(yīng)用提供方案。SCALE-2™ 2SP0430T2XX門極驅(qū)動(dòng)板適合工業(yè)、牽引、UPS和可再生能源應(yīng)用，并且可為1200 V和1700 V IGBT模塊提供加強(qiáng)絕緣。2SP0430T2XX產(chǎn)品系列集成了眾多安全特性，例如欠壓保護(hù)(UVLO)、短路保
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IGBT開(kāi)通過(guò)程分析(三)
雜散電感對(duì)電流上升階段Vce的影響感性負(fù)載雙脈沖測(cè)試電路如下圖： 負(fù)載電感足夠大，在開(kāi)通過(guò)程中，負(fù)載電感的電流大小基本不變。理想條件下，續(xù)流二極管承受反向電壓時(shí)，
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IGBT開(kāi)通過(guò)程分析(二)
米勒平臺(tái)過(guò)程?hào)艠O電壓在上升到一定值后，會(huì)有一個(gè)柵極電壓維持水平的階段，這個(gè)電壓稱之為密勒平臺(tái)電壓。由上面分析可知，當(dāng)柵極電壓大于閾值電壓， IGBT 開(kāi)始通過(guò)正向電流
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電阻式應(yīng)變片電橋壓力傳感器的說(shuō)明與應(yīng)用解析介紹
1. 電阻式應(yīng)變片電橋壓力傳感器工作原理電阻式應(yīng)變式壓力傳感器是由電阻應(yīng)變片組成的測(cè)量電路和彈性敏感元件組合起來(lái)的傳感器。當(dāng)彈性敏感元件受到外界壓力作用時(shí)，將產(chǎn)生應(yīng)
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如何使用帶有模擬接地層和功率接地層的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器？
如何使用帶有模擬接地層(AGND)和功率接地層(PGND)的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器?這是許多開(kāi)發(fā)人員在設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)會(huì)問(wèn)的一個(gè)問(wèn)題。一些開(kāi)發(fā)人員已習(xí)慣于處理數(shù)字接地層和模擬接地層;然而，
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IGBT開(kāi)通過(guò)程分析(一)
IGBT作為具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通損耗低的電壓控制型開(kāi)關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領(lǐng)域。現(xiàn)在IGBT的使用比較關(guān)注的是較低的導(dǎo)通壓降以及低的開(kāi)關(guān)損耗。作
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什么是MOSFET
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)，譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)
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- ADI邀你共學(xué)電子尖端黑科技系列活動(dòng)（三）
- 有獎(jiǎng)活動(dòng)：貿(mào)澤電子硬件狂想設(shè)計(jì)大賽
- 學(xué)5G存儲(chǔ)知識(shí)，贏京東卡等精品好禮
- ADI邀你共學(xué)電子尖端黑科技系列活動(dòng)（二）
- 學(xué)MPS實(shí)用汽車設(shè)計(jì)，贏精品好禮
- ADI公司的A2B解決方案可解決未來(lái)的音頻設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
- 在嗎？是德科技扛著禮物來(lái)喊你下載學(xué)習(xí)啦！
- 東芝子站招募體驗(yàn)官，參與領(lǐng)打賞
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- 學(xué)習(xí)ST“電源與能源”課程，為電源設(shè)計(jì)添點(diǎn)“彩”
- 答題贏好禮：Power Integrations助力工業(yè)發(fā)展
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