高品質(zhì)的耳機(jī)頻響能夠覆蓋全音域,發(fā)燒DIY 并且可以隨心所欲使用,自得其樂(lè)不會(huì)影響他人。有了高品質(zhì)的耳機(jī)還必須有高品質(zhì)的耳機(jī)放大器,膽耳放當(dāng)然是首選。筆者一直籌備制
1.概述 MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用
在圖1(a)中, 晶體管工作于共發(fā)射極方式, 其集電極電壓通過(guò)變壓器T反饋回基極, 而變壓器繞組的接法應(yīng)實(shí)現(xiàn)正反饋。 當(dāng)電路一接通, 立即產(chǎn)生強(qiáng)烈的自激振蕩, 晶體管迅速進(jìn)入飽
簡(jiǎn)介 放大器的仿真模型通常是利用電阻、電容、晶體管、二極管、獨(dú)立和非獨(dú)立的信號(hào)源以及其它模擬元件來(lái)實(shí)現(xiàn)的。一種替代方法是使用放大器行為的二階近似(拉普拉斯轉(zhuǎn)換)
電路的功能 眾所周知,OP放大器的共模抑制比(CMRR)非常大。但是,如果共模電壓高于電源電壓,OP放大器就不能正常工作,通常當(dāng)電源電壓(VOO)為正負(fù)15V時(shí),共模電壓應(yīng)在
引 言 LNA用于接收機(jī)前端電路,主要用來(lái)放大從天線接收到的微弱信號(hào),降低噪聲干擾,其噪聲指標(biāo)直接影響接收機(jī)的靈敏度,而靈敏度是通信接收機(jī)的關(guān)鍵指標(biāo)之一,所以LNA
故障保護(hù)是所有電源控制器都有的一個(gè)重要功能。幾乎所有應(yīng)用都要求使用過(guò)載保護(hù)。對(duì)于峰值電流模式控制器而言,可以通過(guò)限制最大峰值電流來(lái)輕松實(shí)現(xiàn)這個(gè)功能。在非連續(xù)反向
1 引 言 目前,在高達(dá)數(shù)GHz的RF頻段范圍內(nèi),廣泛使用的是GaAs MESFET LNAs,其優(yōu)點(diǎn)是能夠在功率增益高達(dá)20 dB的同時(shí),使噪聲系數(shù)低至大約1 dB。但隨著CMOS電路技術(shù)的成
0 引 言 場(chǎng)致發(fā)射顯示器(Field Emission Display,F(xiàn)ED)是一種新型的平板顯示器件,被認(rèn)為是最有可能與等離子體(PDP)和液晶顯示器(LCD)相競(jìng)爭(zhēng)的平板顯示器,它具有反應(yīng)速
一、背景網(wǎng)絡(luò)隔離是很多專(zhuān)用網(wǎng)絡(luò)的沒(méi)有辦法的辦法,網(wǎng)絡(luò)上承載專(zhuān)用的業(yè)務(wù),其安全性一定要得到保障,然而網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)就是為了互通的,沒(méi)有數(shù)據(jù)的共享,網(wǎng)絡(luò)的作用也縮水了不
0 引 言 隨著集成電路技術(shù)的廣泛應(yīng)用及集成度的不斷增加,超大規(guī)模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內(nèi)部的溫度不斷提高,溫度保護(hù)電路已經(jīng)成為了眾多芯片設(shè)計(jì)中必不可少的一
0 引言隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展,電力電子裝置帶來(lái)的諧波問(wèn)題對(duì)電網(wǎng)安全、穩(wěn)定、經(jīng)濟(jì)運(yùn)行帶來(lái)了極大影響,人們急需能夠在電網(wǎng)中對(duì)所有諧波參數(shù)進(jìn)行實(shí)時(shí)準(zhǔn)確的檢測(cè)與分析。電
電力載波通信(Power line comrnunicaTIon,PLC)是電力系統(tǒng)特有的通信方式,電力載波通信是指利用現(xiàn)有電力線,通過(guò)載波方式將模擬或數(shù)字信號(hào)進(jìn)行高速傳輸?shù)募夹g(shù)。最大特點(diǎn)是
PSRR:關(guān)于開(kāi)環(huán)閉環(huán)D類(lèi)放大器 過(guò)去,電源抑制比(PSRR)就已成為一種測(cè)量放大器抑制電源輸出噪聲性能的優(yōu)異測(cè)量方法。但是,由于出現(xiàn)了越來(lái)越多的D類(lèi)放大器,以及其擁有
當(dāng)今電子系統(tǒng)必須要能夠在前所未有的高溫條件下工作。渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)、油田設(shè)備和其他各種當(dāng)代以及新一代控制應(yīng)用要求器件能在超過(guò)200℃的溫度下工作。遺憾的是,集成電路的高溫