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濾波、去耦、旁路電容作用
濾波電容用在電源整流電路中，用來濾除交流成分。使輸出的直流更平滑。 去耦電容用在放大電路中不需要交流的地方，用來消除自激，使放大器穩(wěn)定工作。 旁路電容用在
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CMOS觸發(fā)器的結(jié)構(gòu)與工作原理
CMOS D觸發(fā)器足主-從結(jié)構(gòu)形式的一種邊沿觸發(fā)器,CMOS T型觸發(fā)器、JK觸發(fā)器、計數(shù)單元、移位單元和各種時序電路都由其組成,因此儀以CMOS D觸發(fā)器為例進行說明。 圖1是用C
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一種基于CMOS工藝的電荷泵鎖相環(huán)芯片的設計
1 引 言 鎖相環(huán)路(PLL)是一種能夠跟蹤輸入信號的閉環(huán)自動相位控制系統(tǒng)，其理論基礎為自動控制理論。鎖相環(huán)具有載波跟蹤特性，可提取淹沒在噪聲之中的信號，制成高性能的
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東芝推出業(yè)界最低電容的高速數(shù)據(jù)線專用ESD保護二極管
東京-東芝公司（TOKYO:6502）日前宣布推出一款ESD[1]保護二極管“DF2B7M3SC”,其電容為同類[2]最低的0.1pF,可保護USB3.0/2.0、HDMI®、eSATA、DisplayPort、Thunderbolt
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PI新推CAPZero X電容自動放電IC
導讀：日前，Power Integrations公司（簡稱“PI”）對外宣布推出CAPZero X電容自動放電IC,CAPZero IC經(jīng)認證符合IEC CTL DSH 1080標準，可以自動實現(xiàn)X電容放電功能。日前，P
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電容降壓原理的簡單概述
電容降壓的工作原理并不復雜。他的工作原理是利用電容在一定的交流信號頻率下產(chǎn)生的容抗來限制最大工作電流例如,在50Hz的工頻條件下,一個1uF的電容所產(chǎn)生的容抗約為3180歐姆
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三種在IGBT當中的錯誤解決方案
IGBT經(jīng)常被應用在各類大功率電源當中，其好壞關系到電路的性能。本文將為大家介紹在IGBT中應用會遇見的一些問題，以及解決方法。 選用有效的過流保護驅(qū)動電路 在IGBT的
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電容容量測試儀
這是一個比較復雜的電路|0">電路，但當你做出來以后，你就有了一個可以用來測量收音機中最大容量電容|0">電容的測試儀。電容不像電阻|0">電阻把阻值標在外殼上。很多電容的
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電源設計小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇《電源設計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常
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一種基于真隨機數(shù)發(fā)生器的擴展頻譜CMOS振蕩器的設計
在現(xiàn)代開關電源的控制電路中，振蕩器|0">振蕩器對模擬電路和信號處理起著很重要的作用。在多數(shù)情況下，其工作頻率被設計為某一固定頻率或是基于一定負載的恒定值，在該工作
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低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器
引言：模擬電壓緩沖器是混合信號設計中非常重要的基本組成部件。它們主要用作信號監(jiān)聽和驅(qū)動負載。在第一種情況下，緩沖器通常連接到測試電路和要求低輸入電容的電路的內(nèi)部
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IGBT保護電路的過流保護設計方案
IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件，具有電壓高、電流大、頻率高、導通電阻小等特點，因而廣泛應用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的
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電路設計中三極管和mos管的區(qū)別
我們在做電路設計中三極管和MOS管做開關用時候有什么區(qū)別 工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管屬于電壓控制. 2、成本問題：三極管便宜，MOS管貴。 3、功耗問題：三極管損
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eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器
隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡設備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍。它們的模塊性、功率密度、可靠性和多功能性簡化了隔離式電源
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電子電路：原理圖上那么多信息，到底該怎么看？
開源硬件，一個很重要的的一點就是有開放的原理圖，通過原理圖，我們可以了解一個模塊的輸入輸出，以及使用的芯片類型從而知道使用方法等幾乎一切信息。原理圖上有很多信息
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