1.MOS管并聯(lián)的可行性分析 由下面的某顆MOS管的溫度曲線可以看出MOS管的內(nèi)阻的溫度特性是隨溫度的升高內(nèi)阻也增大,如果在并聯(lián)過(guò)程中由于某種原因(比如RDSON比較低,電流
1 背景隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)及云計(jì)算技術(shù)的發(fā)展,人們對(duì)智能生 活方式的追求越來(lái)越高。近年來(lái),各式新穎技術(shù)的提出及發(fā) 展,智能生活離我們也越來(lái)越近了。智能家居是比較熱門(mén)的 概
開(kāi)關(guān)電源的壽命很大程度受到電解電容的制約,而電解電容的壽命取決于其內(nèi)核溫升。本文從紋波電流計(jì)算、紋波電流實(shí)測(cè)、電解電容選型、溫度測(cè)試方法、壽命估算等方面,對(duì)電解
簡(jiǎn)單一點(diǎn)從生活經(jīng)驗(yàn)來(lái)說(shuō)是這樣的:今天給大家推送純干貨,就是帶開(kāi)關(guān)的五孔插座接法,在日常中簡(jiǎn)單的電工器材替換,希望對(duì)大家?guī)椭?,有困惑的就可以自己?dòng)手解決帶開(kāi)關(guān)的五
工程師在設(shè)計(jì)工作電壓高于幾百伏的設(shè)備時(shí)會(huì)遇到某些限制,這與通常的目標(biāo)背道而馳: 即在由行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)或市場(chǎng)預(yù)期確定的小體積內(nèi)實(shí)現(xiàn)盡可能多的功能,并達(dá)到最佳的性能。
平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻,并伴隨相對(duì)更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管
1、輸入電壓范圍:在環(huán)境溫度25’c下,固態(tài)繼電器能夠工作的輸入電壓范圍。2、輸入電流:在輸入電壓范圍內(nèi)某一特定電壓對(duì)應(yīng)的輸入電流值。3、接通電壓:在輸入端加該
1、電壓應(yīng)力電源電壓應(yīng)力是保證電源可靠性的一個(gè)重要指標(biāo)。在電源中有許多器件都有規(guī)定最大耐壓值,比如:場(chǎng)效應(yīng)管的Vds和Vgs、二極管的反向耐壓、IC的最大VCC電壓以及輸入
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源由于具有功耗小,效率高,體重輕等優(yōu)點(diǎn),所以在電子電力技術(shù)領(lǐng)域中占有重要地位。開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源主要由脈沖寬度調(diào)(PWM)制控制芯片、MOSFET/IGBT和變壓器構(gòu)成,
這個(gè)簡(jiǎn)單的電路能在交流電源斷電(或電壓低于50V)時(shí)發(fā)出報(bào)警聲。交流市電經(jīng)二極管D1半波整流,與電阻R1、R2、R3和R4串聯(lián)組成分壓器.在R3上分得較小電壓去控制晶體管T1與MOS
在使用MOSFET設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí),大部分人都會(huì)考慮MOSFET的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時(shí)候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個(gè)好的設(shè)
一、MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路
如今,除了邏輯元件和其他專(zhuān)用電路元件外,典型的微控制器 (MCU) 包括用作工作存儲(chǔ)器的 SRAM 和用作儲(chǔ)存存儲(chǔ)器的閃存。當(dāng)前業(yè)界遇到的閃存問(wèn)題是,要將浮柵 (FG) 的制造工藝
電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)特別是家電市場(chǎng)對(duì)系統(tǒng)的能效、尺寸和穩(wěn)健性的要求越來(lái)越高。為滿足市場(chǎng)需求,意法半導(dǎo)體針對(duì)不同的工況提供多種功率開(kāi)關(guān)技術(shù),例如, IGBT和最新的超結(jié)功率MOS
AD5766/AD5767 是 16 通道、16 位/16 位 denseDAC® 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC),采用 +2.5 V 外部基準(zhǔn)電壓源,經(jīng)配置可產(chǎn)生最小電壓 −20 V 到最大電壓 +14 V 的多種輸出電壓范圍,同時(shí)提供每通道最高 20 mA 的輸出電流。