1 EDA技術(shù)的基本概念EDA是電子設(shè)計自動化(Electronic Design AutomaTIon)的縮寫,是從CAD(計算機輔助設(shè)計)、CAM(計算機輔助制造)、CAT(計算機輔助測試)和CAE(計算機輔助工程
RFID RC522和PN532的區(qū)別簡單的說,就是協(xié)議支持的類型 PN 比RC系列更多。 PN支持NFC協(xié)議,RC主要是支持ISO14443A/B。RC522是一款NXP 公司的支持ISO14443A協(xié)議的高頻的射頻
新的愛普科斯負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻是由TDK-EPC以基于晶片的制造工藝開發(fā)的,可以非常簡單地整合入功率半導(dǎo)體元件。允許執(zhí)行可靠的溫度監(jiān)控功能,保護昂貴的電子設(shè)備免于故障或損壞。傳統(tǒng)的陶瓷NTC(負(fù)溫度系數(shù))熱敏電阻對溫度測量是理想的,同時也是符合成本效益的元件。
射頻識別技術(shù)是一種非接觸的自動識別技術(shù)。它是由電子標(biāo)簽(Tag/Transponder)、讀寫器(Reader/Interrogator)及中間件(Middle-Ware)~部分組成的一種短距離無線通信系統(tǒng)。射頻
OTG的時候用的。檢測ID腳狀態(tài)高低,從而判斷為主設(shè)備或從設(shè)備。 OTG檢測的原理是:USB OTG標(biāo)準(zhǔn)在完全兼容USB2.0標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)上,增添了電源管理(節(jié)省功耗)功能,它允許設(shè)備
有很多令人困惑的規(guī)格都與轉(zhuǎn)換器帶寬有關(guān)。為了在新的設(shè)計中選用適當(dāng)?shù)霓D(zhuǎn)換器,我應(yīng)當(dāng)使用什么帶寬術(shù)語呢?
這周檢查水泵變頻器的電路,定稿用,發(fā)現(xiàn)數(shù)碼管的控制三極管,基極竟然沒有串聯(lián)電阻,這會導(dǎo)致單片機的IO燒壞,雖然之前出了測試用的變頻器沒有問題,那是因為所選用的單片
三端穩(wěn)壓管簡介三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。穩(wěn)壓管在反向擊穿時,在一定的電流范圍內(nèi)(或者說在一定功率損耗范圍內(nèi)),端電壓幾乎不
下圖顯示了鋁電解電容的基本結(jié)構(gòu),它由陽極( anode )、在絕緣介質(zhì)上附著的氧化鋁構(gòu)成的鋁層,接收極的陰極鋁層,和真正的由電解液構(gòu)成的陰極。電解液浸透在兩個鋁層間的紙上
之所以說晶振是數(shù)字電路的心臟,就是因為所有的數(shù)字電路都需要一個穩(wěn)定的工作時鐘信號,最常見的就是用晶振來解決,可以說只要有數(shù)字電路的地方就可以見到晶振。晶振概述我
顧名思義,鎖相環(huán)(PLL)使用鑒相器比較反饋信號與參考信號,將兩個信號的相位鎖定在一起。雖然這種特性有許多用武之地,但是PLL如今最常用于頻率合成,通常充當(dāng)上變頻器/下變
通過對單管共射放大電路的分析和計算,使得放大電路的組成原則更明確和具體了。放大的關(guān)鍵是發(fā)揮晶體管的控制作用。在共射電路中,晶體管的b-e為輸入端,c-e為輸出端,利用
一、基于乘積項(Product-Term)的PLD結(jié)構(gòu)采用這種結(jié)構(gòu)的PLD芯片有:Altera的MAX7000,MAX3000系列(EEPROM工藝),Xilinx的XC9500系列(Flash工藝)和LatTIce,Cypress的大部分產(chǎn)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新系列加固型ENYCAPTM電雙層儲能電容器---225 EDLC-R ENYCAP,用于條件惡劣、高濕度的環(huán)境中的能量采集和備用電源。Vishay BCcomponents 225 EDLC-R ENYCAP是業(yè)內(nèi)首顆在+85℃下使用壽命達(dá)到2000小時的產(chǎn)品,通過了帶電的85/85 1000小時測試,耐潮濕能力達(dá)到最高等級。
只要問任何經(jīng)驗豐富的電氣工程師——如我們故事里的教授 Gureux——在 MOSFET 柵極前要放什么,你很可能會聽到“一個約 100 Ω 的電阻?!彪m然我們對這個問題的答案非??隙?,但人們?nèi)匀粫枮槭裁?,并且想知道具體的作用和電阻值。為了滿足人們的這種好奇心,我們接下來將通過一個例子探討這些問題。年輕的應(yīng)用工程師 Neubean 想通過實驗證明,為了獲得穩(wěn)定性,是不是真的必須把一個 100 Ω 的電阻放在MOSFET柵極前。擁有 30 年經(jīng)驗的應(yīng)用工程師 Gureux 對他的實驗進行了監(jiān)督,并全程提供專