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三菱電機(jī)投資興建6英寸晶圓生產(chǎn)線擴(kuò)大碳化硅功率器件產(chǎn)量
三菱電機(jī)半導(dǎo)體首席技術(shù)執(zhí)行官Gourab Majumdar博士日前表示，為了提高三菱電機(jī)(www.MitsubishiElectric-mesh.com)旗下碳化硅功率器件的市場(chǎng)滲透率，公司已經(jīng)開始投資興建6英寸晶圓生產(chǎn)線來(lái)擴(kuò)產(chǎn)，再配合創(chuàng)新技術(shù)向市場(chǎng)推出更多采用碳化硅芯片的功率器件新產(chǎn)品。
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產(chǎn)業(yè)“新發(fā)動(dòng)機(jī)” 第三代半導(dǎo)體發(fā)展迅速
“到2030年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)力爭(zhēng)全產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)入世界先進(jìn)行業(yè)，部分核心關(guān)鍵技術(shù)國(guó)際引領(lǐng)，核心環(huán)節(jié)有1至3家世界龍頭企業(yè)，國(guó)產(chǎn)化率超過(guò)70%。”這是日前在京舉辦的第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)上，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲所描述的我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來(lái)的發(fā)展前景。
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萬(wàn)用表如何測(cè)量二極管？
1、二極管的特性二極管的英文是diode。二極管的正。負(fù)二個(gè)端子，(如圖1)正端A稱為陽(yáng)極，負(fù)端B稱為陰極。電流只能從陽(yáng)極向陰極方向移動(dòng)。 2、如何用萬(wàn)用表測(cè)量二極管的正負(fù)
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一文了解MEMS晶圓級(jí)測(cè)試系統(tǒng)
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)屬于21 世紀(jì)前沿技術(shù)，是對(duì)MEMS加速度計(jì)、MEMS 陀螺儀及慣性導(dǎo)航系統(tǒng)的總稱。MEMS 器件特征尺寸從毫米、微米甚至到納米量級(jí)，涉及機(jī)械、電子、化學(xué)、物理、
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簡(jiǎn)析芯片反向設(shè)計(jì)流程
什么是芯片反向設(shè)計(jì)?反向設(shè)計(jì)其實(shí)就是芯片反向設(shè)計(jì)?，它是通過(guò)對(duì)芯片內(nèi)部電路的提取與分析、整理，實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片技術(shù)原理、設(shè)計(jì)思路、工藝制造、結(jié)構(gòu)機(jī)制等方面的深入洞悉，可
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三維鰭式GaN高線性微波功率器件技術(shù)獲重要突破
中國(guó)電科(CETC)第五十五研究所(NEDI)微信公眾號(hào)4月12日?qǐng)?bào)道，該所重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室張凱博士發(fā)表在國(guó)際半導(dǎo)體器件權(quán)威期刊《IEEE Electron DeviceLetters》上的論文《High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications》即《三維鰭式GaN高線性微波功率器件》被國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)著名雜志《Semiconductor Today》進(jìn)行專欄報(bào)道，受到國(guó)內(nèi)外業(yè)界關(guān)注。
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功率器件MOSFET開關(guān)過(guò)程大揭秘
功率器件MOSFET作為一種在開關(guān)電源新產(chǎn)品研發(fā)過(guò)程中不可或缺的重要元件，歷來(lái)是新人工程師開始接觸電源設(shè)計(jì)時(shí)的學(xué)習(xí)重點(diǎn)之一，而弄清楚MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程則是重中之重。本文將會(huì)就功率MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)分析和總結(jié)。
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PET背板，創(chuàng)新還是“創(chuàng)心”
背板作為晶硅的關(guān)鍵部件，對(duì)組件的安全性、使用壽命和降低功率衰減起著至關(guān)重要的作用。要達(dá)到保護(hù)電池片的目的，背板必須具備良好的機(jī)械強(qiáng)度與韌性、耐候性、絕緣、水汽阻
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正激各種磁復(fù)位優(yōu)缺點(diǎn)：三繞組、RCD、有緣鉗位、雙管正激
概述單端變換器的磁復(fù)位技術(shù)使用單端隔離變壓器之后，變壓器磁芯如何在每個(gè)脈動(dòng)工作磁通之后都能恢復(fù)到磁通起始值，這是產(chǎn)生的新問(wèn)題，稱為去磁復(fù)位問(wèn)題。因?yàn)榫€圈通過(guò)的是
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PCB失效分析技術(shù)大全
作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~，PCB已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的最為重要而關(guān)鍵的部分，其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定了整機(jī)設(shè)備的質(zhì)量與可靠性。但是由于成本以及技
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如何理解天線駐波比
電壓駐波比(VSWR)是射頻技術(shù)中最常用的參數(shù)，用來(lái)衡量部件之間的匹配是否良好。當(dāng)業(yè)余無(wú)線電愛好者進(jìn)行聯(lián)絡(luò)時(shí)，當(dāng)然首先會(huì)想到測(cè)量一下天線系統(tǒng)的駐波比是否接近1:1，如果接
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晶振與負(fù)載電容怎么搭配才好
晶振的老搭檔負(fù)載電容分為C1和C2兩個(gè)貼片電容，負(fù)載電容的作用就是消減其他雜波所帶來(lái)的干擾，從而提高電路的穩(wěn)定性。大家在選擇負(fù)載電容時(shí)，可以按照電容的具體大小計(jì)算公
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功率電阻的散熱設(shè)計(jì)
TO/SOT封裝的功率電阻已經(jīng)被廣泛的使用于汽車電子，新能源，電力等場(chǎng)合。相比較傳統(tǒng)的線繞電阻，TO/SOT封裝的電阻具有小體積和無(wú)感的特性。大部分TO/SOT封裝的電阻都采用厚
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單片機(jī)RAM測(cè)試故障方法有幾種？
在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，芯片存儲(chǔ)器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對(duì)系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測(cè)試是十分必要的。通過(guò)測(cè)試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因
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新的集成DAC如何提效并減少模擬量輸出模塊中的電路板空間
工業(yè)4.0已經(jīng)徹底改變了制造業(yè)，改變了工廠的設(shè)計(jì)和實(shí)施方式。在工廠自動(dòng)化和過(guò)程控制應(yīng)用中，Industry 4.0的影響歸結(jié)為兩個(gè)基本概念：分散式系統(tǒng)和智能確定性系統(tǒng)的擴(kuò)散。分
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