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大連宇宙8英寸功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目年底投產(chǎn)

大連宇宙半導(dǎo)體即將面世的新產(chǎn)品——功率半導(dǎo)體器件，被稱為“電力電子行業(yè)的CPU”，廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、智能家電、軌道交通等領(lǐng)域。由于缺乏研發(fā)制造核心芯片的能力，目前國(guó)內(nèi)主要依靠進(jìn)口。而宇宙半導(dǎo)體的項(xiàng)目一旦建成，不僅會(huì)讓公司實(shí)現(xiàn)二次飛躍，也對(duì)促進(jìn)國(guó)家相關(guān)行業(yè)的發(fā)展具有戰(zhàn)略意義。

功率器件
2017-06-07

功率半導(dǎo)體電源技術(shù)解析大連宇宙8英寸功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目
電容式傳感器的分類、優(yōu)缺點(diǎn)和電容式傳感器的測(cè)量轉(zhuǎn)換電路

電容式傳感器是以各種類型的電容器作為傳感元件，將被測(cè)物理量或機(jī)械量轉(zhuǎn)換成為電容量變化的一種轉(zhuǎn)換裝置，實(shí)際上就是一個(gè)具有可變參數(shù)的電容器。電容式傳感器廣泛用于位移

功率器件
2017-06-06

放大器電源技術(shù)解析
IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測(cè)方法

IGBT的工作原理和作用IGBT就是一個(gè)開關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當(dāng)柵源極加+12V(大于6V，一般取12V到15V)時(shí)IGBT導(dǎo)通，柵源極不加電壓或

功率器件
2017-06-06

二極管電源技術(shù)解析
EPC推出比等效MOSFET小型化12倍的200 V氮化鎵功率晶體管

21IC訊宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出面向多種應(yīng)用的EPC2046功率晶體管，包括無線充電、多級(jí)AC/DC電源供電、機(jī)械人應(yīng)用、太陽能微型逆變器及具低電感的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器。EPC2046的額定電壓為200 V、最大導(dǎo)通電阻RDS(on)為25 mΩ、脈沖輸出電流為55 A。

功率器件
2017-06-06

epc MOSFET 氮化鎵功率晶體管電源新品
關(guān)于去耦電容的選擇

去耦電容的選擇不存在與頻率的精確對(duì)應(yīng)關(guān)系，理論上越大越好，但現(xiàn)實(shí)中所有器件都不是理想器件，不論何種電容，ESL、ESR都是必然存在的，于是實(shí)際電容的頻響曲線明顯呈非線

功率器件
2017-06-06

去耦電容電源技術(shù)解析
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用、工作特性與使用要求

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用：IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到

功率器件
2017-06-05

電源技術(shù)解析
振蕩器自生振蕩分析之反饋理論與barkhausen準(zhǔn)則

振蕩器概述振蕩器簡(jiǎn)單地說就是一個(gè)頻率源，一般用在鎖相環(huán)中。詳細(xì)說就是一個(gè)不需要外信號(hào)激勵(lì)、自身就可以將直流電能轉(zhuǎn)化為交流電能的裝置。一般分為正反饋和負(fù)阻型兩種。

功率器件
2017-06-05

電源技術(shù)解析
數(shù)字示波器的特殊用法

因具有波形觸發(fā)、存儲(chǔ)、顯示、測(cè)量、波形數(shù)據(jù)分析處理等獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)，其使用日益普及。由于數(shù)字示波器與模擬示波器之間存在較大的性能差異，如果使用不當(dāng)，會(huì)產(chǎn)生較大的測(cè)量誤

功率器件
2017-06-05

電源技術(shù)解析
淺談示波器探頭的分類及對(duì)測(cè)量的影響

對(duì)于來說，其輸入接口一般是BNC或者3.5mm等同軸接口。如果被測(cè)件的輸出使用的是類似的同軸接口連接器，可以通過電纜直接連接示波器;而如果要測(cè)試的是PCB板上的信號(hào)，或者被

功率器件
2017-06-05

測(cè)量電源技術(shù)解析
毫米波測(cè)量技術(shù)及采用高性能混頻器的優(yōu)點(diǎn)

1、介紹當(dāng)前最有吸引力的毫米波應(yīng)用主要在E頻段與V頻段。E頻段對(duì)應(yīng)于60GHz～90GHz的頻率范圍，在此頻段上由于大氣衰減的影響只能采取視線傳輸(LOS)方式。實(shí)際上，很多大氣中

功率器件
2017-06-05

電源技術(shù)解析
嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的三個(gè)層次

一、嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法變化的背景嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法的演化總的來說是因?yàn)閼?yīng)用需求的牽引和IT技術(shù)的推動(dòng)。隨著微電子技術(shù)的不斷創(chuàng)新和發(fā)展，大規(guī)模集成電路的集成度和工藝

功率器件
2017-06-02

電源技術(shù)解析
細(xì)說COB封裝的優(yōu)劣勢(shì)及工藝

什么是COB?其全稱是chip-on-board，即板上芯片封裝，是一種區(qū)別于SMD表貼封裝技術(shù)的新型封裝方式，具體是將裸芯片用導(dǎo)電或非導(dǎo)電膠粘附在PCB上，然后進(jìn)行引線鍵合實(shí)現(xiàn)其電氣

功率器件
2017-06-01

電源技術(shù)解析
三大常見電路保護(hù)器件詳解

電路保護(hù)主要有兩種形式：過壓保護(hù)和過流保護(hù)。選擇適當(dāng)?shù)碾娐繁Ｗo(hù)器件是實(shí)現(xiàn)高效、可靠電路保護(hù)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵，涉及到電路保護(hù)器件的選型，我們就必須要知道各電路保護(hù)器件的

功率器件
2017-06-01

電源技術(shù)解析
選用氣體放電管的原則

1、氣體放電管的加入不能影響線路的正常工作，這就要保證氣體放電管的直流擊穿電壓的下限值必須高于線路的最大正常工作電壓，據(jù)此確定所需放電管的標(biāo)稱直流擊穿電壓值。2、

功率器件
2017-06-01

直流電源技術(shù)解析
基于LDC1000和Kinetis微控制器的金屬探測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

本文以LDC1000傳感器以及飛思卡爾Kinetis系列微控制器K60為核心，組成具有定位功能的金屬探測(cè)系統(tǒng)。通過金屬的渦流效應(yīng)對(duì)金屬物體進(jìn)行檢測(cè)，能夠在一定范圍內(nèi)迅速定位出金屬

功率器件
2017-05-31

傳感器電源技術(shù)解析

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電源

大連宇宙8英寸功率半導(dǎo)體器件項(xiàng)目年底投產(chǎn)

電容式傳感器的分類、優(yōu)缺點(diǎn)和電容式傳感器的測(cè)量轉(zhuǎn)換電路

IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測(cè)方法

EPC推出比等效MOSFET小型化12倍的200 V氮化鎵功率晶體管

關(guān)于去耦電容的選擇

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用、工作特性與使用要求

振蕩器自生振蕩分析之反饋理論與barkhausen準(zhǔn)則

數(shù)字示波器的特殊用法

淺談示波器探頭的分類及對(duì)測(cè)量的影響

毫米波測(cè)量技術(shù)及采用高性能混頻器的優(yōu)點(diǎn)

嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的三個(gè)層次

細(xì)說COB封裝的優(yōu)劣勢(shì)及工藝

三大常見電路保護(hù)器件詳解

選用氣體放電管的原則

基于LDC1000和Kinetis微控制器的金屬探測(cè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

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