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數(shù)字電源、模擬電源、開(kāi)關(guān)電源你能區(qū)分嗎？

在電源設(shè)計(jì)中我們?nèi)绾芜x擇電源模塊，那么選擇的前提是，我們得了解各種電源，了解各種電源的區(qū)別，那樣我們才可以正確的選擇電源模塊。什么是模擬電源模擬電源：即變壓器電

功率器件
2016-10-20

開(kāi)關(guān)電源數(shù)字電源模擬電源電源技術(shù)解析
Diodes推出可編程調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器AL3050

Diodes公司推出AL3050電流模式升壓型LED驅(qū)動(dòng)器，為便攜式設(shè)備的LED背光提供可編程亮度功能。這款產(chǎn)品具有先進(jìn)的調(diào)光特點(diǎn)、小尺寸、低BOM成本和高效率的優(yōu)點(diǎn)，非常適合帶有小

功率器件
2016-10-20

diodes led驅(qū)動(dòng)器電源新品
ADI推出具有電源質(zhì)量分析功能的高集成度三相模擬前端AFE

Analog Devices, Inc.(ADI)今日宣布推出一款具有電源質(zhì)量分析功能的高集成度三相模擬前端(AFE)，旨在幫助延長(zhǎng)工業(yè)設(shè)備的正常工作時(shí)間和使用壽命，相比定制解決方案而言，可

功率器件
2016-10-19

adi 模擬前端電源新品電源質(zhì)量分析
OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷

英飛凌科技股份公司發(fā)布針對(duì)高能效設(shè)計(jì)和應(yīng)用的OptiMOS™ 5 150 V產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品家族進(jìn)一步壯大了行業(yè)領(lǐng)先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的陣容。新的150

功率器件
2016-10-19

optimos 導(dǎo)通電阻電源新品反向恢復(fù)電荷
Littelfuse的緊湊型瞬態(tài)抑制二極管可保護(hù)敏感型電子設(shè)備免受應(yīng)電壓雷擊感瞬變和其他電壓瞬變損害

Littelfuse, Inc.(NASDAQ:LFUS)今天宣布推出了專(zhuān)為保護(hù)敏感便攜式、緊湊電子設(shè)備免受電壓瞬變損害的瞬態(tài)抑制二極管產(chǎn)品系列。 SMF3.3系列瞬態(tài)抑制二極管采用超小型、小尺寸

功率器件
2016-10-18

littelfuse 瞬態(tài)抑制二極管電源新品
英飛凌RC-E系列單管IGBT可直接升級(jí)現(xiàn)有設(shè)計(jì)，樹(shù)立性價(jià)比新基準(zhǔn)

2016年10月17日，德國(guó)慕尼黑訊——感應(yīng)加熱電器通常采用諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，需要單管IGBT在18 kHz至40 kHz的開(kāi)關(guān)頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)出最佳性能。英飛凌科技股份公司(FSE:

功率器件
2016-10-18

英飛凌 igbt 電源新品
獲得2MHz開(kāi)關(guān)頻率的四種設(shè)計(jì)技巧

設(shè)計(jì)人員必須滿足汽車(chē)應(yīng)用的許多電磁兼容性(EMC)要求，并且為電源選擇正確的開(kāi)關(guān)頻率(fsw)對(duì)滿足這些要求至關(guān)重要。大多數(shù)設(shè)計(jì)人員在中波AM廣播頻帶外(通常為400kHz或2MHz)

功率器件
2016-10-17

轉(zhuǎn)換器電源技術(shù)解析
七種常用可控開(kāi)關(guān)器件，再也不怕分不清了！

今天我們從器件對(duì)觸發(fā)信號(hào)波形的要求、開(kāi)關(guān)頻率、單雙極、主要優(yōu)、缺點(diǎn)方面考慮，介紹七種可控開(kāi)關(guān)器件：BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SIT。1 BJT電流型全控器件;正

功率器件
2016-10-17

功率電源技術(shù)解析
解析通訊組件：由基帶、中頻、射頻零部件

無(wú)線通訊的頻譜有限，分配非常嚴(yán)格，相同頻寬的電磁波只能使用一次，為了解決僧多粥少的難題，工程師研發(fā)出許多“調(diào)變技術(shù)”(Modulation)與“多任務(wù)技術(shù)&rd

功率器件
2016-10-17

放大器功率電源技術(shù)解析
IGBT的基礎(chǔ)與運(yùn)用

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET(輸入級(jí))和PNP晶體管(輸出級(jí))復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)(控制和響應(yīng))，又有雙極型

功率器件
2016-10-17

電源技術(shù)解析
關(guān)于MOS管失效的六大原因

MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)

功率器件
2016-10-14

電源技術(shù)解析
電源地與信號(hào)地關(guān)系的詳細(xì)解析

電源地主要是針對(duì)電源回路電流所走的路徑而言的，一般來(lái)說(shuō)電源地流過(guò)的電流較大，而信號(hào)地主要是針對(duì)兩塊芯片或者模塊之間的通信信號(hào)的回流所流過(guò)的路徑，一般來(lái)說(shuō)信號(hào)地流

功率器件
2016-10-14

電源技術(shù)解析
繼電器觸點(diǎn)保護(hù)和觸點(diǎn)的事項(xiàng)

看到一張網(wǎng)上的圖描述觸點(diǎn)的接通時(shí)間的過(guò)程分析的，非常不錯(cuò)，先放在這里。我們知道其實(shí)繼電器的觸點(diǎn)保護(hù)要比Mosfet更加殘酷，一般繼電器的負(fù)載要比MOSFET大很多。常見(jiàn)的

功率器件
2016-10-14

二極管電源技術(shù)解析
鉭電容的三宗罪

引言看到某某的電容爆炸了，我也想就一些問(wèn)題給予一些補(bǔ)充，因?yàn)檫@玩意是很危險(xiǎn)的，先上圖一張。這是在網(wǎng)上收集到的恐怖的一幕，鉭電容爆炸了，它會(huì)發(fā)明火，所以很多廠家都

功率器件
2016-10-14

電源技術(shù)解析
聲矢量傳感器研究進(jìn)展

聲矢量傳感器由傳統(tǒng)的無(wú)指向性聲壓傳感器和偶極子指向性質(zhì)點(diǎn)振速傳感器復(fù)合而成,可以同步共點(diǎn)測(cè)量聲場(chǎng)中一點(diǎn)處的聲壓和質(zhì)點(diǎn)振速若干正交分量,由此得到的幅度和相位信息為解

功率器件
2016-10-13

電源技術(shù)解析

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Diodes推出可編程調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器AL3050

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OptiMOS 5 150 V大幅降低導(dǎo)通電阻和反向恢復(fù)電荷

Littelfuse的緊湊型瞬態(tài)抑制二極管可保護(hù)敏感型電子設(shè)備免受應(yīng)電壓雷擊感瞬變和其他電壓瞬變損害

英飛凌RC-E系列單管IGBT可直接升級(jí)現(xiàn)有設(shè)計(jì)，樹(shù)立性價(jià)比新基準(zhǔn)

獲得2MHz開(kāi)關(guān)頻率的四種設(shè)計(jì)技巧

七種常用可控開(kāi)關(guān)器件，再也不怕分不清了！

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