一、既然浪涌保護(hù)器實(shí)際就是壓敏電阻,具有高通低阻的特性。當(dāng)電網(wǎng)在不超過(guò)最大持續(xù)運(yùn)行電壓的情況下運(yùn)行時(shí),兩個(gè)電極之間呈高阻狀態(tài)。如果電網(wǎng)因雷擊或者操作過(guò)電壓使兩個(gè)
MEMS加速度計(jì)原理技術(shù)成熟的MEMS加速度計(jì)分為三種:壓電式、容感式、熱感式。壓電式MEMS加速度計(jì)運(yùn)用的是壓電效應(yīng),在其內(nèi)部有一個(gè)剛體支撐的質(zhì)量塊,有運(yùn)動(dòng)的情況下質(zhì)量塊會(huì)
誤區(qū)一:認(rèn)為差分信號(hào)不需要地平面作為回流路徑,或者認(rèn)為差分走線彼此為對(duì)方提供回流途徑。造成這種誤區(qū)的原因是被表面現(xiàn)象迷惑,或者對(duì)高速信號(hào)傳輸?shù)臋C(jī)理認(rèn)識(shí)還不夠深入
電磁屏蔽一般可分為三種:靜電屏蔽、靜磁屏蔽和高頻電磁場(chǎng)屏蔽。三種屏蔽的目的都是防止外界的電磁場(chǎng)進(jìn)入到某個(gè)需要保護(hù)的區(qū)域中,原理都是利用屏蔽對(duì)外場(chǎng)的感應(yīng)產(chǎn)生的效應(yīng)
一、既然浪涌保護(hù)器實(shí)際就是壓敏電阻,具有高通低阻的特性。當(dāng)電網(wǎng)在不超過(guò)最大持續(xù)運(yùn)行電壓的情況下運(yùn)行時(shí),兩個(gè)電極之間呈高阻狀態(tài)。如果電網(wǎng)因雷擊或者操作過(guò)電壓使兩個(gè)
遲滯比較器又可理解為加正反饋的單限比較器。 單限比較器,如果輸入信號(hào)Uin在門限值附近有微小的干擾,則輸出電壓就會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的抖動(dòng)(起伏)。在電路中引入正反饋可以克服這
摘 要:本文首先介紹了高速串行鏈路設(shè)計(jì)中AC耦合電容阻抗優(yōu)化的重要性,然后闡述如何利用Xpeedic芯禾科技公司旗下軟件ViaExpert對(duì)AC耦合電容設(shè)計(jì)進(jìn)行前仿真,然后指導(dǎo)后續(xù)
本文為你詮釋PCB正片和負(fù)片的區(qū)別,PCB正片負(fù)片輸出、制作工藝上的區(qū)別與差異,以及PCB負(fù)片使用場(chǎng)合,有什么好處等問(wèn)題,在這里你都可以找到答案。PCB正片和負(fù)片的區(qū)別:PC
隨著無(wú)線傳感器技術(shù)的日益成熟和社會(huì)發(fā)展與建設(shè)中對(duì)傳感器的大量使用,體積小,功耗低,穩(wěn)定度與靈敏度高的無(wú)線傳輸裝置的需求也越來(lái)越高。本文設(shè)計(jì)了一種基于NRF403收發(fā)一
在TI不斷推出的“技術(shù)前沿”系列博客中,一批TI最優(yōu)秀的人才討論當(dāng)今最大的技術(shù)趨勢(shì)以及如何應(yīng)對(duì)未來(lái)挑戰(zhàn)等問(wèn)題。相較于先前使用的硅晶體管,氮化鎵(GaN)可以讓
定位是感知應(yīng)用的一個(gè)重要屬性。在室內(nèi)環(huán)境中,如果位置信息可用并非??煽?,有更多的應(yīng)用場(chǎng)景可以實(shí)現(xiàn)的。行人航位推算(PDR) 就是這樣一種技術(shù),在室內(nèi)環(huán)境中可提供行人航
1、為了區(qū)別主電路與控制電路,在繪線路圖時(shí)主電路(電機(jī)、電器及連接線等),用粗線表示,而控制電路(電器及連接線等)用細(xì)線表示。通常習(xí)慣將主電路放在線路圖的左邊(或上部
作為電子電路,變頻器本身也要耗電(約額定功率的3-5%)。一臺(tái)1.5匹的空調(diào)自身耗電算下來(lái)有20-30W,相當(dāng)于一盞長(zhǎng)明燈。變頻器在工頻下運(yùn)行,具有節(jié)電功能,是事實(shí)。但前提條件
矢量信號(hào)分析儀是常用的進(jìn)行雷達(dá)和無(wú)線通訊信號(hào)分析的儀器。模擬掃描調(diào)諧式頻譜分析儀使用超外差技術(shù)覆蓋廣泛的頻率范圍;從音頻、微波直到毫米波頻率??焖俑盗⑷~變換 (FFT
SM7534P是一款單級(jí)、帶有源高功率因數(shù)校正的高精度高效率的原邊反饋LED恒流驅(qū)動(dòng)電源芯片。采用我司的恒流控制技術(shù),輸入無(wú)需電解電容。適用于85Vac~265Vac全范圍輸入電壓,