在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,芯片作為核心部件,其性能和穩(wěn)定性直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行質(zhì)量。而電源作為芯片正常工作的能量來源,其質(zhì)量對(duì)芯片的影響至關(guān)重要。紋波作為電源質(zhì)量的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo),廣泛存在于各類電源輸出中,對(duì)芯片的邏輯關(guān)系有著復(fù)雜且重要的影響。深入研究紋波對(duì)芯片邏輯關(guān)系的影響機(jī)制,對(duì)于優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)、提高電子系統(tǒng)的可靠性具有重要意義。
通過PCB板本身散熱目前廣泛應(yīng)用的PCB板材是覆銅/環(huán)氧玻璃布基材或酚醛樹脂玻璃布基材,還有少量使用的紙基覆銅板材。
在現(xiàn)代電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中,PCB(印刷電路板)承擔(dān)著至關(guān)重要的角色,尤其是在進(jìn)行大電流傳輸時(shí)。
近年來,又出現(xiàn)了另一類數(shù)據(jù)密集處理型芯片DSP。DSP由于其特殊的結(jié)構(gòu)、專門的硬件乘法器和特殊的指令,使其能快速地實(shí)現(xiàn)各種數(shù)字信號(hào)處理及滿足各種高實(shí)時(shí)性要求。
在電力電子變換器的廣闊領(lǐng)域中,雙向 DCDC 諧振變換器猶如一顆璀璨的明星,憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),如高效的能量轉(zhuǎn)換、良好的電氣隔離性能以及靈活的功率雙向流動(dòng)能力,在新能源發(fā)電、電動(dòng)汽車、儲(chǔ)能系統(tǒng)等諸多前沿領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而,當(dāng)我們深入觀察這一領(lǐng)域的研究趨勢(shì)時(shí),會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)有趣的現(xiàn)象:相較于其他類型的雙向 DCDC 變換器,電流饋電型雙向 DCDC 諧振變換器的研究熱度近年來逐漸降低,相關(guān)的研究成果和文獻(xiàn)數(shù)量也相對(duì)較少。這一現(xiàn)象背后究竟隱藏著怎樣的原因呢?本文將深入剖析,探究其背后的深層次因素。
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的今天,電氣和電子設(shè)備廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。然而,復(fù)雜的電磁環(huán)境對(duì)這些設(shè)備的正常運(yùn)行構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。浪涌(沖擊)作為一種常見且具有破壞性的電磁干擾現(xiàn)象,可能導(dǎo)致設(shè)備故障、性能下降甚至損壞。因此,電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)中的浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)顯得尤為重要。
原理圖是連接產(chǎn)品的概念性設(shè)計(jì)(方案框圖)和最終的以PCBA形式的物理呈現(xiàn)之間的橋梁,因此它一定要準(zhǔn)確、完整。
在電子電路的世界里,電感是一種不可或缺的元件,它如同一個(gè) “電慣性” 的守護(hù)者,默默影響著電路中電流的變化。電感量與流過電感的電流之間存在著復(fù)雜而精妙的關(guān)系,深入理解這種關(guān)系,對(duì)于掌握電路原理、設(shè)計(jì)電子設(shè)備以及解決實(shí)際電路問題都有著重要意義。
在現(xiàn)代電子設(shè)備的電源電路中,整流橋扮演著至關(guān)重要的角色,其作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,為各類電子元件提供穩(wěn)定的直流電源。從日常使用的手機(jī)充電器,到工業(yè)領(lǐng)域的大型設(shè)備,整流橋的身影無處不在。然而,面對(duì)市場(chǎng)上眾多不同電流等級(jí)的普通整流橋,如何根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行合理選型,成為了電子工程師和相關(guān)技術(shù)人員必須掌握的技能。本文將圍繞從 1A 到 35A 的電流范圍,深入探討普通整流橋的選型方法與要點(diǎn)。
在這篇文章中,小編將對(duì)電源的相關(guān)內(nèi)容和情況加以介紹以幫助大家增進(jìn)對(duì)它的了解程度,和小編一起來閱讀以下內(nèi)容吧。
電源將是下述內(nèi)容的主要介紹對(duì)象,通過這篇文章,小編希望大家可以對(duì)它的相關(guān)情況以及信息有所認(rèn)識(shí)和了解,詳細(xì)內(nèi)容如下。
在半導(dǎo)體技術(shù)持續(xù)向納米尺度推進(jìn)的過程中,晶體管結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新成為突破物理極限的關(guān)鍵。從FinFET到GAA(全環(huán)繞柵極)晶體管的技術(shù)迭代,本質(zhì)上是對(duì)量子隧穿效應(yīng)、短溝道效應(yīng)等微觀物理現(xiàn)象的主動(dòng)應(yīng)對(duì)。GAA晶體管通過納米片或納米線結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)柵極對(duì)溝道的四面包裹,而FinFET則依賴三維鰭片結(jié)構(gòu)抑制漏電流。兩者在技術(shù)路徑上的差異,折射出半導(dǎo)體行業(yè)在追求更高集成度與更低功耗過程中面臨的深層挑戰(zhàn)。
存儲(chǔ)器是一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的集成電路。存儲(chǔ)器的架構(gòu)可以分為靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)等類型。
?恒流驅(qū)動(dòng)方式?是一種通過控制恒定的電流來實(shí)現(xiàn)LED亮度和色彩穩(wěn)定控制的電路驅(qū)動(dòng)方式。它廣泛應(yīng)用于LED照明、背光源和電子顯示屏等領(lǐng)域。
鋰離子電池的能量密度比鈉離子電池高。這意味著鋰離子電池可以存儲(chǔ)更多的能量,并且可以在相同大小和重量的電池中提供更長(zhǎng)的電池壽命。