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電感器: 緊湊型SMT大電流扼流圈
TDK公司現(xiàn)有的ERU19系列扼流圈已擴(kuò)展至十余種不同型號，進(jìn)一步完善了其愛普科斯 (EPCOS) ERU SMT功率電感器的產(chǎn)品組合。新ERU扼流圈的電感值為1.0 μH ～ 30 μH，飽和
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基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC
氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項(xiàng)打開了大門。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓?fù)?。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓?fù)湎啾?，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導(dǎo)體開關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機(jī)被構(gòu)造
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小功率三極管自動判斷管腳的電路設(shè)計(jì)方案
在電子技術(shù)中，三極管是使用極其普遍的一種元器件，三級管的參數(shù)與許多電參量的測量方案、測量結(jié)果都有十分密切的關(guān)系，因此，在電子設(shè)計(jì)中，三極管的管腳、類型的判斷和測
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Linear 低損耗三相理想二極管橋式整流器可簡化熱設(shè)計(jì)
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出一款低損耗三相理想二極管橋式整流器參考設(shè)計(jì)并演示在評估板 DC2465 上 。傳統(tǒng)的三相整流器采用 6 個(gè)二極管，但是二極管會產(chǎn)生電壓降，并在負(fù)載電流僅為幾安培的情況下耗散大量的功率。這需要采用成本昂貴的散熱和主動冷卻解決方案，因而導(dǎo)致熱設(shè)計(jì)的復(fù)雜化和解決方案尺寸的增加。DC2465 設(shè)計(jì)采用了三個(gè) LT4320 理想二極管橋控制器取代 6 個(gè)二極管，驅(qū)動 6 個(gè)低損耗 N 溝道 MOSFET，從而大幅度降低了功率和電壓損耗
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ST 推出MDmesh DM2 N-通道功率MOSFET 重新定義功率能效
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)日前最新的MDmeshTM DM2 N-通道功率MOSFET為低壓電源設(shè)計(jì)人員提高計(jì)算機(jī)、電信網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、消費(fèi)電子產(chǎn)品的能效創(chuàng)造新的機(jī)會。
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Vicor 推出其最新電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)工具在線設(shè)計(jì)工具
Vicor公司日前宣布推出其最新電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)工具在線設(shè)計(jì)工具，為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員架構(gòu)和優(yōu)化使用Vicor電源組件設(shè)計(jì)方法及高性能電源組件的端對端電源系統(tǒng)帶來了前所未有的高靈活性。
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合理選擇電容器來實(shí)現(xiàn)高性能的EMI濾波
本文將重點(diǎn)討論多層陶瓷電容器，包括表面貼裝和引腳兩種類型。討論如何計(jì)算這些簡單器件的阻抗和插入損耗之間的相互關(guān)系。文中還介紹了一些改進(jìn)型規(guī)格的測試，如引線電感和
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變頻器的保護(hù)及處理方法經(jīng)驗(yàn)小談
過電流保護(hù)功能:變頻器中過電流保護(hù)的對象主要指帶有突變性質(zhì)的、電流的峰值超過了變頻器的容許值的情形.由于逆變器件的過載能力較差所以變頻器的過電流保護(hù)是至關(guān)重要的一
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汽車電子元件故障時(shí)應(yīng)如何檢測？
當(dāng)汽車電子元件出現(xiàn)故障進(jìn)行檢查時(shí)，最重要的是測量數(shù)據(jù)和故障原因的推理過程。因?yàn)殡娮釉?nèi)部的情況不像機(jī)械部件能拆開看見，而利用合理的邏輯步驟檢測可很快發(fā)現(xiàn)問題，
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教你怎樣選擇A/D芯片
A/D器件和芯片是實(shí)現(xiàn)單片機(jī)數(shù)據(jù)采集的常用外圍器件。A/D轉(zhuǎn)換器的品種繁多、性能各異，在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)時(shí)，首先碰到的就是如何選擇合適的A/D轉(zhuǎn)換器以滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求的問
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數(shù)字萬用表判斷電解電容好壞的方法
本文主要介紹了一下關(guān)于數(shù)字萬用表判斷電解電容好壞的方法。1)好壞的判斷第一步：擋位的選擇。將數(shù)字萬用表的轉(zhuǎn)換開關(guān)撥到標(biāo)有“Ω”符號的擋位，選定&ldq
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一種特殊工模電感在saber當(dāng)中的仿真
saber是目前市場上最為專業(yè)也是應(yīng)用最為廣泛的一種仿真軟件。Saber雖然功能強(qiáng)大，但是其代價(jià)就是操作復(fù)雜，對于新人入門來說并不友好。因此在saber的使用過程中初學(xué)者會遇到
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安森美半導(dǎo)體推出基于第三代超場截止技術(shù)的1200 V器件
21ic訊 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號： ON)，推出新系列絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，采用公司專有的超場截止溝槽技術(shù)。NGTB40N120F
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英飛凌推出1200 V碳化硅MOSFET技術(shù)，助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)達(dá)到前所未有的效率和性能
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)日前推出革命性的碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)，使產(chǎn)品設(shè)計(jì)可以在功率密度和性能上達(dá)到前所未有的水平。英飛凌的CoolSiC™ MOSFET具備更大靈活性，可提高效率和頻率。它們將有助于電源轉(zhuǎn)換方案的開發(fā)人員節(jié)省空間、減輕重量、降低散熱要求，并提高可靠性和降低系統(tǒng)成本。
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解析如何正確地選擇運(yùn)算放大器
在便攜電子領(lǐng)域，設(shè)計(jì)師基于多種因素(尺寸、成本和性能)，利用他們的專業(yè)知識和最佳判斷來選擇器件。但這些因素通常需要進(jìn)行權(quán)衡，設(shè)計(jì)師必須依據(jù)所需的最終產(chǎn)品謹(jǐn)慎選擇元
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