本文將重點討論多層陶瓷電容器,包括表面貼裝和引腳兩種類型。討論如何計算這些簡單器件的阻抗和插入損耗之間的相互關(guān)系。文中還介紹了一些改進型規(guī)格的測試,如引線電感和
假如電源電壓U=1000伏,選擇耐壓為600伏的兩個電容器串聯(lián)起來使用,當C1承受750伏電壓,C2承受250伏電壓,兩個電容器會怎樣?理論上,同容量的串聯(lián)電容器的電壓應(yīng)該相等,但
近日,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)進一步擴大智能功率模塊產(chǎn)品陣容,推出SLLIMM–nano新一代產(chǎn)品,新增更高功率和封裝選擇,特別適用于對提高能效和降低成本有需求的應(yīng)用。新一代SLLIMM-nano產(chǎn)品可滿足冰箱、洗衣機等家電的壓縮機、風(fēng)扇和電泵的電源要求,還適用于驅(qū)動200W以下電器的硬開關(guān)電路且工作頻率低于20 kHz的低功耗電機。
將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。
隨著全球?qū)?shù)據(jù)需求的不斷增加,這看似失去控制,但已成為數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)中人們不得不去處理的真正問題。數(shù)據(jù)中心和基站,充滿了通信處理和存儲處理,在電力基礎(chǔ)設(shè)施,冷卻和
本設(shè)計實例顯示了如何在一個繼電器線圈驅(qū)動電路中用一個63¢(Q=1)微處理器復(fù)位電壓檢測器IC來顯著減小線圈的保持電流。如果問一個小型歐姆龍G5V-2雙刀雙擲繼電器的線圈電流
放大電路的核心元件是三極管,所以要對三極管要有一定的了解。用三極管構(gòu)成的放大電路的種類較多,我們用常用的幾種來解說一下(如圖1)。圖1是一共射的基本放大電路,一般我
熟悉IGBT的朋友都知道,IGBT的內(nèi)部主要是MOS結(jié)構(gòu)。這就意味著IGBT對于靜電非常敏感,在使用過程中稍有不當就可能造成IGBT的損壞。那么在使用IGBT時,需要設(shè)計者注意哪些問題
在電路的設(shè)計過程中,有時會出現(xiàn)獨石電容和CBB電容同時使用或者混合使用的情況。但是在積分電路中,使用哪種電容確是有著明確規(guī)定的,那么獨石電容和CBB電容之間,誰更加適
針對25W以上的大功率內(nèi)置/外置燈具電源來說,由于對功率因素和THD的要求較高,而且輸出電流也比較大,因此目前的解決方案通常以兩級架(APFC+DC/DC)為主。而傳統(tǒng)的兩級方案,
半導(dǎo)體激光器對靜電釋放和電流瞬變都比較敏感。這些因素造成的損害可能導(dǎo)致激光器輸出功率的減小,閾值電流的平移,以及其他一些破壞性的損傷等。本文整理了如何保護您的激
為什么我用示波器觀察晶振引腳的波形時,看不到波形或者波形失真了呢?難道200M的示波器還不能測10M的晶振嗎?常見晶振首先我們來對晶振進行簡要的介紹,晶振大體可以分為兩大
Vicor 公司日前宣布進一步擴展其 48V 直接負載點 (PoL) 電源模塊產(chǎn)品系列。最新模塊針對在高達數(shù)百安培負載電流、而電壓低于 1.25 伏工作電壓的系統(tǒng)負載(CPU、GPU、ASIC 與 DDR 內(nèi)存)進行了優(yōu)化。與備選解決方案相比,采用該電源系統(tǒng),可實現(xiàn)具有更高密度及更高轉(zhuǎn)換效率。采用在纖薄耐用 13 毫米 x 23 毫米 ChiP 封裝的 Vicor 正弦振幅轉(zhuǎn)換器 (SAC) 技術(shù)將業(yè)界一流的功率密度、效率、熱性能及電氣性能進行完美結(jié)合,是各種 48 伏電源系統(tǒng)應(yīng)用的理想選擇。
在學(xué)習(xí)電流源和電壓源時,關(guān)于電源內(nèi)阻的問題經(jīng)常會困惑很多人,只記得電壓源與外界負載連接時認為內(nèi)阻是和外界負載串聯(lián);電流源與外界負載連接時認為內(nèi)阻是和外界負載并聯(lián)
相信很少有朋友關(guān)心PFC功率矯正電路中電感之后的那個二極管,但是從事電路設(shè)計多年的高手一定能夠看出此二極管的作用。實際上,此二極管的作用在電路中非常重要,其能夠在一