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基于相角控制法的電流互感器取電電源設(shè)計(jì)
根據(jù)電流互感器的工作原理,建立了電流互感器取電線圈的負(fù)載工作模型。理論推導(dǎo)并實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了取電線圈輸出功率與磁化電流及功率輸出導(dǎo)通角θ的關(guān)系,在此基礎(chǔ)上提出基于相
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高手分析 光耦電路中為何有串聯(lián)與并聯(lián)電阻
光耦在電路中的主要作用是對光電進(jìn)行隔離。因此在一些較為敏感的電路中光耦是非常重要的一種器件。
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Linear 推出堅(jiān)固的理想二極管“或”控制器 LTC4371
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出堅(jiān)固的理想二極管“或”控制器 LTC4371，該器件適用于雙路饋送大功率電信和數(shù)據(jù)通信電路板。LTC4371 在冗余電源之間提供無縫切換，用 N 溝道 MOSFET 取代了功率肖特基二極管和相關(guān)的散熱器，從而顯著地減小了功耗、壓差和解決方案尺寸。在閃電引起浪涌、負(fù)載切換或電源短路時(shí)，該控制器可承受 ±300V 或更高的瞬變電壓，這是現(xiàn)有最堅(jiān)固的二極管“或”解決方案。一個(gè)具 350µA 低靜態(tài)電流的內(nèi)置分流調(diào)節(jié)電源和
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業(yè)界超小型03019音頻線用繞線型電感器 -LQW04CA系列-
摘要業(yè)界超小尺寸的小型音頻線用的03019尺寸的繞線型電感器已商品化。背景隨著智能手機(jī)的多功能化和電池容量的擴(kuò)大，智能手機(jī)內(nèi)部的電池所占面積持續(xù)增加，在有限的空間中，
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詳解OPPO超級閃充技術(shù)原理
很早的時(shí)候就想和大家聊聊手機(jī)電池技術(shù)的話題，無奈一直沒有好的切入點(diǎn)。直到前幾天報(bào)道MWC的時(shí)候，看到了OPPO展示的“Super VOOC超級閃充”功能，一段在10分鐘左
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IGBT式感應(yīng)加熱電源常見缺陷簡要分析
目前國內(nèi)大部分生產(chǎn)廠商已經(jīng)采用IGBT結(jié)構(gòu)的感應(yīng)加熱電源，這種結(jié)構(gòu)的加熱電源能夠維持長時(shí)間高效工作，且安全性比較高，因此比較受到生產(chǎn)商和消費(fèi)群體的歡迎。然而。雖然國
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通俗易懂的三極管工作原理
本文就三極管的工作原理進(jìn)行了簡單介紹。1、晶體三極管簡介。晶體三極管是p型和n型半導(dǎo)體的有機(jī)結(jié)合，兩個(gè)pn結(jié)之間的相互影響，使pn結(jié)的功能發(fā)生了質(zhì)的飛躍，具有電流放大
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大功率集成光源死燈的背后
集成LED光源就是將若干顆LED芯片集成封裝在同一個(gè)支架上，通過內(nèi)部連接，實(shí)現(xiàn)高功率LED的一種封裝形式，體積較大，功率一般在10W以上，通常指代的是 CHIP on Board封裝形式
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智能家居MCU與RF遙控器電路設(shè)計(jì)
智能家居是以住宅為平臺，利用綜合布線技術(shù)、網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)、 安全防范技術(shù)、自動(dòng)控制技術(shù)、音視頻技術(shù)將家居生活有關(guān)的設(shè)施集成，構(gòu)建高效的住宅設(shè)施與家庭日程事務(wù)的管理系
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三極管基極下拉電阻的作用是什么
本文介紹了三極管基極下拉電阻的作用以及在接下拉電阻時(shí)還要注意的兩個(gè)問題。1)防止三極管受噪聲信號的影響而產(chǎn)生誤動(dòng)作，使晶體管截止更可靠!三極管的基極不能出現(xiàn)懸空，
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入門必看的MOSFET小功率驅(qū)動(dòng)電路知識分享
功率器件MOSFET是目前應(yīng)用頻率最高的電子元件之一，也是很多電子工程師在入門學(xué)習(xí)時(shí)的重點(diǎn)方向。如果設(shè)計(jì)得當(dāng)，MOSFET驅(qū)動(dòng)電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系
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功率MOSFET在集成驅(qū)動(dòng)電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用簡析
功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路中得到了廣泛的應(yīng)用，此前我們曾經(jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的常見應(yīng)用方式，在今天的文章中，我們將會就功率MOS管
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積層陶瓷電容器: 車載溫度補(bǔ)償用C0G·NP0特性高耐壓系列產(chǎn)品在額定電壓1000V下實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高的靜電容量
TDK株式會社(社長：上釜 健宏)開發(fā)出了溫度補(bǔ)償用C0G、NP0特性的額定電壓1000V的車載積層陶瓷電容器新系列產(chǎn)品，并在該額定電壓下實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高的靜電容量范圍(1nF～33nF)。
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EPC可靠性測試報(bào)告記錄了超過170億小時(shí)測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù) 結(jié)果表明器件的失效率很低
宜普電源轉(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報(bào)告，展示出在累計(jì)超過170億器件-小時(shí)的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結(jié)果，以及提供在累計(jì)超過700萬器件-小時(shí)的應(yīng)力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應(yīng)力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報(bào)告提供受測產(chǎn)品的復(fù)合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個(gè)數(shù)值與我們直至目前為止所取得的現(xiàn)場評估的結(jié)果是一致的，證明在商業(yè)化的功率開關(guān)應(yīng)用中，eGaN FET已經(jīng)準(zhǔn)備好可以替代日益老化的等效硅基器件。
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Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開關(guān)功率MOSFET與IGBT
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標(biāo)應(yīng)用包
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