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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
一、引言MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損
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一種RFID讀取器自適應(yīng)基頻濾波器的設(shè)計
前 言無線頻率識別(RFID)是一種自動 ID 技術(shù)，其可識別任何含有編碼卷標(biāo)的物體。UHFRFID 系統(tǒng)由一個讀取器 (或詢問器) 組成，該讀取器調(diào)變一個 860MHz 至 960MHz 頻率范圍內(nèi)
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濾波器的使用與設(shè)計
簡介：在電子系統(tǒng)里濾波器是很見的組成部分，可以通過R,L,C的搭配組成各種濾波電路。一階RC濾波器的截止頻率等于1/2*pi*RC.，R,C,L串聯(lián)可以搭建二階帶通濾波器等等。在電子
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上下拉電阻作用的引申—OC,OD門
簡介：由上下拉電阻的作用引出本文的內(nèi)容，OC和OD門。OC(open collector)是集電極開路，必須外界上拉電阻和電源才能將開關(guān)電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關(guān)大電壓
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PI推出的725V InnoSwitch-EP IC 為輔助和待機電源帶來革命性變化
Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch -EP系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率，同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應(yīng)，并且空載功耗低于 10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink 技術(shù)，可設(shè)計出無需光耦的高效率、高精度和高可靠性的電源電路，適用于家電、暖通空調(diào)(HVAC)、消費電子產(chǎn)品、
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3一
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西門子變頻器維修檢測方法
0 引言變頻器在日常維護過程中，經(jīng)常會遇到各種各樣的問題，如外圍線路問題，參數(shù)設(shè)定問題，通訊問題或機械故障等。如果是變頻器出現(xiàn)故障，如何去判斷是哪一部分的問題，以
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變頻器輸出接地引起的電網(wǎng)電壓異常的分析與處理
1 故障現(xiàn)象中鋁青海分公司三期煅燒4# 回轉(zhuǎn)窯新建于2005 年5 月，其石油焦煅燒能力為12 t/h;大窯拖動系統(tǒng)采用變頻器進行調(diào)速控制，在正常生產(chǎn)時投料量一般控制在10~11.6 t/h
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諧波情況下的無功補償設(shè)計
0 引言隨著變頻器、電力節(jié)電器等非線性負(fù)荷的推廣使用，電力網(wǎng)的諧波含量越來越大。電網(wǎng)諧波對電力無功補償設(shè)備有著極大的影響，在諧波嚴(yán)重的局部電網(wǎng)，無電抗的電容器無功
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一種簡單的防短路保護方法
簡介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個概念，不要混淆在一起。前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機控制對負(fù)載供電，滿負(fù)載時基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模
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電容濾波的原理及作用
簡介：常用的濾波電路有無源濾波和有源濾波兩大類。電容濾波為無源濾波，本文詳細(xì)介紹了電容濾波的工作原理以及其作用。濾波電容的作用簡單講是使濾波后輸出的電壓為穩(wěn)定的
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意法半導(dǎo)體（ST）的先進60V功率MOSFET為提高同步整流電路能效量身定制
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的槽柵結(jié)構(gòu)低壓MOSFETs STripFET F7系列將新增60V的產(chǎn)品線，可協(xié)助電信、服務(wù)器和臺式PC機的電源以及工業(yè)電源和太陽能微逆變器的直流-直流(DC/DC)電源轉(zhuǎn)換器達(dá)到嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)要求，最大限度提升電源功率密度。
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出雙路增強型120 V、60 mΩ功率晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出增強型氮化鎵IC系列的最新成員-- EPC2110。EPC2110是一種具有120 VDS、20 A的雙路共源極器件，它采用非常纖薄的封裝(1.35 mm x 1.35 mm)，于柵極施加5 V電壓時的最高RDS(on) 為 60 mΩ。由于EPC2110具備超高開關(guān)頻率、超低RDS(on)、異常低的QG及采用非常纖薄的封裝，因此這種氮化鎵IC可以實現(xiàn)高性能。
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貼片電阻應(yīng)用常見問題
摘要：在現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)中，貼片電阻經(jīng)常是電子產(chǎn)品內(nèi)部最多的器件，而它們卻又經(jīng)常被我們所忽視，導(dǎo)致各種不可預(yù)測的產(chǎn)品故障出現(xiàn)。
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提高電源功率密度的主要方向有哪些？
摘要：隨著電子集成化的發(fā)展，器件、設(shè)備小型化的趨勢越來越明顯，對電源而言也是如此。高功率密度、小型化、輕薄化、片式化一直是電源技術(shù)發(fā)展的方向。那么，電源的小型化
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