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Vicor公司推出全新48 V降壓穩(wěn)壓器
Vicor以超過96%的峰值效率實現(xiàn)48 V直接至PoL降壓調(diào)節(jié)Vicor公司今天宣布，推出高效率的PI3542、PI3543、PI3545和PI3546降壓穩(wěn)壓器，擴展其Picor Cool-Power™ ZVS負(fù)載
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Vishay推出新系列超薄、大電流的功率電感器---IHHP
小尺寸器件采用小型0806和1008外形尺寸，高度低至1.0mm日前，Vishay宣布推出新系列超薄、大電流的功率電感器---IHHP，該電感器采用鐵粉芯，飽和電流高達(dá) 5.8A。Vishay Dal
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Intersil推出60V創(chuàng)新同步降壓控制器
易于使用的ISL8117消除了工業(yè)應(yīng)用對中間功率轉(zhuǎn)換級的需要Intersil公司今天宣布，推出首款避免工業(yè)應(yīng)用中通常使用的中間步降轉(zhuǎn)換級的60V同步降壓控制器---ISL8117。該同步步
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TDK 發(fā)布支持車載、耐高溫X8R特性樹脂電極系列 6月量產(chǎn)
·可耐受嚴(yán)酷的高溫環(huán)境，150℃溫度保證·可有效防止基板翹曲裂紋和焊接裂紋的樹脂電極·符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)TDK株式會社發(fā)布將在針對基板翹曲和熱循環(huán)具有
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組合變流變頻方式控制電磁振動成型機的研究
0 引言現(xiàn)行的人造合成石等建筑裝飾板材的真空振動成型裝置，受其軸承等轉(zhuǎn)動件的機械強度影響而難以在振動中達(dá)到6 000 r/min(折合為100 Hz 的振動頻率)，并且用氣缸及活塞帶
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英飛凌新一代CoolMOS 可減少50%的開關(guān)損耗
21ic電源網(wǎng)訊 英飛凌科技股份公司推出全新的CoolMOS™ C7系列超結(jié)(SJ)MOSFET家族。該600 V系列相比CoolMOS™ CP可減少50%的開關(guān)損耗，在PFC、TTF和其他硬切換拓
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電路筆記：RF至位解決方案可提供6 GHz信號的精密相位和幅度數(shù)據(jù)
連接/參考器件連接/參考器件ADL5380400 MHz至6,000 MHz正交解調(diào)器ADA4940-2超低功耗、低失真ADC驅(qū)動器AD7903雙通道、差分、16位、1 MSPS PulSAR 12.0 MW ADCADR435超低噪聲
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宜普電源具有寬間距的氮化鎵場效應(yīng)晶體管系列 新添3款產(chǎn)品
宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出采用高性能、寬間距的芯片規(guī)模封裝的全新氮化鎵(eGaN®)功率晶體管，進(jìn)一步擴大其功率晶體管系列、易于實現(xiàn)高產(chǎn)量并與成熟的制造工藝及組裝生
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Vishay 發(fā)布3顆新的600V 快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布3顆新的600V EF系列快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件
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安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容
經(jīng)優(yōu)化用于減少開關(guān)、導(dǎo)通及驅(qū)動器功耗以提升能效安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，針對數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴大其寬廣
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Littelfuse推出四通道瞬態(tài)抑制二極管陣列 具低動態(tài)電阻和增強的ESD保護(hù)能力
日前，Littelfuse 宣布推出小型四通道雙向SP1015系列瞬態(tài)抑制二極管陣列(SPA®二極管)，旨在為可能遭受破壞性靜電放電(ESD)的數(shù)據(jù)線提供保護(hù)。 該系列功能強大的二極管
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安森美推出先進(jìn)的 80A 功率集成模塊(PIM)
提升功效且保持可靠的運行并簡化系統(tǒng)開發(fā)安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，推出最先進(jìn)的80安(A)功率集成模塊(PIM)，具領(lǐng)先業(yè)界的性能，用于要求嚴(yán)格的不間斷電源(UPS)、工
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伊頓公司推出汽車級Coiltronics HCMA系列大電流功率電感器
伊頓公司今天宣布推出Coiltronics® HCMA系列汽車級大電流功率電感器，它達(dá)到并超過了汽車電子設(shè)備協(xié)會(AEC)關(guān)于無源元件的Q200的 3級標(biāo)準(zhǔn)，運行的最大溫度范圍從攝氏零
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安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容
經(jīng)優(yōu)化用于減少開關(guān)、導(dǎo)通及驅(qū)動器功耗以提升能效安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，針對數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進(jìn)一步擴大其寬廣
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基于MOSFET的焦耳小偷電路可提升電壓
簡單的間歇振蕩器電路可以用來借助線圈電感的屬性提升電壓(V=L di/dt)。這種電路如圖1所示，它更常見的叫法是焦耳小偷(Joule Thief)電路。上述電路的輸出是電壓脈沖，可以接
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