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為什么電容器變薄了，靜電容量卻反而增加了呢？

　　1.電容器變薄但靜電容量卻反而增加的理由　　根據(jù)數(shù)學(xué)表達(dá)式C=ε×S/d,增大電容器靜電容量的方法有如下3種：　?、僭龃?amp;epsilon;(介電常數(shù))　?、谠龃骃 (電

功率器件
2014-10-28

電容器電極 IP EPSILON
IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用推出具有超低導(dǎo)通電阻的75V MOSFET

21ic訊國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出75V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器 (LEV) 、直

功率器件
2014-10-28

MOSFET 工業(yè)應(yīng)用導(dǎo)通電阻 RF
Diodes低壓差穩(wěn)壓器為便攜式產(chǎn)品節(jié)省空間

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出300mA額定值的低壓差穩(wěn)壓器并采用微型DFN1010-4封裝的AP7341。這款器件的占位面積僅1.0mm x 1.0mm，高度僅為0.4mm，有助于智能手

功率器件
2014-10-28

便攜式產(chǎn)品低壓差穩(wěn)壓器 DIODES MICRO
意法半導(dǎo)體推出新抗輻射基準(zhǔn)電壓芯片在各種工作條件下性能穩(wěn)定可靠

21ic訊意法半導(dǎo)體積極開發(fā)與航天應(yīng)用相關(guān)的抗輻射產(chǎn)品組合，推出兩款并聯(lián)式基準(zhǔn)電壓芯片(shunt Voltage References)。RHF1009A是一款可在2.5V至5.5V范圍內(nèi)調(diào)整電壓的基準(zhǔn)

功率器件
2014-10-28

芯片意法半導(dǎo)體基準(zhǔn)電壓 EV
Ka波段串饋微帶諧振式全向天線的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

　　1 引言　　眾所周知，在各種實(shí)際應(yīng)用中，往往要求天線具有高增益、高功率、低旁瓣、波束控制等特性。由于天線陣可以獲得這些特性，從而使得陣技術(shù)在實(shí)際中獲得廣泛的應(yīng)

功率器件
2014-10-24

天線波段諧振式 BSP
高效率F類射頻功率放大器的研究與設(shè)計(jì)

　　1 引言　　射頻功率放大器廣泛應(yīng)用于各種無(wú)線通信發(fā)射設(shè)備中，隨著移動(dòng)通訊服務(wù)的快速增長(zhǎng)，對(duì)低耗、高效、體積小的要求也迅速增加。眾所周知，RF功放(PA)是射頻傳輸中

功率器件
2014-10-23

射頻功率放大器短路 BSP
Littelfuse推出瞬態(tài)抑制二極管陣列在通常僅容納1個(gè)通道的空間提供5個(gè)通道的ESD保護(hù)

緊湊型倒裝式封裝的性能較傳統(tǒng)封裝改善了5倍，能提供高ESD抗擾能力和優(yōu)越保護(hù)。21ic訊 Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，日前宣布推出了SP1012系列瞬態(tài)抑制二極

功率器件
2014-10-22

瞬態(tài)抑制二極管 ESD保護(hù) P10 LITTELFUSE
IR推出650V器件以擴(kuò)充超高速溝道IGBT系列

適合工業(yè)用電機(jī)、焊接、太陽(yáng)能、感應(yīng)加熱和不間斷電源應(yīng)用21ic訊國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴(kuò)充絕緣柵

功率器件
2014-10-22

器件超高速 IGBT GP
Vishay發(fā)布新款12V芯片級(jí)MOSFET 可有效降低超便攜產(chǎn)品的功耗

新的MICRO FOOT®器件首次在1.8V電壓和±8V VGS下實(shí)現(xiàn)35mΩ導(dǎo)通電阻日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布有助于在智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備和

功率器件
2014-10-22

Vishay MOSFET 便攜產(chǎn)品芯片級(jí)
高增益空間功率合成天線的研究

　　1 引言　　在通信對(duì)抗領(lǐng)域，要獲得很大的微波干擾功率有兩種方法：一是采用固態(tài)功率合成技術(shù)，但研制超大功率受到高壓電源和高功率器件等因素的限制;二是利用空間功率合

功率器件
2014-10-21

天線反射線陣 BSP
LVPECL終端的設(shè)計(jì)考慮因素

　　LVPECL(低壓正射極耦合邏輯)是一種輸入輸出(I/O)技術(shù)，從半導(dǎo)體工藝無(wú)法集成高性能 P 型設(shè)備與高性能 N 型設(shè)備起就已出現(xiàn)。因此，在隨后的 HCSL 和 LVDS等高速接口中，

功率器件
2014-10-20

驅(qū)動(dòng)器終端發(fā)射極 LVPECL
基于電位器或DAC實(shí)現(xiàn)的可變頻高斜率濾波器

　　模擬可變頻濾波器要求使用可變無(wú)源器件。濾波器斜率越大，所需的可變無(wú)源器件就越多。這些元件很多時(shí)候是電位器。例如具有18dB/8倍頻斜率的低通巴特沃斯濾波器需要使用

功率器件
2014-10-20

電位器濾波器變頻 DAC
電流反饋放大器如何為我所用？

　　電流反饋 (CFB) 放大器大部分歸屬高速放大器范疇。近年來所推出的大量良好應(yīng)用指南主要用來介紹應(yīng)用電流反饋放大器的工作以及其中所遇到的主要問題。這里我們將通過簡(jiǎn)短

功率器件
2014-10-20

電阻緩沖器電流反饋反饋放大器
Q值可調(diào)、最大增益恒定的帶通濾波器

　　帶通濾波器(BPF)被廣泛用于通帶非常窄、通帶以外任何其它頻率被衰減的應(yīng)用?！　」?1)是帶通濾波器的二階帶通傳輸函數(shù)：　　　　其中，K代表恒定的濾波器增益，Q代表

功率器件
2014-10-20

帶通濾波器品質(zhì)因數(shù) BSP
Vishay新款螺絲接頭功率鋁電容器具有超長(zhǎng)使用壽命

器件采用兩種大外形尺寸，在+85℃下壽命長(zhǎng)達(dá)1萬(wàn)小時(shí)，紋波電流達(dá)19.76A，可用于拖動(dòng)和重載應(yīng)用日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于拖動(dòng)和重載應(yīng)用的新系列螺

功率器件
2014-10-17

器件 Vishay ST 電容器

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電源

為什么電容器變薄了，靜電容量卻反而增加了呢？

IR針對(duì)工業(yè)應(yīng)用推出具有超低導(dǎo)通電阻的75V MOSFET

Diodes低壓差穩(wěn)壓器為便攜式產(chǎn)品節(jié)省空間

意法半導(dǎo)體推出新抗輻射基準(zhǔn)電壓芯片在各種工作條件下性能穩(wěn)定可靠

Ka波段串饋微帶諧振式全向天線的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

高效率F類射頻功率放大器的研究與設(shè)計(jì)

Littelfuse推出瞬態(tài)抑制二極管陣列在通常僅容納1個(gè)通道的空間提供5個(gè)通道的ESD保護(hù)

IR推出650V器件以擴(kuò)充超高速溝道IGBT系列

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基于電位器或DAC實(shí)現(xiàn)的可變頻高斜率濾波器

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