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為什么電容器變薄了，靜電容量卻反而增加了呢？
1.電容器變薄但靜電容量卻反而增加的理由 根據(jù)數(shù)學表達式C=ε×S/d,增大電容器靜電容量的方法有如下3種： ?、僭龃?amp;epsilon;(介電常數(shù)) ?、谠龃骃 (電
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IR針對工業(yè)應用推出具有超低導通電阻的75V MOSFET
21ic訊 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 近日推出75V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器 (LEV) 、直
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Diodes低壓差穩(wěn)壓器為便攜式產(chǎn)品節(jié)省空間
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出300mA額定值的低壓差穩(wěn)壓器并采用微型DFN1010-4封裝的AP7341。這款器件的占位面積僅1.0mm x 1.0mm，高度僅為0.4mm，有助于智能手
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意法半導體推出新抗輻射基準電壓芯片 在各種工作條件下性能穩(wěn)定可靠
21ic訊 意法半導體積極開發(fā)與航天應用相關的抗輻射產(chǎn)品組合，推出兩款并聯(lián)式基準電壓芯片(shunt Voltage References)。RHF1009A是一款可在2.5V至5.5V范圍內(nèi)調(diào)整電壓的基準
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Ka波段串饋微帶諧振式全向天線的設計與實現(xiàn)
1 引言 眾所周知，在各種實際應用中，往往要求天線具有高增益、高功率、低旁瓣、波束控制等特性。由于天線陣可以獲得這些特性，從而使得陣技術在實際中獲得廣泛的應
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高效率F類射頻功率放大器的研究與設計
1 引言 射頻功率放大器廣泛應用于各種無線通信發(fā)射設備中，隨著移動通訊服務的快速增長，對低耗、高效、體積小的要求也迅速增加。眾所周知，RF功放(PA)是射頻傳輸中
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Littelfuse推出瞬態(tài)抑制二極管陣列 在通常僅容納1個通道的空間提供5個通道的ESD保護
緊湊型倒裝式封裝的性能較傳統(tǒng)封裝改善了5倍，能提供高ESD抗擾能力和優(yōu)越保護。21ic訊 Littelfuse公司是全球電路保護領域的領先企業(yè)，日前宣布推出了SP1012系列瞬態(tài)抑制二極
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IR推出650V器件以擴充超高速溝道IGBT系列
適合工業(yè)用電機、焊接、太陽能、感應加熱和不間斷電源應用21ic訊 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵
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Vishay發(fā)布新款12V芯片級MOSFET 可有效降低超便攜產(chǎn)品的功耗
新的MICRO FOOT®器件首次在1.8V電壓和±8V VGS下實現(xiàn)35mΩ導通電阻日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布有助于在智能手機、平板電腦、可穿戴設備和
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高增益空間功率合成天線的研究
1 引言 在通信對抗領域，要獲得很大的微波干擾功率有兩種方法：一是采用固態(tài)功率合成技術，但研制超大功率受到高壓電源和高功率器件等因素的限制;二是利用空間功率合
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LVPECL終端的設計考慮因素
LVPECL(低壓正射極耦合邏輯)是一種輸入輸出(I/O)技術，從半導體工藝無法集成高性能 P 型設備與高性能 N 型設備起就已出現(xiàn)。因此，在隨后的 HCSL 和 LVDS等高速接口中，
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基于電位器或DAC實現(xiàn)的可變頻高斜率濾波器
模擬可變頻濾波器要求使用可變無源器件。濾波器斜率越大，所需的可變無源器件就越多。這些元件很多時候是電位器。例如具有18dB/8倍頻斜率的低通巴特沃斯濾波器需要使用
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電流反饋放大器如何為我所用？
電流反饋 (CFB) 放大器大部分歸屬高速放大器范疇。近年來所推出的大量良好應用指南主要用來介紹應用電流反饋放大器的工作以及其中所遇到的主要問題。這里我們將通過簡短
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Q值可調(diào)、最大增益恒定的帶通濾波器
帶通濾波器(BPF)被廣泛用于通帶非常窄、通帶以外任何其它頻率被衰減的應用?！ 」?1)是帶通濾波器的二階帶通傳輸函數(shù)： 其中，K代表恒定的濾波器增益，Q代表
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Vishay新款螺絲接頭功率鋁電容器具有超長使用壽命
器件采用兩種大外形尺寸，在+85℃下壽命長達1萬小時，紋波電流達19.76A，可用于拖動和重載應用日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出用于拖動和重載應用的新系列螺
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