氮化鎵(eGaN®)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉(zhuǎn)換器可
意法半導(dǎo)體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術(shù)提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數(shù)校正
傳統(tǒng)的離線開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器會產(chǎn)生帶高諧波含量的非正弦輸入電流。這會給電源線、斷路開關(guān)和電力設(shè)施帶來壓力。此外,諧波還會影響連接同一電源線的其他電子設(shè)備。在應(yīng)用
壓敏電阻一般并聯(lián)在電路中使用,當(dāng)電阻兩端的電壓發(fā)生急劇變化時,電阻短路將電流保險絲熔斷,起到保護(hù)作用。壓敏電阻在電路中,常用于電源過壓保護(hù)和穩(wěn)壓。今天來自電子元
音頻功率放大電路是一種很常用的電子電路,廣泛應(yīng)用于聲音有關(guān)的電子系統(tǒng)。
插槽兼容型繼電器驅(qū)動器可降低功耗、成本與板級空間日前,德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款 7 通道 NMOS 低側(cè)驅(qū)動器,該款驅(qū)動器使用插槽兼容型低功耗集成電路 (IC) 取代標(biāo)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴充60V StrongIRFET功率MOSFET系列,采用多種標(biāo)準(zhǔn)和高性能功率封裝。全新MOSFET適用于要求極低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的
這款符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的裝置可確保最高水平的汽車用電子器件可靠性21ic訊 Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè),日前宣布推出了SM24CANA系列200W瞬態(tài)抑制二極管陣列
TI的LM57是一款高精度、雙路輸出、集成的、模擬溫度傳感器溫度開關(guān)。通過使用兩個外部1%電阻,其跳閘溫度(TTRIP)是可編程的。
文介紹了一種掉電后備電源的設(shè)計,采用超級電容作為儲能元件可長期浮充,大電流放電,提高了使用壽命;采用升壓型拓?fù)?,?yōu)化了超級電容容量配置,可在5V@5A條件下可在5V@5A 條件下,持續(xù)工作10s,并在電容因欠壓停止工作時,可迅速關(guān)斷輸出,輸出電壓單調(diào)下降,不產(chǎn)生振蕩,電性指標(biāo)滿足絕大。
隨著科技發(fā)展,極限條件下的試驗測量已成為進(jìn)一步認(rèn)識大自然的重要手段,這些試驗中往往測量的都是一些非常弱的物理量,比如弱磁、弱聲、弱光、弱振動等,由于這些微弱的信號一般都是通過傳感器進(jìn)行電量轉(zhuǎn)換,使待測的弱信號轉(zhuǎn)換成電信號。
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出導(dǎo)通電阻小于100mΩ的全球最小60V NMOS ─ DMN6070SFCL。新器件的占位面積為1.6mm x 1.6mm,高度則是一般的0.5mm,并采用了DF
目前所有市售的三運放儀表放大器(in-amp)僅提供了單端輸出,而差分輸出的儀表放大器可使許多應(yīng)用從中受益。全差分儀表放大器具有其他單端輸出放大器所沒有的優(yōu)勢,它具有很
摘要隨著諸如能源之星等節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)在家電,醫(yī)療,電動車等市場的接收和推廣,以磁場定向控制(FOC)算法為基礎(chǔ)的高能效三相變頻器廣泛用于各類交流電機驅(qū)動應(yīng)用中。FOC 算法需
介紹無線通信接收器前端可能會因同步或異步信號傳輸形成過載[1],在時域雙工系統(tǒng)中,交換器或循環(huán)器連接端口間的非完美隔離會造成前者,后者則由兩個未相關(guān)系統(tǒng)天線間造成的