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專用高頻E類功率放大器的測(cè)試的研究
本文簡(jiǎn)介了E類功率放大器的原理，針對(duì)一款手機(jī)專用高頻E類功率放大器設(shè)計(jì)了性能檢測(cè)電路，并介紹了測(cè)試所用的設(shè)備，最后對(duì)測(cè)試的結(jié)果進(jìn)行了分析，從而有效判定功率放大器是否合格。
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相位噪聲是什么
1概述定義相位噪聲和抖動(dòng)是對(duì)同一種現(xiàn)象的兩種不同的定量方式。在理想情況下，一個(gè)頻率固定的完美的脈沖信號(hào)(以1 MHz為例)的持續(xù)時(shí)間應(yīng)該恰好是1微秒，每500ns有一個(gè)跳變沿
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保險(xiǎn)絲的主要作用是什么？
熔斷器俗稱保險(xiǎn)絲或保險(xiǎn)管。最早的保險(xiǎn)絲于一百多年前由愛(ài)迪生發(fā)明，由于當(dāng)時(shí)的工業(yè)技術(shù)不發(fā)達(dá)白熾燈很貴重，所以，最初是將它用 保險(xiǎn)絲來(lái)保護(hù)價(jià)格昂貴的白熾燈的。保險(xiǎn)絲
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模擬比較器可識(shí)別三種信號(hào)關(guān)系
幾年前，我們正在開(kāi)發(fā)鉗式光度計(jì)—一種可夾在通信光纖上顯示光的存在、傳播方向以及低頻測(cè)試音調(diào)制組合的手持設(shè)備。有了鉗式光度計(jì)，我們就可以在進(jìn)行光纖切割和拼接前
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極端工作環(huán)境下的動(dòng)態(tài)可調(diào)偏置半瓦驅(qū)動(dòng)放大器
今天的無(wú)線電設(shè)計(jì)和其他無(wú)線通信設(shè)備消耗的功率越來(lái)越少，占用的物理空間也越來(lái)越小，因此可以用來(lái)散熱的板面積也越來(lái)越小。此外，這些系統(tǒng)正部署在更加極端的環(huán)境條件中，
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使用有源匹配電路改善寬帶全差分放大器的噪聲性能
自從1999年首次面世以來(lái)，寬帶全差分放大器(FDA)的單端至差分應(yīng)用經(jīng)常將一個(gè)接地電阻用作輸入匹配電路的一部分，代價(jià)是更高的以輸入為參考的噪聲電壓。如果可以去除那個(gè)電阻
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MOSFET封裝進(jìn)步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動(dòng)功能
面臨為需求若渴的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)提供新功能壓力的設(shè)計(jì)人員正在充分利用全新亞芯片級(jí)封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，使用標(biāo)準(zhǔn)IC來(lái)構(gòu)建領(lǐng)先于芯片組路線圖的新設(shè)計(jì)。簡(jiǎn)介：移動(dòng)功能市
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Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET
率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝尺寸，可用于移動(dòng)計(jì)算，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至8.0mΩ21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款
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飛兆半導(dǎo)體推出1200 V 溝槽型場(chǎng)截止IGBT 提供更快速的開(kāi)關(guān)性能
高壓IGBT可降低高功率太陽(yáng)能逆變器、UPS和電焊機(jī)中的總功耗、電路板尺寸和整體系統(tǒng)成本21ic訊 飛兆半導(dǎo)體推出一系列1200 V溝槽型場(chǎng)截止IGBT。以硬開(kāi)關(guān)工業(yè)應(yīng)用為目標(biāo)，如太
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MOS管驅(qū)動(dòng)電路總結(jié)
在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但
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基于數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
本文為了實(shí)現(xiàn)大功率數(shù)字式電鍍電源,提出了一種基于ARM芯片STM32F103的數(shù)字式電鍍電源并聯(lián)均流系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案，并完成系統(tǒng)的軟硬件設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)采用STM32F103作為主控芯片，通過(guò)CAN總線控制多個(gè)電源模塊并聯(lián)工作并使其電流平均，達(dá)到大功率輸出的目的。系統(tǒng)具有多種工作模式和外設(shè)接口，人機(jī)界面友善。實(shí)際應(yīng)用表明，系統(tǒng)工作穩(wěn)定，達(dá)到方案設(shè)計(jì)要求。
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英飛凌1EDI Compact驅(qū)動(dòng)器采用無(wú)芯變壓器技術(shù)
21ic訊 英飛凌科技股份公司今日宣布，在今年的電氣自動(dòng)化系統(tǒng)及元器件(SPS IPC Drives)貿(mào)易展上，英飛凌科技股份有限公司推出針對(duì)絕緣電壓高達(dá)1200伏的應(yīng)用的1EDI EiceDRI
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Linear 推出 Linduino One 開(kāi)發(fā)工具
21ic訊 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 Linduino™ One 開(kāi)發(fā)工具，該工具是一個(gè) Arduino 兼容平臺(tái)，用來(lái)為凌力爾特的 SPI 和 I2C 兼容的集成電路
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德州儀器推出新一代功率因數(shù)校正控制器改善能效
TI 8 引腳連續(xù)傳導(dǎo)模式 PFC 控制器可在實(shí)現(xiàn)超過(guò) 0.95 功率因數(shù)的同時(shí)，將分流電阻器功耗銳降 50%日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在連續(xù)傳導(dǎo)模式(CCM)下支持業(yè)界最廣泛可編
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如何使用氮化鎵:氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管的驅(qū)動(dòng)器和版圖的考慮因素
我們?cè)谥暗奈恼掠懻摿说増?chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢(shì)，以及它具備可實(shí)現(xiàn)更高效率和更快開(kāi)關(guān)速度的潛力，為硅MOSFET器件所不可能實(shí)現(xiàn)的。本章將探討如何利用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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- ADI邀你共學(xué)電子尖端黑科技系列活動(dòng)（三）
- 有獎(jiǎng)活動(dòng)：貿(mào)澤電子硬件狂想設(shè)計(jì)大賽
- 學(xué)5G存儲(chǔ)知識(shí)，贏京東卡等精品好禮
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- 學(xué)習(xí)ST“電源與能源”課程，為電源設(shè)計(jì)添點(diǎn)“彩”
- 答題贏好禮：Power Integrations助力工業(yè)發(fā)展
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- 【20周年慶】21ic下載送積分、發(fā)紅包、VIP五折，見(jiàn)者有份！
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