一、 電子電路的設(shè)計基本步驟:1、 明確設(shè)計任務(wù)要求:充分了解設(shè)計任務(wù)的具體要求如性能指標(biāo)、內(nèi)容及要求,明確設(shè)計任務(wù)。2、 方案選擇:根據(jù)掌握的知識和資料,針對設(shè)計提
安森美半導(dǎo)體推出的NCP1246的空載能耗小于16 mW,利用NCP1246 + NCP4354實現(xiàn)的低待機(jī)能耗解決方案可輕松滿足“能源之星”要求,適用于功率65 W的電源適配器,并能實現(xiàn)20 mW以下的極低待機(jī)能耗。
通用序列匯流排電力傳輸(USB-PD)標(biāo)準(zhǔn)演變,將掀起新一波USB應(yīng)用革命。USB在資料傳輸方面早已成為業(yè)界普遍採用的標(biāo)準(zhǔn)協(xié)定,而隨著更高傳輸速率的USB 3.0規(guī)格問世,更進(jìn)一步增
一般視聽電路中的功率放大(簡稱功放)電路是在電壓放大器之后,把低頻信號再進(jìn)一步放大,以得到較大的輸出功率,最終用來推動揚聲器放音或在電視機(jī)中提供偏轉(zhuǎn)電流
新模型提供分立式功率半導(dǎo)體、變壓器和電感設(shè)計值的最佳組合21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設(shè)計和模擬工具,可在一分鐘內(nèi)提
廣州金升陽科技有限公司的MORNSUN隔離式安全柵:采用獨有的隔離技術(shù),實現(xiàn)電源、信號輸入、信號輸出的可靠隔離,比齊納柵更可靠和安全,且無需本安接地,大大增強(qiáng)了檢測和控
香港嘉美工有限公司的KYB系列采用了與現(xiàn)有產(chǎn)品相比單位面積容量更大的鋁電極箔,容量最大提升了50%;同時,通過采用低阻抗的電解液,降低了產(chǎn)品的阻抗值、增大了額定紋波電流
PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器:“PhotoMOS”是松下電器的一款采用光電元件以及功率MOSFET進(jìn)行輸出的輸出光電耦合器。面世二十年間,在全世界的銷量達(dá)到八億個,
村田制作開發(fā)了世界最小008004尺寸(0.25×0.125mm)的獨石陶瓷電容器,相較于現(xiàn)在一部分智能手機(jī)配備的01005尺寸 (0.4×0.2mm)電容器,實現(xiàn)了減少約75%的體積。繼
~業(yè)界頂級的低功耗性能得到進(jìn)一步強(qiáng)化,紐扣電池驅(qū)動中電池壽命翻倍~21ic訊 羅姆集團(tuán)旗下的LAPIS Semiconductor開發(fā)出支持Bluetooth®v4.0 Low Energy的2.4GHz無線通
業(yè)界首款集成肖特基且具有低漏電流性能的MOSFET恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺,使用恩智浦特
Maxim Integrated的DeepCover®方案采用雙向質(zhì)詢-響應(yīng)SHA-256認(rèn)證及加密算法保護(hù)嵌入式設(shè)計、外設(shè)或傳感器。21ic訊 Maxim Integrated Products, Inc. 推出DeepCover安全
本文提出一種解決全球電壓的大功率電源方案,采用自動倍壓方式,對輸入電壓進(jìn)行實時檢測,并根據(jù)電壓等級確定是否進(jìn)行倍壓處理,以滿足全球電壓自適應(yīng)要求。同時結(jié)合過零檢測電路,可實現(xiàn)在無NTC-負(fù)溫度系數(shù)電阻狀態(tài)下的零壓零流啟動,有效扼制浪涌電流,提高系統(tǒng)可靠性和耐用性。此外,能滿足“能源之星”的待機(jī)功耗要求,增強(qiáng)了技術(shù)競爭力的同時,可滿足了節(jié)能環(huán)保的要求。低成本、易實現(xiàn)、功能強(qiáng)、節(jié)能環(huán)保的特點,使得該方案具備較強(qiáng)的商用性。
電力電容器保護(hù)器是可與切換電容器接觸器,無功補償控制器,熔斷器等組成電力電容器控制系統(tǒng),主要作為電力電容器及補償補償電路中出現(xiàn)的過流、短路,涌流,諧波,過壓等故
最新的主動降噪(ANC)芯片創(chuàng)新性地包括了超低噪聲放大器及集成旁路開關(guān)21ic訊 奧地利微電子公司今日宣布推出AS3435及AS3415主動降噪揚聲器驅(qū)動芯片,為新一代零噪音立體聲耳