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基于功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

目前國(guó)內(nèi)大多數(shù)采用的長(zhǎng)延時(shí)熱脫扣試驗(yàn)方案是通過(guò)變壓器直接對(duì)斷路器施加一個(gè)電壓以獲得測(cè)試電流。在測(cè)試過(guò)程中，由于電網(wǎng)電壓的波動(dòng)、載流電路中引線電阻變化、負(fù)載本身電

功率器件
2013-09-11

穩(wěn)壓逆變電源脈沖 TL494 三極管
安森美半導(dǎo)體推出一款新的集成從收發(fā)器

高能效及強(qiáng)固的NCN5150收發(fā)器極適合遠(yuǎn)程抄表應(yīng)用，包括暖氣及冷氣表、電表、水表和燃?xì)獗淼榷嗄軆x表21ic訊安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor推出一款新的集成從收發(fā)器，用于

功率器件
2013-09-11

集成收發(fā)器安森美半導(dǎo)體遠(yuǎn)程抄表
簡(jiǎn)單實(shí)用的三極管逆變器電路設(shè)計(jì)

這是一種性能優(yōu)良的家用逆變電源電路圖，材料易取，輸出功率150W。本電路設(shè)計(jì)頻率為300Hz左右，目的是縮小逆變變壓器的體積、重量。輸出波形方波。這款逆變電源可以用在停電

功率器件
2013-09-10

電路設(shè)計(jì) 變壓器逆變器電路三極管
大功率高壓變頻器的散熱分析

變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟起來(lái)，原

功率器件
2013-09-09

風(fēng)機(jī) 大功率串聯(lián) 高壓變頻器
Vishay發(fā)布用于商業(yè)應(yīng)用的低外形SMPD封裝的新款TMBS®整流器

器件的低正向壓降減少了功率損耗并提高效率21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16個(gè)新款45V、50V、60V、100V和120V器件，擴(kuò)充其TMBS® Trench MOS勢(shì)

功率器件
2013-09-09

封裝 Vishay 整流器 PD
采用低電感器 DCR 檢測(cè)的電流模式控制器可提供諸多優(yōu)于電壓模式控制器的好處

背景由于微處理器和數(shù)字信號(hào)處理器需要在較低的工作電壓條件下獲得越來(lái)越高的電流，因此，通過(guò)盡量降低電流檢測(cè)元件的電阻以最大限度地減少電源傳導(dǎo)損耗就變得更加至關(guān)緊要

功率器件
2013-09-09

電壓電感器電流模式控制器 DC
三相無(wú)功功率的測(cè)量

單相交流電路的無(wú)功功率也可以用有功功率表來(lái)測(cè)這是因?yàn)闊o(wú)功功率如果改變接線方式，使功率表電壓支路的電壓U與電流線圈上的電流i之間的相位差為90°-∮，這時(shí)有功功率

功率器件
2013-09-06

電壓無(wú)功功率有功功率 BSP
高頻整流二極管的特性與參數(shù)

開(kāi)關(guān)電源中的整流二極管必須具有正向壓降低、快速恢復(fù)的特點(diǎn)，還應(yīng)具有足夠大的輸出功率，可以采用以下三種類型的整流二極管：快速恢復(fù)整流二極管;超快速恢復(fù)整流二極管;肖

功率器件
2013-09-06

開(kāi)關(guān)電源整流二極管肖特基壓降
功率MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)

功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，簡(jiǎn)稱功率MOSFET，它是一種電壓控制器件。根據(jù)載流子

功率器件
2013-09-06

并聯(lián) 場(chǎng)效應(yīng)管功率MOSFET BSP
二極管的檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)

1 檢測(cè)小功率晶體二極管A 判別正、負(fù)電極(a) 觀察外殼上的的符號(hào)標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號(hào)，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負(fù)極。(b) 觀察外殼上

功率器件
2013-09-06

二極管萬(wàn)用表檢測(cè)方法 TIMES
Vishay推出新款TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET 具超小尺寸、極低導(dǎo)通電阻

器件采用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率

功率器件
2013-09-05

Vishay 功率MOSFET GEN TRENCHFET
從USB獲得高效的雙軌電源

設(shè)計(jì)5V以外電源的小功率USB電路時(shí)，您必須確定是使用獨(dú)立電池，還是使用來(lái)自主機(jī)的小型電源。如果電路需要大于5V的雙軌電源(如采用了基于運(yùn)放的儀表放大器)，或必須用于便攜

功率器件
2013-09-04

USB 電路電源 BSP
Vishay推出新款MOS勢(shì)壘肖特基整流器具有10A和15A器件中業(yè)內(nèi)最低的正向壓降

該器件用于智能手機(jī)和平板電腦充電器，采用TO-277A(SMPC)封裝21ic 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款高電流密度的50V TMBS® Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流

功率器件
2013-09-04

器件 Vishay 壓降 MOS
Linear 推出超高動(dòng)態(tài)范圍 RF 下變頻混頻器 LTC5551

+36dBm IIP3 下變頻混頻器具備前所未有的 2.4dB 轉(zhuǎn)換增益凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超高動(dòng)態(tài)范圍 RF 下變頻混頻器 LTC5551，該器件適用于需要最

功率器件
2013-09-04

下變頻 Linear 變頻混頻器 LTC
如何使用氮化鎵器件：引進(jìn)氮化鎵晶體管技術(shù)

本文是專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們?cè)谖磥?lái)數(shù)個(gè)月將介紹應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù)，并討論其基本設(shè)計(jì)及輔以應(yīng)用范例。硅器件已稱王多時(shí)

功率器件
2013-09-04

晶體管器件氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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基于功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

安森美半導(dǎo)體推出一款新的集成從收發(fā)器

簡(jiǎn)單實(shí)用的三極管逆變器電路設(shè)計(jì)

大功率高壓變頻器的散熱分析

Vishay發(fā)布用于商業(yè)應(yīng)用的低外形SMPD封裝的新款TMBS®整流器

采用低電感器 DCR 檢測(cè)的電流模式控制器可提供諸多優(yōu)于電壓模式控制器的好處

三相無(wú)功功率的測(cè)量

高頻整流二極管的特性與參數(shù)

功率MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)

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