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基于功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計與應(yīng)用
目前國內(nèi)大多數(shù)采用的長延時熱脫扣試驗方案是通過變壓器直接對斷路器施加一個電壓以獲得測試電流。在測試過程中，由于電網(wǎng)電壓的波動、載流電路中引線電阻變化、負載本身電
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安森美半導(dǎo)體推出一款新的集成從收發(fā)器
高能效及強固的NCN5150收發(fā)器極適合遠程抄表應(yīng)用，包括暖氣及冷氣表、電表、水表和燃氣表等多能儀表21ic訊 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor推出一款新的集成從收發(fā)器，用于
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簡單實用的三極管逆變器電路設(shè)計
這是一種性能優(yōu)良的家用逆變電源電路圖，材料易取，輸出功率150W。本電路設(shè)計頻率為300Hz左右，目的是縮小逆變變壓器的體積、重量。輸出波形方波。這款逆變電源可以用在停電
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大功率高壓變頻器的散熱分析
變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調(diào)速裝置不斷地成熟起來，原
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Vishay發(fā)布用于商業(yè)應(yīng)用的低外形SMPD封裝的新款TMBS®整流器
器件的低正向壓降減少了功率損耗并提高效率21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16個新款45V、50V、60V、100V和120V器件，擴充其TMBS® Trench MOS勢
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采用低電感器 DCR 檢測的電流模式控制器 可提供諸多優(yōu)于電壓模式控制器的好處
背景由于微處理器和數(shù)字信號處理器需要在較低的工作電壓條件下獲得越來越高的電流，因此，通過盡量降低電流檢測元件的電阻以最大限度地減少電源傳導(dǎo)損耗就變得更加至關(guān)緊要
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三相無功功率的測量
單相交流電路的無功功率也可以用有功功率表來測這是因為無功功率 如果改變接線方式，使功率表電壓支路的電壓U與電流線圈上的電流i之間的相位差為90°-∮，這時有功功率
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高頻整流二極管的特性與參數(shù)
開關(guān)電源中的整流二極管必須具有正向壓降低、快速恢復(fù)的特點，還應(yīng)具有足夠大的輸出功率，可以采用以下三種類型的整流二極管：快速恢復(fù)整流二極管;超快速恢復(fù)整流二極管;肖
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功率MOSFET場效應(yīng)管的特點
功率MOS場效應(yīng)晶體管全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，簡稱功率MOSFET，它是一種電壓控制器件。根據(jù)載流子
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二極管的檢測方法與經(jīng)驗
1 檢測小功率晶體二極管A 判別正、負電極(a) 觀察外殼上的的符號標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負極。(b) 觀察外殼上
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Vishay推出新款TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET 具超小尺寸、極低導(dǎo)通電阻
器件采用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率
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從USB獲得高效的雙軌電源
設(shè)計5V以外電源的小功率USB電路時，您必須確定是使用獨立電池，還是使用來自主機的小型電源。如果電路需要大于5V的雙軌電源(如采用了基于運放的儀表放大器)，或必須用于便攜
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Vishay推出新款MOS勢壘肖特基整流器 具有10A和15A器件中業(yè)內(nèi)最低的正向壓降
該器件用于智能手機和平板電腦充電器，采用TO-277A(SMPC)封裝21ic 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款高電流密度的50V TMBS® Trench MOS勢壘肖特基整流
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Linear 推出超高動態(tài)范圍 RF 下變頻混頻器 LTC5551
+36dBm IIP3 下變頻混頻器 具備前所未有的 2.4dB 轉(zhuǎn)換增益凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超高動態(tài)范圍 RF 下變頻混頻器 LTC5551，該器件適用于需要最
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如何使用氮化鎵器件：引進氮化鎵晶體管技術(shù)
本文是專為功率系統(tǒng)設(shè)計工程師及工程經(jīng)理而設(shè)的連載文章的第一章。我們在未來數(shù)個月將介紹應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換的氮化鎵技術(shù)，并討論其基本設(shè)計及輔以應(yīng)用范例。硅器件已稱王多時
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