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基于TL494驅(qū)動(dòng)芯片的雙管正激小功率電源
介紹一款基于固定頻率脈寬調(diào)制控制芯片T L494 的30 W 電源, 分析了該電路的結(jié)構(gòu), 給出了具體的電路設(shè)計(jì)和實(shí)驗(yàn)波形。通過(guò)實(shí)驗(yàn)樣機(jī)測(cè)試表明, 該電路實(shí)用可靠, 工作穩(wěn)定。
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少元件的零交叉檢測(cè)器用電量低
有很多電路展示了使用50Hz和60Hz電線(xiàn)的零交叉檢測(cè)器的工作原理。雖然電路有很多種，但是大多數(shù)都有不足之處。本例中展示的電路可使用少量的通用元件來(lái)提供更高的性能，且耗
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使用JESD204B同步多個(gè)ADC
許多通信、儀器儀表和信號(hào)采集系統(tǒng)需要通過(guò)多個(gè)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)對(duì)多個(gè)模擬輸入信號(hào)進(jìn)行同時(shí)采樣。隨后，經(jīng)過(guò)采樣得到的數(shù)據(jù)需被處理以實(shí)現(xiàn)各個(gè)通道的同步，然而他們各自有不
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明偉12V開(kāi)關(guān)電源電路原理分析
該開(kāi)關(guān)電源屬于小功率開(kāi)關(guān)電源，輸入220V交流市電，輸出12V直流電，最大輸出電流1.3A,主要應(yīng)用于小型設(shè)備的供電，比如樓宇監(jiān)控設(shè)備等。其電原理圖如圖1所示。其控制核心器件
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高效緊湊的高壓脈沖電容器恒流充電電源
基于高頻諧振電路研制的高壓脈沖電容器充電電源， 采用IGBT 構(gòu)成電源的軟開(kāi)關(guān)電路和閉環(huán)變頻控制充電電流的方式。對(duì)輸出端負(fù)載大范圍變化引起的諧振頻率漂移， 采用微調(diào)開(kāi)關(guān)時(shí)間， 保證了變換器開(kāi)關(guān)零切換， 顯著降低了導(dǎo)通、關(guān)斷時(shí)IGBT 的損耗。通過(guò)對(duì)100uF 高壓電容器充電實(shí)驗(yàn)， 證明恒流充電電源的恒流效果好、充電重復(fù)精度和效率更高， 在短路狀態(tài)下能安全可靠地工作。
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Vishay推出新款FRED Pt® 超快恢復(fù)整流器減少消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品和電子鎮(zhèn)流器照明中的開(kāi)關(guān)損耗
采用SMA、SMB和SMC封裝的3A～5A整流器提高了功率密度 21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢復(fù)整流器，其中包
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英飛凌推出具備低動(dòng)態(tài)電阻和超低電容的TVS器件 壯大電路保護(hù)產(chǎn)品陣容
21ic訊 英飛凌科技股份公司今日推出一系列可為移動(dòng)電子系統(tǒng)提供一流靜電釋放(ESD)保護(hù)的瞬態(tài)電壓抑制(TVS)器件。ESD102 TVS二極管和陣列器件具備非常低的動(dòng)態(tài)電阻(Rdyn =
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安森美推出兩款新的LGA封裝MOSFET 助力提高移動(dòng)設(shè)備能效及電池使用時(shí)間
單節(jié)及雙節(jié)鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路因高性能倒裝芯片MOSFET而受益21ic訊 安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為
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飛兆半導(dǎo)體100V BoostPak 解決方案提高了可靠性 降低了 LED 應(yīng)用中的系統(tǒng)成本
集成解決方案將 MOSFET 和二極管置于一個(gè)封裝內(nèi)，簡(jiǎn)化了電路板裝配并節(jié)省了空間21ic訊 飛兆半導(dǎo)體公司通過(guò)引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過(guò)程，將
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在選擇一款符合 EN55022 標(biāo)準(zhǔn)的低 EMI 電源之前 您應(yīng)該了解些什么呢?
引言由于市場(chǎng)對(duì)于提升信息技術(shù)和通信設(shè)備性能的需求，因此如今的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員面臨著必需設(shè)計(jì) EMI 兼容產(chǎn)品的巨大挑戰(zhàn)。在銷(xiāo)售之前，所有通常被規(guī)定為具有一個(gè)高于 9kHz 之
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Microchip推出全球第一款可編程USB2控制器集線(xiàn)器 同時(shí)支持USB2和HSIC及多種低功耗模式
七款全新IC還為PC、移動(dòng)設(shè)備、擴(kuò)展基座和顯示器設(shè)計(jì)人員提供了先進(jìn)電池充電及與多種串行協(xié)議橋接的I/O21ic訊 Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布，通過(guò)對(duì)SM
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Vishay大幅擴(kuò)充 E系列650V N溝道功率MOSFET家族
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級(jí)結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30mΩ、電流達(dá)6A～105A，在8種封裝中實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣
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IR推出采用SOT-23-5L封裝的IRS44273L緊湊型低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)IC
21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出采用SOT-23-5L高精密封裝的IRS44273L低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)IC，能夠有效提供高驅(qū)動(dòng)能力。IRS44273L易于使用，為IGBT
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用一個(gè)PWM信號(hào)控制一只LM317T
美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司的LM317T是一種常用的可調(diào)電壓穩(wěn)壓器，能以最大1.5A電流提供1.25V~37V的輸出電壓。用一只電位計(jì)就可以調(diào)節(jié)輸出電壓。圖1中的電路用一個(gè)模擬電壓代替了電
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一種適于軟硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用的具有堅(jiān)固體二極管的新型650V超結(jié)器件
隨著功率密度不斷提高，半橋(例如HID半橋或LLC)和全橋(例如ZVS全橋)等軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涑蔀槔硐氲慕鉀Q方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的動(dòng)態(tài)性能，采用這些拓?fù)淇山档拖到y(tǒng)
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