摘要: 介紹L4970A 大功率單片集成開(kāi)關(guān)電源芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)、電路特點(diǎn)、工作原理和應(yīng)用電路。L4970A 系列大功率單片集成開(kāi)關(guān)電源是ST 公司繼L4960 系列之后推出的第二代產(chǎn)品
摘要: FSD200是一種新型低成本單片開(kāi)關(guān)電源,它具有高效率,低功耗,保護(hù)功能完善,采用了減弱電磁干擾的頻率抖動(dòng),外圍電路簡(jiǎn)單等特點(diǎn)。本文介紹了FSD200的功能原理及在小
21ic訊 Littelfuse公司(電路保護(hù)領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè))現(xiàn)已推出SRDA05系列SPA®瞬態(tài)抑制二極管陣列。 SRDA05系列專(zhuān)門(mén)用于保護(hù)電信數(shù)據(jù)線(xiàn)路不受靜電放電(ESD)和高浪涌事故的
簡(jiǎn)介環(huán)保因素已經(jīng)為當(dāng)代電源設(shè)計(jì)催生新的能效要求。例如,80 PLUS倡議及其銅級(jí)、銀級(jí)和金級(jí)衍生標(biāo)準(zhǔn)(見(jiàn)參考資料[1])迫使臺(tái)式機(jī)及服務(wù)器制造商尋求創(chuàng)新的方案。一項(xiàng)重點(diǎn)就在
器件的目標(biāo)定位是功率轉(zhuǎn)換器、頻率轉(zhuǎn)換器,以及風(fēng)力機(jī)、太陽(yáng)能逆變器和汽車(chē)動(dòng)力總成中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款高性能鍍金屬聚丙
1、基本概念(1) VVVF ?? 改變電壓、改變頻率(Variable Voltage and Variable Frequency)的縮寫(xiě)。 ??(2) CVCF ?? 恒電壓、恒頻率(Constant Voltage and Constant Freq
從某種意義上說(shuō),電容器有點(diǎn)像電池。盡管兩者的工作方式截然不同,但它們都能存儲(chǔ)電能。如果您已經(jīng)閱讀過(guò)電池工作原理,那么您應(yīng)該知道,電池有兩個(gè)電極。在電池內(nèi)部,化學(xué)
隨著城市的擴(kuò)張和科技的發(fā)展,電磁輻射問(wèn)題越來(lái)越突出。目前,電磁污染已經(jīng)成為繼大氣污染、水污染、固體廢物、噪聲污染后的人類(lèi)第五大公害。日前,記者采訪(fǎng)電磁輻射方面有
1 引言隨著電力電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)和超大規(guī)模集成電路技術(shù)的快速發(fā)展,變頻調(diào)速系統(tǒng)趨向數(shù)字化和高集成度方向發(fā)展。傳統(tǒng)的分立元器件逐漸被高可靠性的集成元器件所代替:
溫室效應(yīng)和日漸枯竭的地球資源使得功率電路設(shè)計(jì)中的節(jié)能要求變得越來(lái)越重要。設(shè)計(jì)人員正在尋求效率更高、功耗更低的解決方案,以期減少不必要的能量損失。利用諧振電感和諧
新模塊提供更優(yōu)化的設(shè)計(jì),包括完整的電路原理圖、電感器設(shè)計(jì)和材料清單(BOM)飛兆半導(dǎo)體宣布,已升級(jí)其在線(xiàn)設(shè)計(jì)和仿真工具 Power Supply WebDesigner,可讓設(shè)計(jì)人員在不到一
全新25A、50A和 70A IGBT器件設(shè)計(jì)用于大功率、高性能的工業(yè)應(yīng)用21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)宣布其先進(jìn)的超結(jié)功率MOSFET晶體管系列新增快速開(kāi)關(guān)產(chǎn)品,用于高能效消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算機(jī)和電信系統(tǒng)、照明控制器和太陽(yáng)能設(shè)備。新
射頻功率放大器(RF PA)是各種無(wú)線(xiàn)發(fā)射機(jī)的重要組成部分。在發(fā)射機(jī)的前級(jí)電路中,調(diào)制振蕩電路所產(chǎn)生的射頻信號(hào)功率很小,需要經(jīng)過(guò)一系列的放大一緩沖級(jí)、中間放大級(jí)、末級(jí)功
目前,已經(jīng)可以在1.2V 65nm CMOS技術(shù)的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)8Vpp和脈沖寬度調(diào)制射頻高壓/大功率驅(qū)動(dòng)器。在0.9到3.6GHz的工作頻率范圍內(nèi),該芯片在9V的工作電壓下可向50Ω負(fù)載提供