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大功率電鍍高頻開關(guān)電源的設(shè)計(jì)分析

　摘要：本文根據(jù)電鍍電源的工作特點(diǎn)，提出了選用高頻開關(guān)電源來實(shí)現(xiàn)的電路方案。筆者根據(jù)近年的應(yīng)用實(shí)踐研究，對(duì)在實(shí)踐中比較成功的ZVS PWM軟開關(guān)方案，進(jìn)行了較深入的工作

功率器件
2013-03-11

大功率高頻開關(guān)電源 ZVS 軟開關(guān)
具有溫度監(jiān)視限制功能的單片式降壓型穩(wěn)壓器

引言　　具有電流和溫度監(jiān)視功能的 LTC3626 同步降壓型穩(wěn)壓器是凌力爾特的單片式穩(wěn)壓器 SWITCHER+產(chǎn)品線的首款器件。該器件是一款高效率、單片式同步降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器，其能

功率器件
2013-03-11

溫度電壓穩(wěn)壓器引腳
Vishay發(fā)布采用超小SSOP-4 Mini-Flat封裝的新款低輸入電流光耦

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布兩組具有光電晶體管輸出的新系列4-pin、低輸入電流光耦---VOS618A和VOS617A，擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。這些器件具有1mA

功率器件
2013-03-11

封裝 Vishay 電流光耦
變頻器要加入電抗器及電抗器分類和功能

變壓器容量大于變頻器十倍以上或變壓器容量大于600KVA以上需加裝進(jìn)線電抗器;直流電抗器為改善功率因素用;出線電抗器為保護(hù)電機(jī)和變頻器(出線過長(zhǎng))降低干擾之用.變頻器用到的

功率器件
2013-03-11

變頻器電源變壓器電抗器
IGBT知識(shí)梳理

有關(guān)IGBT你了解多少，今天就隨小編一起來系統(tǒng)的了解一下IGBT吧！IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效

功率器件
2013-03-11

集電極壓降 IGBT MDASH
用HVArc Guard MLCC防止電容器電弧放電

隨著Vishay在高壓多層陶瓷電容器(MLCC)技術(shù)上的一系列突破，Vishsy制造出了一種新的表面貼裝MLCC，比以往任何類型的電容器都更適合鎮(zhèn)流器應(yīng)用。這些新的HVArc Guard電容器采

功率器件
2013-03-08

電容器電弧 MLCC RC
恩智浦發(fā)布采用LFPAK56封裝的汽車功率MOSFET

業(yè)界最全符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的Power-SO8 MOSFET產(chǎn)品組合，可用于眾多汽車應(yīng)用中國(guó)上海，2013年3月8日訊——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼：

功率器件
2013-03-08

汽車恩智浦封裝功率MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司開發(fā)了FCM8531 模擬及數(shù)字集成式電機(jī)控制器

開發(fā)工具及可配置的電機(jī)控制庫最大限度地減少設(shè)計(jì)資源，實(shí)現(xiàn)更快上市21ic訊電機(jī)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)人員目前正在從傳統(tǒng)的通用或交流電機(jī)設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)換到更為成熟的無刷直流(BLDC)電機(jī)或

功率器件
2013-03-08

飛兆半導(dǎo)體模擬數(shù)字集成電機(jī)控制器
光電二極管

三個(gè)硅光電二極管(前兩個(gè))以及一個(gè)鍺光電二極管(最后一個(gè))光電二極管的符號(hào)光電二極管(英語：photodiode )是一種能夠?qū)⒐飧鶕?jù)使用方式，轉(zhuǎn)換成電流或者電壓信號(hào)的光探測(cè)器。

功率器件
2013-03-07

晶體管器件電子光電二極管
電容器的作用

電容器在電子電機(jī)系統(tǒng)中有許多種用途。能量?jī)?chǔ)存當(dāng)電容器和其充電線路分離后，電容器會(huì)儲(chǔ)存能量，因此可作為電池，提供短時(shí)間的電力。電容器常用在配合電池使用的電子設(shè)備中

功率器件
2013-03-06

馬達(dá) 電容器 PI TIMES
基于2SC0108T的即插即用型IGBT驅(qū)動(dòng)器

摘要：針對(duì)IGBT 驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜且保護(hù)功能不盡完善的問題，設(shè)計(jì)了一個(gè)基于2SC0108T的即插即用型IGBT驅(qū)動(dòng)器，以及相應(yīng)的前級(jí)驅(qū)動(dòng)電路、后級(jí)功率驅(qū)動(dòng)電路和故障報(bào)警電路。該驅(qū)

功率器件
2013-03-04

IGBT模塊 IGBT驅(qū)動(dòng)器功率驅(qū)動(dòng)電路 2SC0108T
德州儀器柵極驅(qū)動(dòng)器旨在滿足 IGBT 與 SiC FET 設(shè)計(jì)需求

21ic訊日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級(jí)電源管理柵極驅(qū)動(dòng)器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531

功率器件
2013-03-04

IGBT FET SIC
雙通道控制愛特梅爾推出新LED驅(qū)動(dòng)器

愛特梅爾公司(Atmel® Corporation)宣布推出三種全新雙通道固態(tài)照明LED驅(qū)動(dòng)器，為雙色LED光引擎提供精確的顏色控制。此外，LED驅(qū)動(dòng)器還能為高CRI LED燈提供最高效的電源

功率器件
2013-03-01

愛特梅爾雙通道控制 LED驅(qū)動(dòng)器
過壓保護(hù)原理

要保護(hù)電氣和電子系統(tǒng)重要的是在電磁兼容性保護(hù)區(qū)內(nèi)設(shè)置一套包容全部有源導(dǎo)線在內(nèi)的完整的電位補(bǔ)償系統(tǒng)。過壓保護(hù)裝置中放電器元件的物理特性在實(shí)際應(yīng)用中既有優(yōu)點(diǎn)，亦有缺

功率器件
2013-02-26

二極管過壓保護(hù) 壓敏電阻電位
MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理

金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管

功率器件
2013-02-26

電流 MOSFET 絕緣柵極

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電源

大功率電鍍高頻開關(guān)電源的設(shè)計(jì)分析

具有溫度監(jiān)視限制功能的單片式降壓型穩(wěn)壓器

Vishay發(fā)布采用超小SSOP-4 Mini-Flat封裝的新款低輸入電流光耦

變頻器要加入電抗器及電抗器分類和功能

IGBT知識(shí)梳理

用HVArc Guard MLCC防止電容器電弧放電

恩智浦發(fā)布采用LFPAK56封裝的汽車功率MOSFET

飛兆半導(dǎo)體公司開發(fā)了FCM8531 模擬及數(shù)字集成式電機(jī)控制器

光電二極管

電容器的作用

基于2SC0108T的即插即用型IGBT驅(qū)動(dòng)器

德州儀器柵極驅(qū)動(dòng)器旨在滿足 IGBT 與 SiC FET 設(shè)計(jì)需求

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