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功率器件損耗計(jì)算

功率器件應(yīng)用時(shí)所受到的熱應(yīng)力可能來(lái)源于兩個(gè)方面：器件內(nèi)部和器件外部。器件工作時(shí)所耗散的功率要通過(guò)發(fā)熱形式耗散出去。若器件的散熱能力有限，則功率的耗散就會(huì)造成器件

功率器件
2012-11-07

功率器件器件損耗二極管 TIMES
新穎的均流IC 可輕松平衡兩個(gè)電源

“只許成功，不許失敗”—— 對(duì)于當(dāng)今那些始終保持正常運(yùn)轉(zhuǎn)的電氣基礎(chǔ)設(shè)施 (電信網(wǎng)絡(luò)、互聯(lián)網(wǎng)和電網(wǎng)等) 的設(shè)計(jì)師而言，這很可能是他們的座右銘。問(wèn)題是

功率器件
2012-11-06

MOSFET 電源 IC 二極管
Multisim仿真軟件在發(fā)動(dòng)機(jī)電控設(shè)計(jì)中的應(yīng)用分析

我們知道在電子電路設(shè)計(jì)的初期，往往需要驗(yàn)證電路的準(zhǔn)確性，電子工程師往往是焊接一塊試驗(yàn)板或在面包板上搭接電路，然后通過(guò)測(cè)試儀器進(jìn)行分析和判斷。這種方法耗資耗時(shí)耗力

功率器件
2012-11-05

發(fā)動(dòng)機(jī) 機(jī)電 MULTISIM仿真軟件 MULTISIM7
浪涌信號(hào)與防護(hù)方法

1　引言浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時(shí)間短的尖峰脈沖。其產(chǎn)生原因是多方面的，諸如：電網(wǎng)過(guò)壓、開關(guān)打火、虬源反向、靜電、電機(jī)/電源噪聲等。眾所周知,電子產(chǎn)品在使用中經(jīng)常

功率器件
2012-11-02

信號(hào) 電子設(shè)備防護(hù) 浪涌防護(hù)
微芯擴(kuò)展70 MIPS dsPIC33E DSC和PIC24E MCU

21ic訊 Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布，推出70 MIPS dsPIC33E和PIC24E產(chǎn)品系列的新成員。新器件基于Microchip的電機(jī)控制和通用器件系列，采用了針對(duì)溫度

功率器件
2012-10-29

MIPS MCU DSC PIC24
一種簡(jiǎn)單有效的限流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

引言過(guò)流保護(hù)電路是電源產(chǎn)品中不可缺少的一個(gè)組成部分，根據(jù)其控制方法大致可以分為關(guān)斷方式和限流方式。限流方式由于其具有電流下垂特性，故障解除后開關(guān)電源能自動(dòng)恢復(fù)

功率器件
2012-10-29

反激變換器限流保護(hù)電路 IO BSP
功率器件的選擇

由于本設(shè)計(jì)中的變換器的應(yīng)用場(chǎng)合的電壓和電流都比較大，則除考慮效率因素外，選擇高性能功率器件是保證功放性能的重要環(huán)節(jié)。功率器件的特性主要有安全特性、開關(guān)特性和驅(qū)動(dòng)

功率器件
2012-10-25

開關(guān)器件功率開關(guān) MIDDOT 功率器件
安森美擴(kuò)充針對(duì)電機(jī)控制、太陽(yáng)能及不斷間電源應(yīng)用的高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT陣容

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場(chǎng)截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。這些新器件提升系統(tǒng)總體開關(guān)能效，降低功

功率器件
2012-10-25

太陽(yáng)能電機(jī)控制電源 IGBT
Vishay推出其E系列600V功率MOSFET新增17款新器件

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39mΩ～600mΩ，將

功率器件
2012-10-22

器件 Vishay 功率MOSFET BSP
IDT推出采用萬(wàn)能型分段非線性補(bǔ)償技術(shù)的三相計(jì)量芯片

IDT®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案，IDT 今天發(fā)布業(yè)界首款采用萬(wàn)能型

功率器件
2012-10-16

器件芯片 IDT 非線性補(bǔ)償
吉時(shí)利推出具有超低電流分辨率的雙通道皮安表電壓源

21ic訊吉時(shí)利儀器公司通過(guò)推出6482型雙通道皮安表/電壓源不斷擴(kuò)大其在低電平測(cè)量領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，該皮安表包括兩個(gè)±30V的獨(dú)立電源，具有1fA測(cè)量分辨率。6482型皮安

功率器件
2012-10-16

電流雙通道電壓源 MIDDOT
安森美半導(dǎo)體推出新的時(shí)鐘及數(shù)據(jù)、開關(guān)及保護(hù)器件

21ic訊安森美半導(dǎo)體企業(yè)營(yíng)銷副總裁David Somo說(shuō)：“安森美半導(dǎo)體身為PCI特別興趣小組(PCI-SIG)的成員，持續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品陣容，為網(wǎng)絡(luò)及通信客戶提供其要求的先進(jìn)接口。這

功率器件
2012-10-16

開關(guān) 安森美半導(dǎo)體時(shí)鐘保護(hù)器件
功率器件熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算

引言當(dāng)前，電子設(shè)備的主要失效形式就是熱失效。據(jù)統(tǒng)計(jì)，電子設(shè)備的失效有55%是溫度超過(guò)規(guī)定值引起的，隨著溫度的增加，電子設(shè)備的失效率呈指數(shù)增長(zhǎng)。所以，功率器件熱設(shè)計(jì)是

功率器件
2012-10-11

熱阻散熱器 PD 功率器件
怎樣去選擇好逆變器功率器件

逆變器的主功率元件的選擇至關(guān)重要，目前使用較多的功率元件有達(dá)林頓功率晶體管(GTR)，功率場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)，絕緣柵晶體管(IGBT)和可關(guān)斷晶閘管(GTO)等。在小容量低壓系統(tǒng)

功率器件
2012-10-11

溫度逆變器功率MOSFET 功率器件
臺(tái)達(dá)InfraSuite數(shù)據(jù)中心解決方案全新升級(jí)

臺(tái)達(dá)集團(tuán)作為全球交換式電源供應(yīng)器與無(wú)刷直流風(fēng)扇的領(lǐng)廠商，在多項(xiàng)產(chǎn)品與技術(shù)領(lǐng)域能夠提供高效節(jié)能解決方案。近日臺(tái)達(dá)關(guān)鍵基礎(chǔ)架構(gòu)事業(yè)部(MCIS BU)宣布，臺(tái)達(dá)InfraSuite數(shù)據(jù)

功率器件
2012-10-11

數(shù)據(jù)中心 UPS TE UI

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電源

功率器件損耗計(jì)算

新穎的均流IC 可輕松平衡兩個(gè)電源

Multisim仿真軟件在發(fā)動(dòng)機(jī)電控設(shè)計(jì)中的應(yīng)用分析

浪涌信號(hào)與防護(hù)方法

微芯擴(kuò)展70 MIPS dsPIC33E DSC和PIC24E MCU

一種簡(jiǎn)單有效的限流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

功率器件的選擇

安森美擴(kuò)充針對(duì)電機(jī)控制、太陽(yáng)能及不斷間電源應(yīng)用的高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT陣容

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安森美半導(dǎo)體推出新的時(shí)鐘及數(shù)據(jù)、開關(guān)及保護(hù)器件

功率器件熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算

怎樣去選擇好逆變器功率器件

臺(tái)達(dá)InfraSuite數(shù)據(jù)中心解決方案全新升級(jí)

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