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功率器件損耗計算
功率器件應用時所受到的熱應力可能來源于兩個方面：器件內部和器件外部。器件工作時所耗散的功率要通過發(fā)熱形式耗散出去。若器件的散熱能力有限，則功率的耗散就會造成器件
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新穎的均流IC 可輕松平衡兩個電源
“只許成功，不許失敗”—— 對于當今那些始終保持正常運轉的電氣基礎設施 (電信網絡、互聯(lián)網和電網等) 的設計師而言，這很可能是他們的座右銘。問題是
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Multisim仿真軟件在發(fā)動機電控設計中的應用分析
我們知道在電子電路設計的初期，往往需要驗證電路的準確性，電子工程師往往是焊接一塊試驗板或在面包板上搭接電路，然后通過測試儀器進行分析和判斷。這種方法耗資耗時耗力
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浪涌信號與防護方法
1 引言浪涌是一種上升速度高、持續(xù)時間短的尖峰脈沖。其產生原因是多方面的，諸如：電網過壓、開關打火、虬源反向、靜電、電機/電源噪聲等。眾所周知,電子產品在使用中經常
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微芯擴展70 MIPS dsPIC33E DSC和PIC24E MCU
21ic訊 Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布，推出70 MIPS dsPIC33E和PIC24E產品系列的新成員。新器件基于Microchip的電機控制和通用器件系列，采用了針對溫度
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一種簡單有效的限流保護電路的設計
引言 過流保護電路是電源產品中不可缺少的一個組成部分，根據(jù)其控制方法大致可以分為關斷方式和限流方式。限流方式由于其具有電流下垂特性，故障解除后開關電源能自動恢復
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功率器件的選擇
由于本設計中的變換器的應用場合的電壓和電流都比較大，則除考慮效率因素外，選擇高性能功率器件是保證功放性能的重要環(huán)節(jié)。功率器件的特性主要有安全特性、開關特性和驅動
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安森美擴充針對電機控制、太陽能及不斷間電源應用的高性能溝槽型場截止IGBT陣容
安森美半導體(ON Semiconductor)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。這些新器件提升系統(tǒng)總體開關能效，降低功
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Vishay推出其E系列600V功率MOSFET新增17款新器件
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件，將該系列MOSFET在10V下的導通電阻擴展到39mΩ～600mΩ，將
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IDT推出采用萬能型分段非線性補償技術的三相計量芯片
IDT®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 擁有模擬和數(shù)字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案，IDT 今天發(fā)布業(yè)界首款采用萬能型
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吉時利推出具有超低電流分辨率的雙通道皮安表電壓源
21ic訊 吉時利儀器公司通過推出6482型雙通道皮安表/電壓源不斷擴大其在低電平測量領域的領導地位，該皮安表包括兩個±30V的獨立電源，具有1fA測量分辨率。6482型皮安
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安森美半導體推出新的時鐘及數(shù)據(jù)、開關及保護器件
21ic訊 安森美半導體企業(yè)營銷副總裁David Somo說：“安森美半導體身為PCI特別興趣小組(PCI-SIG)的成員，持續(xù)擴充產品陣容，為網絡及通信客戶提供其要求的先進接口。這
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功率器件熱設計及散熱計算
引言當前，電子設備的主要失效形式就是熱失效。據(jù)統(tǒng)計，電子設備的失效有55%是溫度超過規(guī)定值引起的，隨著溫度的增加，電子設備的失效率呈指數(shù)增長。所以，功率器件熱設計是
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怎樣去選擇好逆變器功率器件
逆變器的主功率元件的選擇至關重要，目前使用較多的功率元件有達林頓功率晶體管(GTR)，功率場效應管(MOSFET)，絕緣柵晶體管(IGBT)和可關斷晶閘管(GTO)等。在小容量低壓系統(tǒng)
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臺達InfraSuite數(shù)據(jù)中心解決方案全新升級
臺達集團作為全球交換式電源供應器與無刷直流風扇的領廠商，在多項產品與技術領域能夠提供高效節(jié)能解決方案。近日臺達關鍵基礎架構事業(yè)部(MCIS BU)宣布，臺達InfraSuite數(shù)據(jù)
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