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采用脈寬調(diào)制控制方式的逆變電路解析方案
1 引言無源逆變技術(shù)在交流電動機調(diào)速、不間斷電源、交-直-交變頻電路等方面已經(jīng)有了非常廣泛的應(yīng)用。而脈寬調(diào)制技術(shù)更是以其諧波抑制、動態(tài)響應(yīng)、頻率和效率等方面的明顯優(yōu)勢取得了很大的發(fā)展。特別是在自關(guān)斷器件出
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保護放大器輸出免受過載電壓影響的電路
汽車電子產(chǎn)品的一個普遍要求是直接連接到配線裝置，必須能夠經(jīng)得起電池電壓的短路。雖然殘酷，但這項規(guī)定對可靠性與安全來說是必要的。一個需要這種保護的例子是用于汽車內(nèi)部產(chǎn)生間接噪聲的音頻放大器。雖然工作
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幾大LED背光/照明驅(qū)動IC介紹
一、型號：BL8532工作方式：PFM; 輸入電壓：0.8-10/V; 輸出電壓：恒流反饋電壓200-500MV; 靜態(tài)功耗：15UA; 工作頻率：150KHZ; 效 率：87%; 開關(guān)管：內(nèi)置; 電流：500MA;封裝：SOT-89-5.概述：BL8532 是針對LED 應(yīng)用設(shè)
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基于SIM900A的物聯(lián)網(wǎng)短信報警系統(tǒng)
摘要：基于SIMCOM公司的SIM900A模塊針對農(nóng)業(yè)溫室環(huán)境設(shè)計了物聯(lián)網(wǎng)報警系統(tǒng)。該系統(tǒng)可以完成對溫室內(nèi)空氣溫濕度等環(huán)境參數(shù)的采集；同時系統(tǒng)利用AT指令完成了自動收發(fā)短信功能，實現(xiàn)對環(huán)境參數(shù)超閡值的自動報警和設(shè)備余
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IGBT在不間斷電源中的應(yīng)用
1.引言在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT成為UPS功率設(shè)計的
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大功率半導(dǎo)體激光控制器的設(shè)計方案
近年來,隨著光電技術(shù)的迅猛發(fā)展,激光器已廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、國防、測量等各個領(lǐng)域。而環(huán)境溫度變化會直接影響激光器的波長。把關(guān)鍵元件(如高性能晶振、SAW 濾波器、光放大器、激光二極管) 的本機溫度限制在窄范圍內(nèi),可
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LinkZero-Ax零待機功耗集成離線式轉(zhuǎn)換開關(guān)
摘要：LinkZero-AX芯片集成了電源控制器和一個700V的功率MOSFET開關(guān)，經(jīng)簡單配置而成的隔離或非隔離輔助電源，通過簡單開／關(guān)控制調(diào)整輸出電壓，在待機／掉電模式下的功耗小于3mW，乃至接近于零。 關(guān)鍵詞：LinkZero
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開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動電路介紹及分析
開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點，應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動功率低等優(yōu)點已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能
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采用升壓型APFC技術(shù)的AC/DC開關(guān)電源變換器設(shè)計
1 問題 隨著生產(chǎn)的發(fā)展和技術(shù)的進步，特別是各種具有整流入端的電力電子負載的廣泛應(yīng)用，即各種非線性的、時變的負載和設(shè)備的大量涌現(xiàn)，電力系統(tǒng)中產(chǎn)生大量諧波并對電力系統(tǒng)的安全運行產(chǎn)生威脅。電力系統(tǒng)的諧波問
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高精度穩(wěn)流電源電路設(shè)計
1 前 言 作為電真空微波放大管的一種，速調(diào)管以其功率大﹑效率高的優(yōu)勢得到了廣泛的應(yīng)用。而速調(diào)管一般都需要外加一個聚焦磁場。為了使速調(diào)管電子槍所打出的電子注不被散射損耗掉，這就要求磁場電源具有較好的電
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D系列MOSFET采用高壓條帶技術(shù)
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其下一代D系列高壓功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n溝道器件具有低導(dǎo)通電阻、超低柵極電荷和3A～36A電流，采用多種封裝。今天發(fā)布的D系列MOSFET基
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TrenchFET® Gen IV 30V N溝道功率MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計，在
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Vishay發(fā)布4款新型D/CRCWe3厚膜片式電阻的工程設(shè)計包
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計，在
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LinkZero-Ax零待機功耗集成離線式轉(zhuǎn)換開關(guān)
摘要：LinkZero-AX芯片集成了電源控制器和一個700V的功率MOSFET開關(guān)，經(jīng)簡單配置而成的隔離或非隔離輔助電源，通過簡單開／關(guān)控制調(diào)整輸出電壓，在待機／掉電模式下的功耗小于3mW，乃至接近于零。 關(guān)鍵詞：LinkZero
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GreenPoint 32英寸高壓LIPS液晶電視電源參考設(shè)計
32英寸及更大尺寸的主流液晶電視電源要求產(chǎn)生多個電壓軌來為音頻、背光及信號處理等不同系統(tǒng)模塊供電。其中，信號處理板上使用本地線性及DC-DC轉(zhuǎn)換器來提供不同的低壓軌。對于制造商而言，通常使用通用電源，支持90至
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