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飛兆半導(dǎo)體推出30V PowerTrench® MOSFET
21ic訊 在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動之下，電源設(shè)計人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.
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采用塑料封裝和IMS襯底的混合動力汽車功率IGBT模塊
混合動力電動汽車(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2，最新車型甚至可能把排放量降得更多。但是，HEV需要大功率的成本效益型電源開關(guān)，到目前為止，大功率開關(guān)產(chǎn)品因為成本高，可靠性達不到汽車應(yīng)用的期望，而無法適
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3G手機電源管理的設(shè)計趨勢
不斷增多的功能使手機設(shè)計面臨更嚴(yán)峻的電源管理挑戰(zhàn)。本文從電壓轉(zhuǎn)換、穩(wěn)壓、閃光燈電路、電池充電等方面分析了未來手機的電源管理設(shè)計趨勢和各種相應(yīng)的解決方案。3G手機不僅可以瀏覽網(wǎng)頁、發(fā)送電子郵件、拍攝數(shù)碼相
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先進的汽車動力電氣系統(tǒng)開創(chuàng)混合動力新時代
集成啟動器交流發(fā)動機(integrated starter alternator, ISA)技術(shù)是實現(xiàn)混合動力汽車的核心技術(shù)之一，該技術(shù)的進一步發(fā)展取決于新型動力電氣技術(shù)的發(fā)展。IR公司的Steve Clemente和Toshio Takahashi研究了這項技術(shù)的發(fā)
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IGBT-汽車點火系統(tǒng)中的佼佼者
新一代點火系統(tǒng)IGBT為火花塞系統(tǒng)的線圈度身定制，正快速成為主流點火拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。幾何學(xué)和摻雜分布圖的進步可使電路小片和封裝的尺寸更小型化，且無需犧牲最重要的閂鎖電阻和雪崩能量容量的穩(wěn)健性。如今，IGBT的產(chǎn)品已
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專家解讀LED吸頂燈及其驅(qū)動電源
2012年將是LED全面、大規(guī)模進入家庭的一年。美國家庭中主要是采用E26型的白熾燈。但在中國的城市家庭中則很少有人還用白熾燈，而大多數(shù)采用彎曲熒光燈管的吸頂燈。如何生產(chǎn)價格低廉、性能良好的LED吸頂燈將是對于LED
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基于80C196KC的軟開關(guān)型脈沖MIG焊機的研究
摘要：根據(jù)脈沖MIG(Metal Inert Gas)焊工藝特點，設(shè)計了基于80C196KC控制的軟開關(guān)型脈沖MIG焊機。采用單片機80C196KC作為控制系統(tǒng)的核心，主電路采用軟開關(guān)式全橋逆變結(jié)構(gòu)，功率開關(guān)器件為絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，逆
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新型Buck-Boost變換器在感應(yīng)加熱電源中的應(yīng)用
摘要：針對傳統(tǒng)感應(yīng)加熱電源中直流斬波環(huán)節(jié)開關(guān)損耗大、調(diào)壓范圍窄的缺點，提出一種新型的Buck-Boost軟斬波電路，通過增加輔助開關(guān)管和諧振元件實現(xiàn)了主開關(guān)、輔助開關(guān)和主續(xù)流二極管的軟開通和軟關(guān)斷。這里以180 kH
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基于LLC諧振的LED驅(qū)動電源設(shè)計
摘要：針對大功率LED路燈照明應(yīng)用，使用諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)解決驅(qū)動電源的效率問題。驅(qū)動電路前級采用臨界電流模式(BCM)下的升壓(Boost)拓?fù)鋵崿F(xiàn)AC／DC變換和PFC功能，后級采用LLC半橋拓?fù)錁?gòu)建DC／DC恒流源。兩級結(jié)構(gòu)能充分
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淺談基于C8051F340的低頻超聲透皮儀應(yīng)用設(shè)計案例
經(jīng)皮給藥系統(tǒng)在醫(yī)療領(lǐng)域已成為一種新興和重要的手段。經(jīng)皮給藥是藥物通過皮膚并經(jīng)毛細血管吸收進入體循環(huán)產(chǎn)生藥效的一種方法，它可避免肝臟的首過效應(yīng)，延長半衰期較短藥物的治療效果，能較長時間維持恒定的速率給藥
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詳解電容在電源中所起到的作用
作為無源元件之一的電容，其作用不外乎以下幾種：1、應(yīng)用于電源電路，實現(xiàn)旁路、去藕、濾波和儲能方面電容的作用，下面分類詳述之：1)濾波濾波是電容的作用中很重要的一部分。幾乎所有的電源電路中都會用到。從理論上
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Vishay發(fā)布新款單片在線路薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新款通過MIL-PRF-83401認(rèn)證(標(biāo)準(zhǔn)碼57489)的通孔、單片在線路薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)。M83401具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，5ppm/℃的TCR跟蹤和&plus
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Vishay Siliconix 30 V P溝道芯片級MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件，擴充其MICRO FOOT® TrenchFET® Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.
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Vishay新款Power Metal Strip®儀表分流電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布采用2906尺寸封裝的新款Power Metal Strip®儀表分流電阻，該電阻具有3W的功率和最低300µΩ的極低阻值。WSMS2906儀表分流電阻采
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Vishay推出采用透明和黑色樹脂T1塑料PIN光電二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款具有高發(fā)光靈敏度和快速開關(guān)時間的高速硅PIN光電二極管，二極管采用透明和黑色樹脂T1塑料封裝，擴大了Vishay的光電子產(chǎn)品組合。TEFD4300和TEFD4300F采用3mm透鏡，具
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