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空間受限的高密度DC/DC電源設(shè)計
引言 高性能電源設(shè)計繼續(xù)要求在日漸縮小的板上空間中提供更高的功率。更高的電源密度對電源設(shè)計師提出了新的挑戰(zhàn)。設(shè)計必須具有高于 90% 的轉(zhuǎn)換效率，以限制功耗和電源中的溫升。由于 DC/DC 電源轉(zhuǎn)換的損耗和
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AB類與D類放大器的比較
D類音頻放大器采用脈寬調(diào)制(PWM)信號而不是AB類放大器通常采用的線性信號，這里的PWM 信號涵蓋了音頻信號以及PWM開關(guān)頻率與諧波，為非線性信號。D類放大器比AB類放大器效率高得多，因為輸出級的MOSFET管可從極高阻抗
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抽油機井變頻柜在油田現(xiàn)場的應用詳細介紹
一、前言新木采油廠地處吉林省松原市西北部，是一個低孔低滲的復雜斷塊油藏，開井938口，其中抽油機井899口，螺桿泵井有38口，自噴井有1口，抽油機舉升是主要的采油方式。2005年在系統(tǒng)耗電中，采油系統(tǒng)耗電量占全廠
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相控電源改造方案分析
摘要：從高頻開關(guān)電源的性能優(yōu)勢、智能化優(yōu)勢及經(jīng)濟效益優(yōu)勢等幾方面論述了目前通信系統(tǒng)中相控電源改造的必然趨勢。關(guān)鍵詞：相控高頻開關(guān)改造On Modification of Phase Control Power Supply Abrsect: According to
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高頻開關(guān)電源系統(tǒng)的主要技術(shù)參數(shù)分析
高頻開關(guān)電源額定直流輸出電壓、浮充電壓、均充電壓、功率因數(shù)、穩(wěn)壓精度、效率、雜音電壓(不接蓄電池組) 、電池溫度補償?shù)取? 1、額定直流輸出電壓：指市電經(jīng)整流模塊變換后的額定輸出電壓，正選的電源電壓為-48
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電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的 MOSFET 選擇
DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種
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一種改進的H橋驅(qū)動電路
驅(qū)動一個中、小功率永磁直流電機的傳統(tǒng)方式是采用搭成H橋結(jié)構(gòu)的四支MOSFET或雙極晶體管。例如在圖 1 中，電機連接在集電極對C1、C2和C3、C4之間。由沿對角方向?qū)ǖ南鄳w管對Q1與Q3，或Q2和Q4控制流經(jīng)電機的電流
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車載接收衛(wèi)星電視直播節(jié)目的天線自動跟蹤系統(tǒng)
市場需求“十五”期間我國將成為世界大型客車生產(chǎn)基地，但目前的豪華客車上都沒有裝備可移動接收衛(wèi)星電視節(jié)目的天線自動跟蹤系統(tǒng)，只能收看影碟。大型國際運動會上，運動員希望在乘車途中收看實時的電視轉(zhuǎn)
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電力電子技術(shù)領(lǐng)域中的研究熱點
1 前言中國電工技術(shù)學會電力電子學會于2010 年在哈爾濱舉行了第十二屆學術(shù)年會， 諸多國內(nèi)從事電力電子技術(shù)領(lǐng)域的一流專家、學者、教授、企業(yè)家濟濟一堂， 就當前所關(guān)注的電力電子技術(shù)領(lǐng)域主要方向、熱點進行報告、研
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冗余電源與UPS電源的區(qū)別
電源冗余一般可以采取的方案有容量冗余、冗余冷備份、并聯(lián)均流的N+1備份、冗余熱備份等方式。容量冗余是指電源的最大負載能力大于實際負載，這對提高可靠性意義不大。冗余冷備份是指電源由多個功能相同的模塊組成，正
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從以太網(wǎng)絡(luò)供電獲得最大功率的方法
從以太網(wǎng)絡(luò)供電獲得最大功率的解決方案：下降法DC/DC并聯(lián)電源普遍使用的一項技術(shù)，就是所謂的下降法。如果并聯(lián)電源的輸出電壓降低，負載電流升高，并聯(lián)電源將會分享電流。這種方式不需要在電源之間通訊，也不會出現(xiàn)單
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基于單片機的低功耗投影儀的RGB LED驅(qū)動器設(shè)計
本應用筆記介紹了低功耗投影儀的RGB LED驅(qū)動器參考設(shè)計。該設(shè)計利用單片MAX16821 HB LED驅(qū)動器在每一時刻驅(qū)動一個RGB LED。這種方法減少了元件數(shù)量，獲得高效、小巧且經(jīng)濟的設(shè)計。文中給出了電路板布局和測試結(jié)果。
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CypressCY3268PowerPSoC智能LED照明解決方案
LED驅(qū)動器采用可編程片上系統(tǒng)(PSoC)技術(shù),具有最好比的功率控制器和開關(guān)器件,可以替代傳統(tǒng)的MCU,系統(tǒng)IC和大量的分立器件,并集成了1A 2MHz FET,滯后控制器,電流檢測放大器和PrISM/PWM調(diào)制器,能容易創(chuàng)建照明應用的電源片
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新型IGBT系統(tǒng)電路保護設(shè)計的解決方案
IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、低飽和電壓
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數(shù)字式光伏電池陣列模擬器的研制
1 引言 太陽能作為一種新型的可再生資源受到越來越廣泛的重視，但在光伏系統(tǒng)的研發(fā)過程中，太陽能電池陣列由于實驗受到日照強度、環(huán)境溫度的影響，導致實驗成本過高，研發(fā)周期變長。光伏電池陣列模擬器可以大大縮短光
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