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TE推出RTP器件最新成員RTP200R060SA

21ic訊 TE電路保護(hù)部宣布推出其可回流焊熱保護(hù)（RTP）器件系列的最新成員RTP200R060SA器件，該RTP系列是典型熱保險(xiǎn)絲的一種更便利的、高性價(jià)比的替代方案。RTP器件有助于防止因各種場效應(yīng)管（MOSFET）、電容、集成電

功率器件
2011-10-21

器件 TE 熱熔溫度
開關(guān)電源紋波的產(chǎn)生原因及抑制方法

開關(guān)電源紋波的產(chǎn)生　　我們最終的目的是要把輸出紋波降低到可以忍受的程度，達(dá)到這個(gè)目的最根本的解決方法就是要盡量避免紋波的產(chǎn)生，首先要清楚開關(guān)電源紋波的種類和產(chǎn)生原因?！　‰S著SWITCH的開關(guān)，電感L中的電流

功率器件
2011-10-19

開關(guān)電源二極管電源紋波輸出電容
數(shù)字電源轉(zhuǎn)換的方案設(shè)計(jì)

模擬工程師以前在設(shè)計(jì)需要具有多路輸出、動(dòng)態(tài)負(fù)載共享、熱插拔或廣泛故障處理能力的電源時(shí)，往往需要與復(fù)雜性抗?fàn)?。利用模擬電路來實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)控制功能并非總是經(jīng)濟(jì)有效或靈活的。采用模擬技術(shù)設(shè)計(jì)電源需要使用“過

功率器件
2011-10-19

數(shù)字電源控制環(huán)路 BSP DSC
高頻率、高輸入DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)實(shí)例

DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)頻率越來越快，目的是減小輸出電容和電感的尺寸，以節(jié)省電路板空間。正因如此，現(xiàn)在市場上出現(xiàn)越來越多工作在高輸入電壓下的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其可提供線壓瞬態(tài)保護(hù)，更低的占空比使更快頻率下難以達(dá)到

功率器件
2011-10-19

輸出電壓開關(guān)頻率 DC/DC轉(zhuǎn)換器 BSP
基于脈沖序列控制技術(shù)的降壓型開關(guān)電源

引言　　近年來，隨著電子技術(shù)和信息技術(shù)迅速發(fā)展，開關(guān)電源成為了電子工程領(lǐng)域應(yīng)用和研究的熱點(diǎn)。與線性電源相比，開關(guān)電源在效率、功率密度、成本等方面顯示出了明顯的優(yōu)勢，目前已經(jīng)成為主要的DC-DC變換設(shè)備。

功率器件
2011-10-19

控制技術(shù) 開關(guān)電源脈沖序列 BSP
TE電路保護(hù)部推出新一代可回流焊熱保護(hù)（RTP）器件

21ic訊 TE電路保護(hù)部宣布推出其可回流焊熱保護(hù)（RTP）器件系列的最新成員RTP200R060SA器件，該RTP系列是典型熱保險(xiǎn)絲的一種更便利的、高性價(jià)比的替代方案。RTP器件有助于防止因各種場效應(yīng)管（MOSFET）、電容、集成電

功率器件
2011-10-18

電路保護(hù) 熱保護(hù) 器件 TE
Vishay Siliconix推出超小N溝道和P溝道功率MOSFET

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M

功率器件
2011-10-17

Vishay 導(dǎo)通電阻功率MOSFET SILICONIX
TI推出兩款相位可調(diào)光離線 LED 照明驅(qū)動(dòng)器

21ic訊日前，德州儀器 (TI) 在歐洲照明技術(shù)策略大會(huì) (the Strategies in Light Europe conference) 上宣布推出兩款高度集成的相位可調(diào)光 AC/DC LED 照明驅(qū)動(dòng)器 LM3448 與 TPS92070，其適用于住宅、建筑、商業(yè)以及工

功率器件
2011-10-17

LED 驅(qū)動(dòng)器相位照明
IR 擴(kuò)充SupIRBuck在線設(shè)計(jì)工具

21ic訊國際整流器公司今天宣布已為 SupIRBuck 集成式負(fù)載點(diǎn) (POL) 穩(wěn)壓器系列擴(kuò)充在線設(shè)計(jì)工具，其中包括使用可提升輕載效率的滯后恒定導(dǎo)通時(shí)間 (COT) 控制的全新器件。 http://mypower.irf.com/SupIRBuck 上已

功率器件
2011-10-16

穩(wěn)壓器 BUCK PI 器件
汽車環(huán)境中要求高性能電源轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)

汽車和重型設(shè)備環(huán)境對(duì)任何類型的電子產(chǎn)品而言都是非常嚴(yán)酷的。寬工作電壓要求結(jié)合大的電壓瞬態(tài)和寬溫度變化范圍，這些因素合起來使電子系統(tǒng)處于非常艱難的工作環(huán)境。使考慮因素更加復(fù)雜的是，電子系統(tǒng)中的電壓軌數(shù)量

功率器件
2011-10-16

汽車電源輸出電流 LTC
安森美半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)高能效、低待機(jī)能耗及功率因數(shù)校正的電源和適配器方案

為了提高電源能效及節(jié)能，世界各國包括中國都制定了針對(duì)電源能效的規(guī)范。半導(dǎo)體是實(shí)現(xiàn)高能效電子產(chǎn)品的重要環(huán)節(jié)，可以提供滿足全球市場相關(guān)規(guī)范的解決方案。安森美半導(dǎo)體是其中的代表企業(yè)，其所提供的電源和適配器可

功率器件
2011-10-15

安森美半導(dǎo)體適配器電源功率因數(shù)校正
如何進(jìn)行IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)

本文論述了IGBT的過流保護(hù)、過壓保護(hù)與過熱保護(hù)相關(guān)問題，并從實(shí)際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護(hù)方法，這些方法實(shí)用性強(qiáng)，保護(hù)效果好，是IGBT保護(hù)電路設(shè)計(jì)必備知識(shí)。 IGBT（絕緣柵雙極性晶體管）是一種用MOS來控制晶體管的

功率器件
2011-10-12

電路設(shè)計(jì) 保護(hù)電路 IGBT BSP
5S2P AR111 LED燈的驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)

本文介紹了一個(gè)用于2并5串(5S2P)組合的AR111 LED燈的驅(qū)動(dòng)器參考設(shè)計(jì)。　　概述　　本參考設(shè)計(jì)以MAX16819為主控制器，為5S2P AR111 LED燈提供buck-boost驅(qū)動(dòng)方案。圖1為電路原理圖，圖2給出了設(shè)計(jì)布局圖?！　∪缦聻殡?/p>
功率器件
2011-10-11

驅(qū)動(dòng)器 LED燈溫度
德州儀器壯大面向負(fù)載點(diǎn)設(shè)計(jì)PMBus電源解決方案

21ic訊日前，德州儀器 (TI) 宣布面向非隔離式負(fù)載點(diǎn)設(shè)計(jì)推出 2 款具有 PMBus 數(shù)字接口與自適應(yīng)電壓縮放功能的 20 V 降壓穩(wěn)壓器。加上 NS系統(tǒng)電源保護(hù)及管理產(chǎn)品，TI 為設(shè)計(jì)工程師提供完整的單、雙及多軌多相位 PMBu

功率器件
2011-10-10

電源解決方案 PMBUS
Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于

功率器件
2011-10-10

Vishay MOSFET SILICONIX 器件

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TE推出RTP器件最新成員RTP200R060SA

開關(guān)電源紋波的產(chǎn)生原因及抑制方法

數(shù)字電源轉(zhuǎn)換的方案設(shè)計(jì)

高頻率、高輸入DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)實(shí)例

基于脈沖序列控制技術(shù)的降壓型開關(guān)電源

TE電路保護(hù)部推出新一代可回流焊熱保護(hù)（RTP）器件

Vishay Siliconix推出超小N溝道和P溝道功率MOSFET

TI推出兩款相位可調(diào)光離線 LED 照明驅(qū)動(dòng)器

IR 擴(kuò)充SupIRBuck在線設(shè)計(jì)工具

汽車環(huán)境中要求高性能電源轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)

安森美半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)高能效、低待機(jī)能耗及功率因數(shù)校正的電源和適配器方案

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