21ic訊 TE電路保護部宣布推出其可回流焊熱保護(RTP)器件系列的最新成員RTP200R060SA器件,該RTP系列是典型熱保險絲的一種更便利的、高性價比的替代方案。RTP器件有助于防止因各種場效應(yīng)管(MOSFET)、電容、集成電
開關(guān)電源紋波的產(chǎn)生 我們最終的目的是要把輸出紋波降低到可以忍受的程度,達到這個目的最根本的解決方法就是要盡量避免紋波的產(chǎn)生,首先要清楚開關(guān)電源紋波的種類和產(chǎn)生原因?! ‰S著SWITCH的開關(guān),電感L中的電流
模擬工程師以前在設(shè)計需要具有多路輸出、動態(tài)負載共享、熱插拔或廣泛故障處理能力的電源時,往往需要與復(fù)雜性抗爭。利用模擬電路來實現(xiàn)系統(tǒng)控制功能并非總是經(jīng)濟有效或靈活的。采用模擬技術(shù)設(shè)計電源需要使用“過
DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計頻率越來越快,目的是減小輸出電容和電感的尺寸,以節(jié)省電路板空間。正因如此,現(xiàn)在市場上出現(xiàn)越來越多工作在高輸入電壓下的DC/DC轉(zhuǎn)換器,其可提供線壓瞬態(tài)保護,更低的占空比使更快頻率下難以達到
引言 近年來, 隨著電子技術(shù)和信息技術(shù)迅速發(fā)展,開關(guān)電源成為了電子工程領(lǐng)域應(yīng)用和研究的熱點。與線性電源相比, 開關(guān)電源在效率、功率密度、成本等方面顯示出了明顯的優(yōu)勢, 目前已經(jīng)成為主要的DC-DC變換設(shè)備。
21ic訊 TE電路保護部宣布推出其可回流焊熱保護(RTP)器件系列的最新成員RTP200R060SA器件,該RTP系列是典型熱保險絲的一種更便利的、高性價比的替代方案。RTP器件有助于防止因各種場效應(yīng)管(MOSFET)、電容、集成電
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M
21ic訊 日前,德州儀器 (TI) 在歐洲照明技術(shù)策略大會 (the Strategies in Light Europe conference) 上宣布推出兩款高度集成的相位可調(diào)光 AC/DC LED 照明驅(qū)動器 LM3448 與 TPS92070,其適用于住宅、建筑、商業(yè)以及工
21ic訊 國際整流器公司 今天宣布已為 SupIRBuck 集成式負載點 (POL) 穩(wěn)壓器系列擴充在線設(shè)計工具,其中包括使用可提升輕載效率的滯后恒定導(dǎo)通時間 (COT) 控制的全新器件。 http://mypower.irf.com/SupIRBuck 上已
汽車和重型設(shè)備環(huán)境對任何類型的電子產(chǎn)品而言都是非常嚴酷的。寬工作電壓要求結(jié)合大的電壓瞬態(tài)和寬溫度變化范圍,這些因素合起來使電子系統(tǒng)處于非常艱難的工作環(huán)境。使考慮因素更加復(fù)雜的是,電子系統(tǒng)中的電壓軌數(shù)量
為了提高電源能效及節(jié)能,世界各國包括中國都制定了針對電源能效的規(guī)范。半導(dǎo)體是實現(xiàn)高能效電子產(chǎn)品的重要環(huán)節(jié),可以提供滿足全球市場相關(guān)規(guī)范的解決方案。安森美半導(dǎo)體是其中的代表企業(yè),其所提供的電源和適配器可
本文論述了IGBT的過流保護、過壓保護與過熱保護相關(guān)問題,并從實際應(yīng)用中總結(jié)出各種保護方法,這些方法實用性強,保護效果好,是IGBT保護電路設(shè)計必備知識。 IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種用MOS來控制晶體管的
本文介紹了一個用于2并5串(5S2P)組合的AR111 LED燈的驅(qū)動器參考設(shè)計。 概述 本參考設(shè)計以MAX16819為主控制器,為5S2P AR111 LED燈提供buck-boost驅(qū)動方案。圖1為電路原理圖,圖2給出了設(shè)計布局圖?! ∪缦聻殡?/p>
21ic訊 日前,德州儀器 (TI) 宣布面向非隔離式負載點設(shè)計推出 2 款具有 PMBus 數(shù)字接口與自適應(yīng)電壓縮放功能的 20 V 降壓穩(wěn)壓器。加上 NS系統(tǒng)電源保護及管理產(chǎn)品,TI 為設(shè)計工程師提供完整的單、雙及多軌多相位 PMBu
21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ~190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻,以及22A~47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于