本設(shè)計(jì)采用D類音頻放大器構(gòu)成程控交流電源,只需對音頻放大器的輸入幅度控制就可以得到高純度正弦交流電壓。本文給出了所研制的程控交流電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖,并且給出了每級的波形。其主電路由D類音頻放大器+半橋和LC濾波器組成。
對于寬范圍的電子器件,SMU提供了一種設(shè)計(jì)測試和測量系統(tǒng)的簡單、集成度高的方法。越來越多的測試應(yīng)用需要源和/或測量更高電流的能力,本文介紹的技術(shù)提供了組合分立源與測量儀器的實(shí)用、經(jīng)濟(jì)有效的替代方法。
在高頻PWM開關(guān)變換器中,為保證功率MOSFET在高頻、高壓、大電流下工作,要設(shè)計(jì)可靠的柵極驅(qū)動電路。一個(gè)性能良好的驅(qū)動電路要求觸發(fā)脈沖應(yīng)具有足夠快的上升和下降速度,脈沖前后沿要陡峭;驅(qū)動源的內(nèi)阻要足夠小、電流
概述 通用串行總線(USB)端口是一種帶有電源和地的雙向數(shù)據(jù)端口。USB可以連接所有類型的外圍設(shè)備,包括外 部驅(qū)動器、存儲設(shè)備、鍵盤、鼠標(biāo)、無線接口、攝像機(jī)和照相機(jī)、MP3播放器以及數(shù)不盡的各種電子設(shè)備。這些設(shè)
以TDS2285芯片為核心,打造一款正弦波1200W逆變機(jī)器,使大家對TDS2285芯片有更深入的了解。 我們知道在許多逆變的場合中,都是低壓DC直流電源要變成高壓AC電源,所以中間是需要升壓才能完成這一變化,我們此次討論的
1、過流 過流是變頻器報(bào)警最為頻繁的現(xiàn)象?! ?.1現(xiàn)象 (1)重新啟動時(shí),一升速就跳閘。這是過電流十分嚴(yán)重的現(xiàn)象。主要原因有:負(fù)載短路,機(jī)械部位有卡住;逆變模塊損壞;電動機(jī)的轉(zhuǎn)矩過小等現(xiàn)象引起?! ?2)上
如今,愈來愈多的手機(jī)、MP4、PDA等數(shù)碼產(chǎn)品帶有拍照功能,隨著百萬像素?cái)z像頭應(yīng)用的普及,用戶對照相及攝像的效果與質(zhì)量要求也逐漸提高。為了在環(huán)境亮度較暗的情況下,仍能獲得較好的拍攝質(zhì)量,部分手機(jī)、MP4、PDA產(chǎn)
在設(shè)計(jì)工業(yè)控制的輔助電源時(shí),可采用美國PI公推出的TInySwitch-Ⅲ系列第三代微型開關(guān)電源。目前,世界通用的交流輸入電壓范圍是u=85~265V。但是當(dāng)18V<u<75V時(shí),芯片就無法提供足夠的偏壓以維持正常工作,這就大大
半導(dǎo)體激光管(LD)和普通二極管采用不同工藝,但電壓和電流特性基本相同。在工作點(diǎn)時(shí),小電壓變化會導(dǎo)致激光管電流變化較大。此外電流紋波過大也會使得激光器輸出不穩(wěn)定。二極管激光器對它的驅(qū)動電源有十分嚴(yán)格的要求
PEMFC氫能發(fā)電機(jī)發(fā)出的是變化范圍較大的直流電,必須經(jīng)過穩(wěn)壓、逆變等轉(zhuǎn)換后,獲得穩(wěn)定的輸出電壓后才能應(yīng)用于負(fù)載。在PEMFC發(fā)電機(jī)的控制系統(tǒng)電源采用自發(fā)電供電時(shí),電源系統(tǒng)需要適應(yīng)發(fā)電機(jī)的輸出特性。控制系統(tǒng)正常
1概述 DS2770電池監(jiān)測器和充電控制器能完成電池維護(hù)所需的各種功能,和主系統(tǒng)處理器使用時(shí),DS2770能完成充電、剩余電量估算、安全監(jiān)測、永久數(shù)據(jù)存儲等功能。它有獨(dú)特的ID、數(shù)字溫度檢測器、測量電池電壓電流的
根據(jù)開關(guān)電源的發(fā)展及分類,對DO/DO、AC/DC變換器的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和特性作了闡述,結(jié)合國內(nèi)外開關(guān)的兩大類變換器新技術(shù)動向進(jìn)行探討,敘述了開關(guān)電源的選擇。 1 引言 隨著電力電
高頻開關(guān)電源額定直流輸出電壓、浮充電壓、均充電壓、功率因數(shù)、穩(wěn)壓精度、效率、雜音電壓(不接蓄電池組) 、電池溫度補(bǔ)償?shù)取? 1、額定直流輸出電壓:指市電經(jīng)整流模塊變換后的額定輸出電壓,正選的電源電壓為-48
車載音頻放大器通常使用升壓轉(zhuǎn)換器來生成 18 V~28 V(或更高)的電池輸出電壓。在這些 100W 及 100W 以上的高功耗應(yīng)用中,需要大升壓電感、多個(gè)級別的輸出電容器、并行 MOSFET 及二極管。將功率級分成多個(gè)
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET --- Si8800EDB,該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度